CN111640833A - 一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 230000010287 polarization Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 12
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 10
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000011426 transformation method Methods 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
- H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/04—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
- H10N30/045—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning by polarising
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，涉及半导体压电光电子学技术领域。本发明通过金属有机化学气相沉积方法制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片，通过电化学腐蚀方法把InGaN/GaN异质结薄膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再通过物理转移办法将InGaN/GaN异质结薄膜转移到柔性衬底PET上，最后通过搜集光致发光光谱的检测方法证明了通过手动3D位移平台对InGaN/GaN异质薄膜施加的应力确实改善了薄膜内部的极化。应用本发明，不仅解决了InGaN/GaN多量子阱中极化所导致的载流子复合效率降低的问题，还具有制造工艺简单且调制效果较好。
Description
技术领域
本发明涉及半导体压电光电子学技术领域，特别是涉及一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法。
背景技术
LED是当今电子信息工业应用最广泛的有源器件，因为其具有环保、节能、高效、寿命长等优点，越来越受到人们的关注，在很多领域都扮演者特别重要的角色，应用前景巨大。例如在交通上，可用于公路信号指示灯，在汽车制造业，上汽车各项指示灯，仪器表盘等；在照明行业上，在日常照明取代传统白炽灯光源，同时又可实现节能。而随着高亮度InGaN蓝绿光LED的不断商业化，人们又开始探索如何制造出更加节能且高亮度的InGaN蓝绿光LED。
GaN材料作为Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的代表，其禁带宽度在3.4eV，又因其性质稳定，导热性好，是制作蓝光LED的优选材料。InN禁带宽度在0.7eV通过调节三元化合物InGaN中的In组分可以实现其禁带宽度在0.7eV-3.4eV，从而使得对应波长几乎覆盖整个太阳光谱，从而使得InGaN成为制造LED材料的重要材料。但是InN的晶格常数比GaN的晶格常数大11％，导致了晶格失配所引起的压电极化，使得量子限制斯达克效应占据主导地位，从而使得基于InGaN多量子阱的LED的效率降低。
近几年来，人们在生长InGaN/GaN异质结膜时，利用在生长InGaN时可以通过在InGaN/GaN多量子阱的GaN垒层中掺杂Si，降低阱层和垒层的晶格失配度；还可以调节阱层中的In组分制作出InGaN/GaN梯形多量子阱等方法来降低极化效应对InGaN/GaN多量子阱发光效率的影响。但是这些方法局限性很强，比如工艺操作比较复杂，成本相对来说很高，可控性不好，不利于量产从而限制了半导体照明的进一步发展。
发明内容
为了解决InGaN/GaN多量子阱中存在的极化问题，提高其光学性能，本发明提供了一种制造工艺简单且调制效果较好的InGaN/GaN异质结薄膜压电极化方法。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，包括：
采用金属有机化学气相沉积方法，制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片；所述外延基片包括蓝宝石衬底以及依次在所述蓝宝石衬底上生长的第一未掺杂GaN层、重掺杂n-GaN层、轻掺杂n-GaN层、第二未掺杂GaN层、InGaN量子阱层以及p-GaN层；
利用电化学腐蚀方法，将所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来；
利用物理转移方法，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到PET衬底上并贴合，得到紧贴PET衬底的样品；
利用3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力以实现压电手段对所述样品内部极化的调制。
可选的，所述重掺杂n-GaN层采用的是Si掺杂，掺杂浓度为1.3×1019cm-3；所述轻掺杂n-GaN层采用的是Si掺杂，掺杂浓度为2.2×1018cm-3。
可选的，所述第一未掺杂GaN层的厚度为1.5um，所述重掺杂n-GaN层的厚度为2.5um，所述轻掺杂n-GaN层的厚度为200nm，所述第二未掺杂GaN层的厚度为3um，所述InGaN量子阱层的厚度为10nm，所述p-GaN层的厚度为250nm。
可选的，所述利用电化学腐蚀方法，将所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来，具体包括：
制备草酸电解溶液；
在所述外延基片的重掺杂n-GaN层涂上银浆；
将涂有银浆的外延基片的一侧与带夹子的Pt电极连接，作为电化学腐蚀的阳极，将另一个Pt电极作为电化学腐蚀的阴极；
将所述阳极、所述草酸电解溶液、所述阴极以及所述直流电源串联形成闭合回路；
调节所述直流电源的电压和腐蚀时间使所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来。
可选的，所述草酸电解溶液的浓度范围为0.3～0.5mol/L。
可选的，所述直流电源的的电压范围为18～25V。
可选的，所述腐蚀时间范围为20～30min。
可选的，所述利用物理转移方法，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到PET衬底上并贴合，得到紧贴PET衬底的样品，具体包括：
利用透明胶布，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到经过等离子体清洗过的PET衬底上并贴合在一起，得到得到紧贴PET衬底的样品。
可选的，所述PET衬底的面积范围为1～4cm2。
可选的，所述利用3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力以实现压电手段对所述样品内部极化的调制，具体包括：
搭建测试平台；所述测试平台包括激光器、3D位移平台、滤光片、聚焦镜、光纤以及光谱分析仪；所述激光器发出的光射入到所述3D位移平台的样品上，在样品上激发的光致发光，依次进入所述滤光片、所述聚焦镜，然后被所述光纤采集，最后传输到所述光谱分析仪内；
将所述样品放置在所述3D位移平台上；
打开所述激光器；
利用所述3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力，用所述激光器发出的激光照射InGaN/GaN异质结薄膜样品，经过所搭建的光路，最后在所述光谱分析仪形成光致发光光谱；
分析处于不同应力下样品的光致发光光谱，并根据分析结果对所述样品内部的极化进行压电调制。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明提供了一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，通过金属有机化学气相沉积方法制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片，通过低成本且易操作的电化学腐蚀方法把InGaN/GaN异质结薄膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再通过物理转移办法将InGaN/GaN异质结薄膜转移到柔性衬底PET上，最后通过搜集光致发光光谱的检测方法证明3D位移平台对InGaN/GaN异质结薄膜所施加的外力对薄膜内部的极化确实能进行压电调制。
本发明采用的电化学腐蚀为选择性腐蚀，因为重掺杂n-GaN层的电导率大，获得空穴的能力强，所以重掺杂n-GaN层容易被腐蚀，且电化学腐蚀方法中的溶液为草酸溶液，该草酸溶液只做电解液的作用，且对InGaN/GaN异质结薄膜没有腐蚀作用，保证了待转移薄膜的晶体质量。
本发明采用的物理转移方法将透明胶布使得InGaN/GaN异质结薄膜与衬底分离，这种分离方法不仅保证了薄膜转移过程中不会碎裂，也使得薄膜可以更好与PET衬底结合，且剥离下的薄膜可以在基于柔性衬底的LED中得到充分运用。
本发明采用两个不同方向的外加力，调制量子阱内部的极化，解决了材料生长时所产生的压电极化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化方法的流程示意图；
图2为本发明实施例InGaN/GaN异质结薄膜的外延结构示意图；
图3为本发明实施例InGaN/GaN异质结薄膜剥离过程示意图；
图4为本发明实施例压电测试光路示意图；
图5为本发明实施例在拉伸应力作用下InGaN/GaN异质结薄膜的光致发光图；
图6为本发明实施例在压缩应力作用下InGaN/GaN异质结薄膜的光致发光图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
图1为本发明实施例调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化方法的流程示意图，如图1所示，包括以下步骤：
步骤101：采用金属有机化学气相沉积方法，制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片；所述外延基片包括蓝宝石衬底以及依次在所述蓝宝石衬底上生长的第一未掺杂GaN层、重掺杂n-GaN层、轻掺杂n-GaN层、第二未掺杂GaN层、InGaN量子阱层以及p-GaN层。
步骤102：利用电化学腐蚀方法，将所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来。
步骤103：利用物理转移方法，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到PET衬底上并贴合，得到紧贴PET衬底的样品。
步骤104：利用3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力以实现压电手段对所述样品内部极化的调制。
在步骤101中，所述第一未掺杂GaN层的厚度为1.5um，所述重掺杂n-GaN层的厚度为2.5um，所述轻掺杂n-GaN层的厚度为200nm，所述第二未掺杂GaN层的厚度为3um，所述InGaN量子阱层的厚度为10nm，所述p-GaN层的厚度为250nm。
所述重掺杂n-GaN层采用的是Si掺杂，掺杂浓度为1.3×1019cm-3；所述轻掺杂n-GaN层采用的是Si掺杂，掺杂浓度为2.2×1018cm-3。
所述p-GaN层采用的是Mg掺杂；所述InGaN量子阱层为1周期InGaN量子阱层。
步骤102具体包括：
制备草酸电解溶液。
在所述外延基片的重掺杂n-GaN层涂上银浆。
将涂有银浆的外延基片的一侧与带夹子的Pt电极连接，作为电化学腐蚀的阳极，将另一个Pt电极作为电化学腐蚀的阴极。
将所述阳极、所述草酸电解溶液、所述阴极以及所述直流电源串联形成闭合回路。
调节所述直流电源的电压和腐蚀时间使所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来。
优选的，所述草酸电解溶液的浓度范围为0.3～0.5mol/L，所述直流电源的的电压范围为18～25V，所述腐蚀时间范围为20～30min。
步骤103具体包括：利用透明胶布，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到经过等离子体清洗过的PET衬底上并贴合在一起，得到得到紧贴PET衬底的样品。
步骤104具体包括：搭建测试平台；所述测试平台包括激光器、3D位移平台、滤光片、聚焦镜、光纤以及光谱分析仪；所述激光器发出的光射入到所述3D位移平台的样品上，在样品上激发的光致发光，依次进入所述滤光片、所述聚焦镜，然后被所述光纤采集，最后传输到所述光谱分析仪内。
将所述样品放置在所述3D位移平台上。
打开所述激光器。
利用所述3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力，用所述激光器发出的激光照射InGaN/GaN异质结薄膜样品，经过所搭建的光路，最后在所述光谱分析仪形成光致发光光谱。
分析处于不同应力下样品的光致发光光谱，并根据分析结果对所述样品内部的极化进行压电调制。
本实施例涉及了InGaN/GaN异质结薄膜的制备以及压电调制其内部压电极化的过程。具体包括InGaN/GaN异质结薄膜的生长、剥离以及压电调制其内部极化，低成本的实现了剥离外延生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN异质结薄膜，并转移到柔性PET衬底上，最后使用3D位移平台对InGaN/GaN异质结薄膜施加压缩应力和拉伸应力，通过对InGaN/GaN异质结薄膜的光致发光光谱的测量分析，低成本且易操作地实现了外加应力对InGaN/GaN异质结薄膜内部压电极化的调制。本实施例提供的方法具备成本极低，操作简单，重复性高等优点，在未来LED效率提升上有着广泛的应用前景。
实施例2
本实施例提供了调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，包括InGaN/GaN异质结薄膜的生长、剥离、转移和压电调制过程。
其中，InGaN/GaN异质结薄膜的生长过程具体包括：
以蓝宝石为生长衬底，采用金属有机化学气相沉积的方法，制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片。如图2所示，该外延基片包括蓝宝石衬底1以及依次在蓝宝石衬底1上生长的第一未掺杂GaN层2、重掺杂n-GaN层3、轻掺杂n-GaN层4、第二未掺杂GaN层5、InGaN量子阱层6以及p-GaN层7。
实际操作过程为：将蓝宝石衬底1载入金属有机化学气相沉积系统反应室，然后按照图2所示的外延结构，依次生长厚度为1μm的第一未掺杂GaN层2、厚度为2.5μm的重掺杂n-GaN层3、厚度为200nm的轻掺杂n-GaN层4、厚度为3μm的第二未掺杂GaN层5、厚度为10nm的InGaN量子阱层6以及厚度为250nm的p-GaN层7。
剥离过程为：采用电化学腐蚀方法，将生长在重掺杂n-GaN层3上的InGaN/GaN异质结薄膜剥离下来。
实际操作过程为：配制浓度为0.3mol/L的草酸电解液。
将生长好的外延基片切割成4mm×10mm的片子，并通过丙酮、异丙醇、去离子水清洗，然后通过氮气吹干，最后在热台上烘烤5min以除去表面的水分子。
用金刚笔在切好的基片的一端划2mm×2mm或者1mm×1mm的正方向条纹，以暴露出重掺杂n-GaN层3。
用银浆涂抹在重掺杂n-GaN层3，放置几分钟，等银浆完成凝固后形成电极。
将涂有银浆的基片的一侧与带夹子的Pt电极连接，作为电化学腐蚀的阳极，将另一个Pt电极作为电化学腐蚀的阴极。
将直流电源，银浆封装的基片、Pt片阴极，0.3mol/L-0.5mol/L的草酸电解液串联形成闭合回路。
调节直流电源，让直流电源的电压为25V，腐蚀时间为20min，其腐蚀过程如图3所示，最终使外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从蓝宝石衬底上剥离下来。
在实际操作过程中，银浆封装的外延基片、Pt片阴极，直流电源，草酸电解液通过导线串联连接形成闭合回路，并将银浆封装的外延基片、Pt片阴极，直流电源，草酸电解液封装为一个整体。
转移过程为：利用透明胶布使InGaN/GaN异质结薄膜和蓝宝石衬底分离，并转移到PET衬底上，使得剥离下来的InGaN/GaN异质结薄膜与PET衬底贴合在一起，即在施加应力的时候，InGaN/GaN异质结薄膜与PET衬底不分离。
实际操作过程为：将已经腐蚀过的基片放置在显微镜下。
将透明胶布切割成0.1mm×1cm的条纹。
将切割好的透明胶布轻轻置于腐蚀过的基片的上端，用静电吸引轻小物体的原理搜集已经完全脱离蓝宝石衬底的InGaN/GaN异质结薄膜，即重掺杂n-GaN层3以上的InGaN/GaN异质结薄膜就会脱离原来的衬底。
利用0.1mm×1cm的透明胶布在显微镜下将InGaN/GaN异质结薄膜转移到已经用氧气等离子体清洗过的柔性PET衬底上并贴合在一起。
本实施例中，柔性PET衬底的面积为2cm2。
压电调制过程为：通过3D位移平台给包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力(因为PET衬底杨氏模量比较大，所以施加在PET衬底上的力都施加到了InGaN/GaN异质结薄膜上)，然后搜集处于不同应力下InGaN/GaN异质结薄膜的光致发光光谱。
实际操作过程为：
搭建如图4所示的压电测试光路；压电测试光路包括325nm的He-Cd激光器11，两个大恒光电的3D位移平台12，400nm滤光片13，焦距为5cm的凸透镜14，型号为Maya Pro 2000的光谱仪15。其中，图4中的黑线表示激光经过的路线。
将两个3D位移平台12示数校零，并将包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16放在两个3D位移平台12上。
打开He-Cd激光器11并预热10min-15min。
调节两个3D位移平台12，使包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16发生形变，并用325nm的He-Cd激光器11出射的激光照射在InGaN/GaN异质结薄膜，使其光致发光，并利用聚焦镜14将发射的荧光聚焦，最后用型号为Maya Pro 2000的光谱仪15搜集所发出的荧光，生成光致发光光谱。
调节两个3D位移平台12，使包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16发生不同形变，并重复上述操作。
在本实施例中，每个3D位移平台12均为手动位移平台，且安装在包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16的两端，且能够同时对包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16施加应力(包括压缩应力和拉伸应力)。其中，对包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16所施加的应力范围在0-0.4％，不能过大，过大会导致PET衬底裂开。
在对包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16施加0-0.4％的压缩应力和拉伸应力测试，通过调动3D位移平台12上的XYZ轴的轴行进距离计算施加应力的大小。
其中，325nm的He-Cd激光器11，包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16，两个3D位移平台12，400nm滤光片13，焦距为5cm的凸透镜14，型号为Maya Pro 2000的光谱仪15封装成一个整体。
本实施例搭建的压电测试光路相对简单，成本较低，但是又能高效的测量出压电对InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的调制所引起的PL光强的明显改变。
实验结果如图5-6所示，在压缩应力作用下，实现了PL光强前后改变600％，在拉伸应力作用下实现了PL光强前后800％的改变，压电极化效果明显。反映出InGaN/GaN异质结薄膜在不同应力下，光致发光的强度前后之间的区别。光致发光的强度和内部极化的调制有着重要联系，如果沿着c轴所加的拉伸应力增加，外加引起的极化与InGaN内部的极化方向相同，则会降低InGaN中的载流子复合效率，则光致发光的强度会降低。反之，在压缩应力的作用下，外加引起的极化与InGaN内部的极化方向相反，则会增加InGaN中的载流子复合效率，则光致发光强度会增加。当然如果加的压缩应力过大会引起GaN内部的晶格散射也会导致光致发光强度降低。
实施例3
在实施例2的基础上，将融化的In金属置于重掺杂n-GaN层3的位置上，也可在重掺杂n-GaN层3和电极Pt片之间形成良好的欧姆接触，加强载流子的输运。
实施例4
在实施例2的基础上，采用变压方法对重掺杂n-GaN层3进行腐蚀，电压范围是18-25V之间。因为随着腐蚀反应的进行，银浆电极易脱落，所以适时加大电压利于腐蚀反应的进行，但是电压稍微小时，得到的InGaN/GaN异质结薄膜的面积就会越大。
实施例5
在实施例2的基础上，在对包含有InGaN/GaN异质结薄膜的PET衬底16的两端施加0-0.6％的压缩应力和拉伸应力测试，通过调动3D位移平台12上的XYZ轴，通过两端轴行进的距离计算施加应力的大小，发现应力的大小最优值应在0-0.4％之间，测得的光致发光的光强对应变的大小敏感。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，包括：
采用金属有机化学气相沉积方法，制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片；所述外延基片包括蓝宝石衬底以及依次在所述蓝宝石衬底上生长的第一未掺杂GaN层、重掺杂n-GaN层、轻掺杂n-GaN层、第二未掺杂GaN层、InGaN量子阱层以及p-GaN层；
利用电化学腐蚀方法，将所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来；
利用物理转移方法，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到PET衬底上并贴合，得到紧贴PET衬底的样品；
利用3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力以实现压电手段对所述样品内部极化的调制。
2.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述重掺杂n-GaN层采用的是Si掺杂，掺杂浓度为1.3×1019cm-3；所述轻掺杂n-GaN层采用的是Si掺杂，掺杂浓度为2.2×1018cm-3。
3.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述第一未掺杂GaN层的厚度为1.5um，所述重掺杂n-GaN层的厚度为2.5um，所述轻掺杂n-GaN层的厚度为200nm，所述第二未掺杂GaN层的厚度为3um，所述InGaN量子阱层的厚度为10nm，所述p-GaN层的厚度为250nm。
4.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述利用电化学腐蚀方法，将所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来，具体包括：
制备草酸电解溶液；
在所述外延基片的重掺杂n-GaN层涂上银浆；
将涂有银浆的外延基片的一侧与带夹子的Pt电极连接，作为电化学腐蚀的阳极，将另一个Pt电极作为电化学腐蚀的阴极；
将所述阳极、所述草酸电解溶液、所述阴极以及所述直流电源串联形成闭合回路；
调节所述直流电源的电压和腐蚀时间使所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来。
5.根据权利要求4所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述草酸电解溶液的浓度范围为0.3～0.5mol/L。
6.根据权利要求4所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述直流电源的的电压范围为18～25V。
7.根据权利要求4所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述腐蚀时间范围为20～30min。
8.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述利用物理转移方法，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到PET衬底上并贴合，得到紧贴PET衬底的样品，具体包括：
利用透明胶布，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到经过等离子体清洗过的PET衬底上并贴合在一起，得到得到紧贴PET衬底的样品。
9.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述PET衬底的面积范围为1～4cm2。
10.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述利用3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力以实现压电手段对所述样品内部极化的调制，具体包括：
搭建测试平台；所述测试平台包括激光器、3D位移平台、滤光片、聚焦镜、光纤以及光谱分析仪；所述激光器发出的光射入到所述3D位移平台的样品上，在样品上激发的光致发光，依次进入所述滤光片、所述聚焦镜，然后被所述光纤采集，最后传输到所述光谱分析仪内；
将所述样品放置在所述3D位移平台上；
打开所述激光器；
利用所述3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力，用所述激光器发出的激光照射InGaN/GaN异质结薄膜样品，经过所搭建的光路，最后在所述光谱分析仪形成光致发光光谱；
分析处于不同应力下样品的光致发光光谱，并根据分析结果对所述样品内部的极化进行压电调制。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|
| CN111640833A true CN111640833A (zh) | 2020-09-08 |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111640833B (zh) |
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