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CN113990793A - 一种led芯片转移方法 - Google Patents

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卢敬权
薛水源
叶国辉
庄文荣
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Dongguan HCP Technology Co Ltd
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Dongguan HCP Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种LED芯片转移方法，包括：将第一基板上吸附的LED芯片的第一键合部位与第二基板上的第二键合部位接触连接；通电点亮LED芯片；检测识别正常发光的LED芯片和无法正常发光的LED芯片；将正常发光的LED芯片的第一键合部位键合在其接触的第二键合部位上，该键合的作用力大于第一基板对LED芯片的吸附力；将第一基板和第二基板分离，使正常发光的LED芯片离开第一基板，并保留在第二基板上。该LED芯片转移方法不仅简单、有效，而且无法正常发光的LED芯片不进行键合，不会对第二基板或无法正常发光的LED芯片的键合部位产生损伤，从而保证了产品的品质。

Description

一种LED芯片转移方法
技术领域
本发明属于显示面板技术领域，尤其涉及一种LED芯片转移方法。
背景技术
Mini/Micro LED芯片采用巨量转移技术，可以一次性大批量地将LED芯片从排晶焊接基板转移至显示基板。具体地，排晶焊接基板上具有排晶焊接膜，LED芯片按一定的排列顺序粘在排晶焊接膜上。显示基板上具有与LED芯片对应的焊盘电极，排晶焊接基板上的LED芯片与显示基板上的焊盘电极对应接触并键合。键合的作用力大于排晶焊接膜的粘力，移除排晶焊接基板时，LED芯片固定在显示基板上。
然而在转移后，显示基板上可能存在部分坏死的LED芯片，需要将显示基板进行返修，将坏死的LED芯片移除，并置换新的良好的LED芯片。但是，由于坏死的LED芯片也是被键合在显示基板上，移除坏死的LED芯片时，会对显示基板或坏死的LED芯片的键合部位产生损伤，从而影响产品的品质。
为解决该问题，现有技术提供了如下两种方法：
一种是将键合制程分为预键合制程和主键合制程，但预键合制程仍然会对显示基板或坏死的LED芯片的键合部位产生损伤，并增加LED芯片转移和返修的操作复杂性。
另一种是利用光敏导电键合层进行键合，其原理是受光照后自动键合。例如，LED芯片和焊盘电极接触后通电，LED芯片正常发光时键合部位受光照后进行键合，无法正常发光时键合部位不进行键合。但是，由于是批量转移LED芯片，且光照方向不受控、呈散射状，因此正常发光的LED芯片会影响到无法正常发光的LED芯片，导致无法正常发光的LED芯片仍然会存在误键合的情况，仍然会对显示基板或坏死的LED芯片的键合部位产生损伤，并增加LED芯片转移和返修的操作复杂性。
发明内容
本发明提供了一种LED芯片转移方法，可以解决或者至少部分解决上述技术问题。
为此，本发明采用以下技术方案：
一种LED芯片转移方法，包括：
将第一基板上吸附的LED芯片的第一键合部位与第二基板上的第二键合部位接触连接；
通电点亮所述LED芯片；
检测识别正常发光的LED芯片和无法正常发光的LED芯片；
将所述正常发光的LED芯片的所述第一键合部位键合在其接触的所述第二键合部位上，该键合的作用力大于所述第一基板对所述LED芯片的吸附力；
将所述第一基板和所述第二基板分离，使所述正常发光的LED芯片离开所述第一基板，并保留在所述第二基板上。
可选地，在将所述第一基板和所述第二基板分离后，还包括：
将新的正常发光的LED芯片的所述第一键合部位键合在所述第二基板上空的所述第二键合部位上。
可选地，所述第一键合部位的材料硬度小于等于所述第二键合部位的材料硬度。
可选地，所述第一键合部位和所述第二键合部位之间通过激光焊接方式键合连接。
可选地，所述第一基板包括有排晶焊接膜，所述第一基板通过所述排晶焊接膜的粘力吸附所述LED芯片。
可选地，所述通电点亮所述LED芯片，包括：
对所述第二基板通电，通过所述第二键合部位和所述第一键合部位的导电作用点亮所述LED芯片。
可选地，所述检测识别正常发光的LED芯片和无法正常发光的LED芯片，包括：
获取所述LED芯片的工作参数，所述工作参数包括发光亮度、电流、电压和功率中的至少一种；
将所述工作参数与预设的参数范围进行对比；
若所述工作参数在所述参数范围内，则判断所述工作参数对应的所述LED芯片为正常发光，否则判断为无法正常发光。
可选地，通过视觉检测技术获取所述LED芯片的所述发光亮度。
可选地，所述第一基板为透明基板。
与现有技术相比，本发明实施例具有以下有益效果：
本发明实施例提供的一种LED芯片转移方法，在进行键合前，将第一键合部位与第二键合部位进行接触连接，并通电检测识别出正常发光的LED芯片和无法正常发光的LED芯片，然后将正常发光的LED芯片键合在第二基板上。该LED芯片转移方法不仅简单、有效，而且无法正常发光的LED芯片不进行键合，不会对第二基板或无法正常发光的LED芯片的键合部位产生损伤，从而保证了产品的品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。
图1为本发明实施例提供的一种LED芯片转移方法流程图；
图2～图5为本发明实施例提供的一种LED芯片转移方法的过程示意图。
图示说明：
10、第一基板；11、吸附结构；12、LED芯片；13、第一键合部位；20、第二基板；21、第二键合部位。
具体实施方式
为使得本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1至图5所示，本实施例提供了一种LED芯片转移方法，包括以下步骤：
S101、将第一基板10上吸附的LED芯片12的第一键合部位13与第二基板20上的第二键合部位21接触连接；
S102、通电点亮LED芯片12；
S103、检测识别正常发光的LED芯片12和无法正常发光的LED芯片12；
S104、将正常发光的LED芯片12的第一键合部位13键合在其接触的第二键合部位21上，该键合的作用力大于第一基板10对LED芯片12的吸附力；
S105、将第一基板10和第二基板20分离，使正常发光的LED芯片12离开第一基板10，并保留在第二基板20上。
本发明实施例提供的一种LED芯片转移方法，不仅简单、有效，而且无法正常发光的LED芯片12不进行键合，不会对第二基板20或无法正常发光的LED芯片12的键合部位产生损伤，从而保证了产品的品质。
作为本实施例的一种可选实施方式，第一基板10上包括有吸附结构11，通过吸附结构11的吸附力吸附LED芯片12，如图2所示。该吸附力可以是粘力或者磁力。例如，吸附结构11为排晶焊接膜，排晶焊接膜的粘力吸附LED芯片12。
需要说明的是，第一键合部位13可以看作是LED芯片12的电极部位，电极部位一般是成对出现的，由于电极部位不是本发明的重点，故图2未详细展示其结构。相应地，第二键合部位21可以是第二基板20上的焊盘电极部位，如图3所示。
应当理解，LED芯片12在第一基板10上布局方式可以根据实际需要设定，如环形或矩阵布置的LED阵列。相应地，第二键合部位21的布局与LED芯片12的布局相适应。其中，LED阵列可以包括一种或多种发光光色的LED芯片12。
在步骤S101中，第一键合部位13与第二键合部位21接触连接，实现电连接，如图4所示。如此，在步骤S102中，可以通过直接通电点亮LED芯片12，也可以通过给第二基板20通电，然后通过第二键合部位21和第一键合部位13的导电作用点亮LED芯片12。具体地，第二基板20上设有可以连接电源的电路结构，电路结构电连接第二键合部位21。
步骤S103中，可以通过多种参数识别判断出正常发光的LED芯片12和无法正常发光的LED芯片12。具体地，步骤S103包括以下步骤：
获取LED芯片12的工作参数，工作参数包括发光亮度、电流、电压和功率中的至少一种；
将工作参数与预设的参数范围进行对比；
若工作参数在所述参数范围内，则判断工作参数对应的LED芯片12为正常发光，否则判断为无法正常发光。
例如，获取LED芯片12的发光亮度，若该发光亮度低于预设的亮度(偏暗或不亮)，则对应的LED芯片12为无法正常发光，否则判断为正常发光。再例如，获取LED芯片12的电流，若该电流低于预设的最小电流或高于预设的最大电流，则对应的LED芯片12为无法正常发光，否则判断为正常发光。应当理解，可以同时使用多种工作参数进行识别判断，从而提高检测识别的准确性。
作为本实施例的一种可选实施方式，可以通过视觉检测技术获取LED芯片12的发光亮度，例如CCD相机获取发光亮度；还可以通过测试装置连接第二基板20的电路结构，以测试获取LED芯片12的电流、电压或功率等参数。
当需要通过发光亮度识别判断正常发光的LED芯片12和无法正常发光的LED芯片12时，可以将第一基板10设为透明基板，其吸附结构11也为透明的，以便更好地通过视觉检测技术获取发光亮度。
作为本实施例的一种可选实施方式，第一键合部位13的材料硬度小于等于第二键合部位21的材料硬度，可以尽可能地防止或降低第二键合部位21损坏，例如避免第一键合部位13挤压磨损第二键合部位21，以及返修时需要分离第一键合部位13和第二键合部位21而造成的磨损，从而提高第二基板20的使用寿命，提高包括第二基板20的产品的品质。进一步地，第一键合部位13和所述第二键合部位21之间通过激光焊接方式键合连接。
作为本实施例的一种可选实施方式，可以通过移动第一基板10和/或第二基板20，使得第一基板10和第二基板20分离，从而使正常发光的LED芯片12离开第一基板10，并保留在第二基板20上，而无法正常发光的LED芯片12继续保留在第一基板10上，如图5所示。
作为本实施例的一种可选实施方式，LED芯片12转移方法还包括以下步骤：
在第一基板10与第二基板20分离后，从另外的第三基板(未标识)上获取新的正常发光的LED芯片12，将新的正常发光的LED芯片12的所述第一键合部位13键合在所述第二基板20上空的所述第二键合部位21上。例如，当在步骤S103出现无法正常发光的LED芯片12时，可以通过该步骤进行补晶。进一步地，该步骤还可以用于修复第二基板20上的坏的LED芯片12。例如，当第二基板20上的LED芯片12在一段时候后坏了，可以先通过现有技术移除坏的LED芯片12，然后通过该步骤修复。应当理解，新的正常发光的LED芯片12，也可以是来自于第一基板10，即在第一基板10上重新布置新的LED芯片12。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种LED芯片转移方法，其特征在于，包括：
将第一基板上吸附的LED芯片的第一键合部位与第二基板上的第二键合部位接触连接；
通电点亮所述LED芯片；
检测识别正常发光的LED芯片和无法正常发光的LED芯片；
将所述正常发光的LED芯片的所述第一键合部位键合在其接触的所述第二键合部位上，该键合的作用力大于所述第一基板对所述LED芯片的吸附力；
将所述第一基板和所述第二基板分离，使所述正常发光的LED芯片离开所述第一基板，并保留在所述第二基板上。
2.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在将所述第一基板和所述第二基板分离后，还包括：
将新的正常发光的LED芯片的所述第一键合部位键合在所述第二基板上空的所述第二键合部位上。
3.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述第一键合部位的材料硬度小于等于所述第二键合部位的材料硬度。
4.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述第一键合部位和所述第二键合部位之间通过激光焊接方式键合连接。
5.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述第一基板包括有排晶焊接膜，所述第一基板通过所述排晶焊接膜的粘力吸附所述LED芯片。
6.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述通电点亮所述LED芯片，包括：
对所述第二基板通电，通过所述第二键合部位和所述第一键合部位的导电作用点亮所述LED芯片。
7.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述检测识别正常发光的LED芯片和无法正常发光的LED芯片，包括：
获取所述LED芯片的工作参数，所述工作参数包括发光亮度、电流、电压和功率中的至少一种；
将所述工作参数与预设的参数范围进行对比；
若所述工作参数在所述参数范围内，则判断所述工作参数对应的所述LED芯片为正常发光，否则判断为无法正常发光。
8.根据权利要求7所述的LED芯片转移方法，其特征在于，通过视觉检测技术获取所述LED芯片的所述发光亮度。
9.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述第一基板为透明基板。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5920464A (en) * 1997-09-22 1999-07-06 Trw Inc. Reworkable microelectronic multi-chip module
US6414509B1 (en) * 1993-03-01 2002-07-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for in-situ testing of integrated circuit chips
JP2003031613A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Matsushita Electric Works Ltd フリップチップ実装体及びフリップチップ実装方法
CN109148506A (zh) * 2018-08-24 2019-01-04 上海天马微电子有限公司 Micro LED转移方法及显示面板、显示装置
CN111933627A (zh) * 2020-09-14 2020-11-13 厦门乾照半导体科技有限公司 可测试及微转移的微元件及其制作、测试和转移方法、显示装置
CN112490261A (zh) * 2020-11-30 2021-03-12 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种Micro LED检测和转移方法
CN112992722A (zh) * 2020-07-27 2021-06-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 转接板、巨量转移方法及Micro-LED显示器
CN112991972A (zh) * 2021-02-26 2021-06-18 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及发光器件的转移方法
US20210193497A1 (en) * 2019-12-18 2021-06-24 Seoul Viosys Co, Ltd. Method of transferring micro led and micro led transferring apparatus
CN113451490A (zh) * 2020-04-30 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种键合方法、显示背板及显示背板制造系统

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6414509B1 (en) * 1993-03-01 2002-07-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for in-situ testing of integrated circuit chips
US5920464A (en) * 1997-09-22 1999-07-06 Trw Inc. Reworkable microelectronic multi-chip module
JP2003031613A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Matsushita Electric Works Ltd フリップチップ実装体及びフリップチップ実装方法
CN109148506A (zh) * 2018-08-24 2019-01-04 上海天马微电子有限公司 Micro LED转移方法及显示面板、显示装置
US20210193497A1 (en) * 2019-12-18 2021-06-24 Seoul Viosys Co, Ltd. Method of transferring micro led and micro led transferring apparatus
CN113451490A (zh) * 2020-04-30 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种键合方法、显示背板及显示背板制造系统
CN112992722A (zh) * 2020-07-27 2021-06-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 转接板、巨量转移方法及Micro-LED显示器
CN111933627A (zh) * 2020-09-14 2020-11-13 厦门乾照半导体科技有限公司 可测试及微转移的微元件及其制作、测试和转移方法、显示装置
CN112490261A (zh) * 2020-11-30 2021-03-12 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种Micro LED检测和转移方法
CN112991972A (zh) * 2021-02-26 2021-06-18 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及发光器件的转移方法

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