CN109155172B - 陶瓷材料和电阻元件 - Google Patents
陶瓷材料和电阻元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109155172B CN109155172B CN201780032263.2A CN201780032263A CN109155172B CN 109155172 B CN109155172 B CN 109155172B CN 201780032263 A CN201780032263 A CN 201780032263A CN 109155172 B CN109155172 B CN 109155172B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- molar
- parts
- mole
- less
- equal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910000473 manganese(VI) oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 32
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 229910002969 CaMnO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003387 SrMnO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910002077 partially stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002328 LaMnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G45/00—Compounds of manganese
- C01G45/12—Complex oxides containing manganese and at least one other metal element
- C01G45/1221—Manganates or manganites with trivalent manganese, tetravalent manganese or mixtures thereof
- C01G45/125—Manganates or manganites with trivalent manganese, tetravalent manganese or mixtures thereof of the type (MnO3)n-, e.g. CaMnO3
- C01G45/1264—Manganates or manganites with trivalent manganese, tetravalent manganese or mixtures thereof of the type (MnO3)n-, e.g. CaMnO3 containing rare earths, e.g. (La1-xCax)MnO3 or LaMnO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62625—Wet mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62625—Wet mixtures
- C04B35/62635—Mixing details
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62695—Granulation or pelletising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/638—Removal thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/008—Thermistors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/32—Thermal properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
- C04B2235/3263—Mn3O4
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1413—Terminals or electrodes formed on resistive elements having negative temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
本发明提供一种陶瓷材料,其具有以下的式所示的组成:La1‑x‑yAEyMnO3[式中:AE为Ca和Sr中的至少1种,x满足0<x≤0.20,y满足0<y≤0.10。]。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷材料和使用其而构成的电阻元件。
背景技术
近年来,正在推进普及的电动汽车、混合动力汽车等中,大量使用有处理大电流的组件、发动机。这些组件等中,电源接通时(或发动机启动时)产生浪涌电流,如果过度的浪涌电流在组件等中流动,则有导致其内部的电子部件、IC等的破坏的担心,因此,需要对其进行处理。作为这样的浪涌电流对策元件,研究了使用热敏电阻元件。
使用热敏电阻元件的情况下,电动汽车发动机启动时产生的浪涌电流也达到几百A,因此,需要优异的耐浪涌电流性,进而需要在较高温、例如120~250℃下工作,因此,要求高的可靠性。另外,元件本身的电阻高的情况下,无法对发动机输送充分的功率,成为电池消耗的原因,因此,需要减小元件本身的电阻。因此,作为热敏电阻材料,优选使用低电阻、且在100~150℃附近电阻急剧降低的材料(即,B常数大的材料)。
以往,作为浪涌电流抑制用热敏电阻元件,已知有NTC(负温度系数(NegativeTemperature Coefficient))热敏电阻。然而,对于NTC热敏电阻而言,电阻率小的情况下存在如下难点:低温状态与高温状态之间的电阻变化不够大(即,B常数小);恒定电流流通的期间(接通状态、高温状态)的残留电阻所导致的功率损耗较大等。另外,低温状态与高温状态之间的电阻变化(即,B常数)充分大的情况下,存在如下问题:电阻率大,为了降低元件电阻而元件尺寸会变大。这是由于,一般而言,导电性材料的电阻率与B常数之间存在相关关系,因此,如果减小电阻率,则B常数变小,因此,难以实现低电阻率且高B常数。
因此,作为浪涌电流抑制用热敏电阻元件,研究了使用CTR(临界温度热敏电阻(Critical Temperature Resistor))。CTR具有:在使温度上升时,在某一温度下或者温度范围内体现急剧的电阻降低的特性(以下,简称为“CTR特性”),与随着温度上升而电阻缓慢降低的NTC热敏电阻相比,具有极大的B常数。
作为具有CTR特性的陶瓷材料,提出了一种陶瓷材料,其特征在于,具有化学式R11-xR2xBaMn2O6所示的结构,且满足如下条件(1)~(4):
(1)R1包含Nd、R2包含Sm、Eu和Gd中的至少1种时,x为0.05≤x≤1.0;
(2)R1包含Nd、R2包含Tb、Dy、Ho、Er和Y中的至少1种时,x为0.05≤x≤0.8;
(3)R1包含Sm、Eu和Gd中的至少1种、R2包含Tb、Dy、Ho和Y中的至少1种时,x为0≤x≤0.4;
(4)R1包含Sm、Eu和Gd中的至少1种、R2包含Sm、Eu和Gd中的未被选作R1的剩余元素中的至少1种时,x为0≤x≤1.0(专利文献1)。
专利文献1中记载的上述陶瓷材料为进入钙钛矿结构的A位的稀土元素与钡排列而成的A位有序Mn化合物,体现CTR特性。专利文献1中记载了如下内容:该陶瓷材料例如如同一文献的图2所示那样,在100℃附近体现急剧的电阻变化,适于构成浪涌电流抑制用热敏电阻元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2012/056797号
发明内容
发明要解决的问题
本发明人对专利文献1中记载的上述陶瓷材料进行了研究,结果表明:该材料的确为低电阻,且体现急剧的电阻变化,但由于热循环试验、高温放置试验而电阻上升。将上述陶瓷材料用于浪涌功率抑制用元件的情况下,元件重复在通电时通过自发热使温度上升而成为低电阻、在切断时温度下降而成为高电阻这样的温度历程,因此,产生热循环。而且通电时元件保持为高温状态。因此,产生浪涌功率抑制用元件的电阻值的上升,可能引起组件的工作不良。
因此,本发明的目的在于,提供:电阻率小、且具有高的B常数、进而能实现优异的热循环耐性和高温耐性(换言之,优异的可靠性)的陶瓷材料。
用于解决问题的方案
本发明人为了减小元件的电阻率,着眼于LaMnO3、与CaMnO3和SrMnO3中的至少1种的固溶体。通过使少量CaMnO3或SrMnO3固溶于LaMnO3中,从而成为p型半导体,电阻率降低,但该材料中,与一般的材料同样地,也存在如果使电阻率降低则B常数降低的问题。然而,本发明人进行了深入研究,结果发现:在使Ca和Sr中的至少1种固溶的基础上,进而导入La缺陷,从而可以兼顾低的电阻率和高的B常数,至此完成了本发明。
根据本发明的第1主旨,提供一种陶瓷材料,其具有以下的式所示的组成:
La1-x-yAEyMnO3
[式中:
AE为Ca和Sr中的至少1种,
x满足0<x≤0.20,
y满足0<y≤0.10。]。
根据本发明的第2主旨,提供一种陶瓷材料,其为由La、AE和Mn的复合氧化物构成的陶瓷材料,
AE为Ca和Sr中的至少1种,
La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且小于100摩尔份,
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份大于0摩尔份且为10摩尔份以下。
根据本发明的第3主旨,提供一种电阻元件,其具备元件主体和以夹持该元件主体的至少一部分的方式形成的至少2个电极,其中,
元件主体由本发明的上述陶瓷材料构成。
发明的效果
根据本发明,提供:作为具有NTC特性的新型的陶瓷材料、且电阻率低、通过温度上升而体现急剧的电阻变化、进而能实现优异的可靠性(更详细而言,耐热循环性)的材料。
附图说明
图1为示出本发明的1个实施方式中的电阻元件的外观的立体图。
图2为示出实施例中的试样编号7和试样编号11的温度-电阻率的关系的图。
图3为示出实施例中的试样的线热膨胀系数-x的关系的图。
具体实施方式
以下,对于本发明的陶瓷材料和使用其构成的电阻元件,边参照附图边进行详述。
本发明的陶瓷材料可以作为La、AE和Mn的复合氧化物(此处,AE为Ca和Sr中的任一者或两者)而理解。复合氧化物的组成可以通过该技术领域中已知的方法而鉴定。例如,可以通过电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)、电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、荧光X射线分析装置(XRF)等而进行组成的鉴定。
一个方式中,陶瓷材料具有以下的式所示的组成:
La1-x-yAEyMnO3
[式中:
AE为Ca和Sr中的至少1种,
x满足0<x≤0.20,
y满足0<y≤0.10。]。
优选的方式中,AE为Ca或Sr。一个方式中,AE为Ca。另一方式中,AE为Sr。
优选的方式中,x满足0.03≤x≤0.20、且y满足0.005≤y≤0.10。
其他优选的方式中,x满足0.03≤x≤0.20、且y满足0.03≤y≤0.10。
上述方式中,AE优选Ca。
进一步优选的方式中,
(i)x满足0.03≤x≤0.20、且y满足0.005≤y≤0.07;
或者,
(ii)x满足0.03≤x≤0.15、且y满足0.07<y≤0.10。
其他优选的方式中,
(i)x满足0.03≤x≤0.20、且y满足0.03≤y≤0.07;
或者,
(ii)x满足0.03≤x≤0.15、且y满足0.07<y≤0.10。
上述方式中,AE优选Ca。
其他优选的方式中,x满足0.08≤x≤0.20。通过使x为上述范围,可以减小本发明的陶瓷材料的线热膨胀系数。特别优选的方式中,x满足0.08≤x≤0.12、且y为0.03。
需要说明的是,表示上述本发明的陶瓷材料的组成的化学式La1-x-yAEyMnO3中,氧量限定为3,但上述氧量可以成为非化学计量。即,上述化学式中,氧量可以根据x、y或AE的种类而变得比3稍小或变得比3稍大。本发明也可以允许这样的氧量,如果为本发明的范围内的x和y,则可以解决本发明的课题。
另一方式中,由La、AE和Mn的复合氧化物构成的陶瓷材料中,
AE为Ca和Sr中的至少1种,
La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且小于100摩尔份,
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份大于0摩尔份且为10摩尔份以下。
优选的方式中,AE为Ca或Sr。一个方式中,AE为Ca。另一方式中,AE为Sr。
优选的方式中,La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且97摩尔份以下,
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为0.5摩尔份以上且10摩尔份以下。
另一方式中,La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且97摩尔份以下,
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为3摩尔份以上且10摩尔份以下。
上述方式中,AE优选Ca。
进一步优选的方式中,
(i)La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且97摩尔份以下,
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为0.5摩尔份以上且7摩尔份以下;
或者,
(ii)La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为85摩尔份以上且97摩尔份以下,且
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为大于7摩尔份且10摩尔份以下。
其他优选的方式中,
(i)La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且97摩尔份以下,
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为3摩尔份以上且7摩尔份以下;
或者,
(ii)La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为85摩尔份以上且97摩尔份以下,且
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为大于7摩尔份且10摩尔份以下。
上述方式中,AE优选Ca。
其他优选的方式中,La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且92摩尔份以下。通过使La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计为上述范围,可以减小本发明的陶瓷材料的线热膨胀系数。特别优选的方式中,La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为88摩尔份以上且92摩尔份以下,AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为3摩尔份。
上述La、AE和Mn的复合氧化物中,氧原子的含有摩尔份相对于Mn1摩尔份典型地为3摩尔份。然而,这样的复合氧化物中的氧量可以成为非化学计量。即使本发明为包含这样的非化学计量的氧的复合氧化物、即相对于Mn1摩尔份,氧原子的含有摩尔份稍小于3摩尔份的复合氧化物和稍大于3摩尔份的复合氧化物,只要Mn、La和AE的含有摩尔份处于上述范围,就也可以解决本发明的课题。
本发明的陶瓷材料在使温度上升时电阻率降低。
本发明的陶瓷材料的电阻率、特别是室温下的电阻率小。更详细而言,上述陶瓷材料的25℃下的电阻率例如为5Ω·cm以下,优选2Ω·cm以下,进一步优选1Ω·cm以下。由此,元件尺寸(形状)的设计的自由度提高,可以较容易制作元件。由此,对浪涌电流的响应性提高,可以有效地抑制浪涌电流,但本发明不限定于这些用途。
本发明的陶瓷材料如上所述通过温度变化而体现大的电阻变化。由温度变化导致的电阻变化的大小可以以通过以下的式子算出的B常数为指标来进行评价。
B常数=ln(R1/R2)/(1/T1-1/T2)...(1)
式中,R1和R2分别表示T1和T2的温度(K)下的电阻值(Ω)。
对于本发明的陶瓷材料,在25℃~200℃范围内,每隔5℃测定电阻值,25℃和150℃的B常数、即设为T2=150℃、T1=25℃且基于上述式得到的B常数例如为2000以上、优选2400以上。由此,可以有效地抑制浪涌电流,且可以有效地降低恒定电流流通的期间(接通状态)的残留电阻所导致的功率损耗。以下,本说明书中,“B常数”是指,设为T1=25℃和T2=150℃且基于上述式(1)得到的B常数。
优选的方式中,上述陶瓷材料具有2Ω·cm以下的电阻率和2000以上的B常数,优选的是,在超过1Ω·cm且2Ω·cm以下的电阻率的情况下,具有2400以上的B常数,在1Ω·cm以下的电阻率的情况下,具有2000以上的B常数。
如上所述,本发明的陶瓷材料具有低的电阻率和高的B常数。本发明不受任何理论的拘束,但推测其是由于,通过导入La缺陷,从而在晶体结构中引入应变,在作为导电通路的Mn3d-O2p-Mn3d之间导入无序性,结果适当妨碍跳跃电导,跳跃概率对温度造成影响,可以得到低的电阻率和高的B常数。
进而,上述陶瓷材料可以有效地防止热循环试验前后的电阻变化,体现高的耐热循环性,可以实现优异的可靠性。更详细而言,例如,即使供于-25℃~240℃的温度范围内的热循环试验,也可以使前后的电阻变化率为10%以下。同样地,对于250℃的高温放置也可以实现优异的耐性。
上述陶瓷材料可以通过将复合氧化物的技术领域中已知的方法适宜组合而制造。
概略而言,可以如下制造:将作为AE源(即,Ca源或Sr源)的含有钙或锶且含有氧的材料(例如氧化物、碳酸盐、氢氧化物等,以下也同样)、与作为La源的含有镧和氧的材料、与作为Mn源的含有锰和氧的材料以成为期望比例的方式称量,将它们(适宜地与粘结剂等一起)进行混合和焙烧,从而可以制造。
上述陶瓷材料可以用于任意的用途,可以优选地用于构成电阻元件。更详细而言,在具备元件主体和以夹持该元件主体的至少一部分的方式形成的至少2个电极的电阻元件中,可以用于构成元件主体。上述电阻元件可以特别适宜地用作用于抑制浪涌电流的热敏电阻元件。
上述电阻元件可以具备任意的适合的形状和结构。示例地,如图1所示那样,电阻元件1具备:包含上述陶瓷材料的板状(图示的例中,为圆板状,但不限定于此)的元件主体2;以及,分别形成于元件主体2的相对的主表面上的1对电极。图1中,仅图示了一个电极3。未作图示的另一个电极以与图示的电极3对置的方式形成。在图示的一个电极3上,例如借助软钎料5可以连接引线6,未作图示的另一个电极上,同样地借助软钎料可以连接引线7。上述电阻元件1借助引线6和7可以安装于未作图示的布线基板,适合作为用于抑制浪涌电流的热敏电阻元件、即、功率热敏电阻使用。
实施例
以下,对本发明的陶瓷材料和电阻元件,基于实施例更详细地进行说明。
(试样的制作)
为了评价电特性和可靠性,用下述方法制作陶瓷材料的试样。
作为原料,分别使用99.9%以上的氧化锰(Mn3O4)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸锶(SrCO3)、和氧化镧(La2O3)。将这些原料焙烧后,以成为表1(AE为Ca时)或表2(AE为Sr时)的组成的方式称量,在500ml的罐容器中,与直径2mm的部分稳定化氧化锆(PSZ)球、纯水和分散剂一起放入,进行16小时粉碎混合。使由此得到的浆料干燥,造粒,在大气中以900℃预焙烧4小时。在由此得到的预焙烧粉中添加有机溶剂和分散剂,使用PSZ球制成浆料,从而进行16小时的粉碎混合处理,在其中添加增塑剂和有机粘结剂,进一步混合6小时,制备片成型用浆料。使用由此制备好的浆料,通过刮刀法进行成型形成生片,切割成条状,将其层叠并压接,制作块(生片体)。之后,在焙烧后,以成为约5mm×5mm×0.5mm左右的尺寸的方式切割块,在大气中、以450℃加热,从而进行脱粘结剂处理,接着在大气中、以1250~1300℃焙烧4小时。在由此得到的烧结体的相对的主表面上涂布Ag糊剂,通过700℃、10分钟的热处理进行烧结而形成电极。
(电特性评价)
对于如上述制作好的试样,如下述评价电特性。
使用电阻测定器(Keithley 2430)和温度槽(Despatch制),利用4端子法进行电阻的温度依赖性评价。温度范围设为室温(25℃)~200℃。由测定得到的电阻值算出电阻率,另外,由每隔10℃测定的电阻值的温度依赖性,基于上述式(1)算出B常数。该实验例中,在室温(25℃)下的电阻率为超过1Ω·cm且2Ω·cm以下时B常数为2400以上的情况下,或者在电阻率为1Ω·cm以下时B常数为2000以上的情况下,判断为电阻率小、且B常数高,作为合格判定。将室温(25℃)下的电阻率、和由25℃(T1)、150℃(T2)的电阻值求出的B常数示于表1和表2。
(可靠性评价)
此外,对于室温电阻率和B常数在上述判断中成为合格判定的试样,还进行了热循环试验。
该实验例中,热循环试验中,在-25℃~240℃的温度范围内重复升降温300次,将试验前后的电阻变化率为10%以下的情况作为合格判定。将结果一并示于表1~3。
[表1]
[表2]
[表3]
表1~3中,带“*”的试样为本发明的范围外(比较例)。“可靠性”栏中,“○”表示合格、“×”表示不合格、“-”表示未进行热循环试验。
上述中评价了的试样中,示例性地将试样编号7和23的温度-电阻特性示于图2。
以往已知的未形成La缺位的试样编号1~7中,可以在电阻率大的情况下得到较大的B常数,但为了降低电阻率而添加Ca时,B常数也降低,B常数低于判定基准。
另一方面,为本发明的范围内的试样中,可以兼顾小的电阻率且大的B常数。如上所述,一般而言,存在电阻率变小时,B常数变小,即,温度变化时电阻的变化率变小的问题。然而,如图2所示那样,处于本发明的范围内的试样(试样编号23)中,尽管室温下的电阻率比不处于本发明的范围内的试样(试样编号7)的电阻率稍高,但是在200℃下,电阻率变小,显示出相对于温度,电阻更大幅地发生变化,即B常数变大。推测这是由于,通过导入La缺位,从而导入空穴,载体浓度增加,而且晶体的周期性被扰乱,Mn-O-Mn间的空穴的跳跃电导稍被妨碍,随着温度上升,跳跃概率上升,从而B常数变大。
另外,显然,La缺位对低电阻率和B常数的改善有效,但过度地导入La缺位时,存在在热循环试验中特性发生变化的问题。确认了该劣化现象在实施至240℃的高温度的热循环试验中变得更明显,推测为了补偿过度地导入的缺位而导入氧缺位,在热循环试验中缺位的补偿、状态量发生变化,电阻发生变化。
需要说明的是,本发明中,以LaMnO3-CaMnO3的固溶体和LaMnO3-SrMnO3的固溶体为基础,但将La用其他稀土置换的情况下,也可以以高的可靠性和小的电阻率得到较大的B常数。而且,上述说明中的“La缺位”是指,相对于陶瓷材料中所含的每1摩尔Mn的La的含量变得小于1摩尔。实际上,La和Mn均可以缺位。
(试样的制作)
与上述同样地,以成为下述表4所示的组成的方式,制成试样。
(线热膨胀系数的评价)
对于所得试样,通过热机械分析装置(TMA:Thermalmechanical Analyzer),测定线热膨胀系数。将0℃~50℃的平均热膨胀系数示于下述表4和图3。需要说明的是,测定条件设为下述。
温度曲线:-50℃→350℃(5℃/分钟)
测定气氛:N2(200ml/分钟)
载荷:10gf
[表4]
由上述结果,本发明的陶瓷材料的线热膨胀系数较小,特别是x为0.08以上的情况下,可以使线热膨胀系数小至6.0×106/K以下。
产业上的可利用性
本发明的陶瓷材料可以作为构成浪涌电流抑制用热敏电阻元件的材料利用,不仅限定于上述用途。
附图标记说明
1 电阻元件
2 元件主体
3 电极
5 软钎料
6、7 引线
Claims (7)
1.一种电阻元件,其具备元件主体和以夹持该元件主体的至少一部分的方式形成的至少2个电极,
所述元件主体由陶瓷材料构成,所述陶瓷材料具有以下的式所示的组成:
La1-x-yAEyMnO3
式中:
AE为Ca和Sr中的至少1种,
x满足0<x≤0.20,
y满足0<y≤0.10。
2.根据权利要求1所述的电阻元件,其特征在于,
x满足0.03≤x≤0.20,
y满足0.005≤y≤0.10。
3.根据权利要求1或2所述的电阻元件,其特征在于,
(i)x满足0.03≤x≤0.20、y满足0.005≤y≤0.07;或者,
(ii)x满足0.03≤x≤0.15、y满足0.07<y≤0.10。
4.一种电阻元件,其具备元件主体和以夹持该元件主体的至少一部分的方式形成的至少2个电极,
所述元件主体由陶瓷材料构成,所述陶瓷材料为由La、AE和Mn的复合氧化物构成的陶瓷材料,
AE为Ca和Sr中的至少1种,
La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且小于100摩尔份,
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份大于0摩尔份且为10摩尔份以下。
5.根据权利要求4所述的电阻元件,其特征在于,La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且97摩尔份以下,
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为0.5摩尔份以上且10摩尔份以下。
6.根据权利要求4或5所述的电阻元件,其特征在于,
(i)La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为80摩尔份以上且97摩尔份以下,且
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为0.5摩尔份以上且7摩尔份以下;
或者,
(ii)La的含有摩尔份和AE的含有摩尔份的总计相对于Mn100摩尔份为85摩尔份以上且97摩尔份以下,且
AE的含有摩尔份相对于Mn100摩尔份为大于7摩尔份且10摩尔份以下。
7.根据权利要求1、2、4、5中任一项所述的电阻元件,其作为用于抑制浪涌电流的热敏电阻元件使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-103330 | 2016-05-24 | ||
JP2016103330 | 2016-05-24 | ||
PCT/JP2017/018896 WO2017204118A1 (ja) | 2016-05-24 | 2017-05-19 | セラミック材料および抵抗素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109155172A CN109155172A (zh) | 2019-01-04 |
CN109155172B true CN109155172B (zh) | 2020-07-07 |
Family
ID=60411342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780032263.2A Active CN109155172B (zh) | 2016-05-24 | 2017-05-19 | 陶瓷材料和电阻元件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10364161B2 (zh) |
JP (1) | JP6648825B2 (zh) |
CN (1) | CN109155172B (zh) |
WO (1) | WO2017204118A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111417608A (zh) | 2017-11-29 | 2020-07-14 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷构件 |
DE112019002421B4 (de) * | 2018-07-05 | 2023-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Keramikbauglied und elektronikvorrichtung |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1215709A (zh) * | 1997-10-21 | 1999-05-05 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件 |
JP2002087882A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体磁器組成物とこれを用いた半導体磁器素子及びその製造方法 |
CN1348192A (zh) * | 2000-10-11 | 2002-05-08 | 株式会社村田制作所 | 具有负电阻温度系数的半导体陶瓷和负温度系数热敏电阻 |
EP1930299A1 (en) * | 2005-09-28 | 2008-06-11 | NEC Corporation | Phase-change substance and thermal control device |
JP2009173484A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ用金属酸化物焼結体及びサーミスタ素子並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法 |
CN101765569A (zh) * | 2007-08-22 | 2010-06-30 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷材料及ntc热敏电阻 |
CN102044678A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-05-04 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 固体氧化物燃料电池阴极侧电流收集材料及其制备方法 |
CN104685686A (zh) * | 2012-09-28 | 2015-06-03 | 株式会社日本触媒 | 固体氧化物型燃料电池半电池和固体氧化物型燃料电池 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012035938A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミック素子およびその製造方法 |
WO2012056797A1 (ja) | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミックおよび抵抗素子 |
-
2017
- 2017-05-19 WO PCT/JP2017/018896 patent/WO2017204118A1/ja active Application Filing
- 2017-05-19 CN CN201780032263.2A patent/CN109155172B/zh active Active
- 2017-05-19 JP JP2018519252A patent/JP6648825B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-08 US US16/183,774 patent/US10364161B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1215709A (zh) * | 1997-10-21 | 1999-05-05 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件 |
JP2002087882A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体磁器組成物とこれを用いた半導体磁器素子及びその製造方法 |
CN1348192A (zh) * | 2000-10-11 | 2002-05-08 | 株式会社村田制作所 | 具有负电阻温度系数的半导体陶瓷和负温度系数热敏电阻 |
EP1930299A1 (en) * | 2005-09-28 | 2008-06-11 | NEC Corporation | Phase-change substance and thermal control device |
CN101765569A (zh) * | 2007-08-22 | 2010-06-30 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷材料及ntc热敏电阻 |
JP2009173484A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ用金属酸化物焼結体及びサーミスタ素子並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法 |
CN102044678A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-05-04 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 固体氧化物燃料电池阴极侧电流收集材料及其制备方法 |
CN104685686A (zh) * | 2012-09-28 | 2015-06-03 | 株式会社日本触媒 | 固体氧化物型燃料电池半电池和固体氧化物型燃料电池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017204118A1 (ja) | 2017-11-30 |
US10364161B2 (en) | 2019-07-30 |
US20190077677A1 (en) | 2019-03-14 |
JPWO2017204118A1 (ja) | 2019-03-14 |
CN109155172A (zh) | 2019-01-04 |
JP6648825B2 (ja) | 2020-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108467266B (zh) | 电介质组合物、电介质元件、电子部件和层叠电子部件 | |
US7994893B2 (en) | Varistor | |
JP6973374B2 (ja) | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品及び積層電子部品 | |
EP2966050B1 (en) | Semiconductor ceramic composition and ptc thermistor | |
CN101345105B (zh) | 电压非线性电阻体陶瓷组合物、电子部件和叠层芯片压敏电阻 | |
TW200839814A (en) | Dielectric ceramic composition and electronic device | |
KR20170072799A (ko) | 페로브스카이트형 자기 조성물, 페로브스카이트형 자기 조성물을 포함하는 배합 조성물, 페로브스카이트형 자기 조성물의 제조 방법, 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법 | |
EP3078648A1 (en) | Sintered oxide compact and circuit board using same | |
CN109155172B (zh) | 陶瓷材料和电阻元件 | |
KR20170016805A (ko) | 반도체 자기 조성물 및 ptc 서미스터 | |
JP2011190145A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
WO2012056797A1 (ja) | 半導体セラミックおよび抵抗素子 | |
US10886043B2 (en) | Ceramic member | |
Niimi et al. | Effects of Ba/Ti ratio on positive temperature coefficient of resistivity characteristics of donor-doped BaTiO3 fired in reducing atmosphere | |
JP2013197447A (ja) | 積層バリスタの製造方法 | |
EP3202747B1 (en) | Barium titanate semiconductor ceramic, barium titanate semiconductor ceramic composition, and ptc thermistor for temperature detection | |
WO2013065441A1 (ja) | Ptcサーミスタおよびptcサーミスタの製造方法 | |
Tateishi et al. | Fabrication of lead-free semiconducting ceramics using a BaTiO3–(Bi1/2Na1/2) TiO3 system by adding CaO | |
JP2005022900A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品及び積層チップバリスタ | |
JP6512289B2 (ja) | セラミック材料および抵抗素子 | |
JPH07201531A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電圧非直線性抵抗体磁器 | |
JP3598177B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器 | |
Yamamura et al. | Electrical Conductivity in the (Bi0. 8-xLnxEr0. 2) 2O3 (Ln= La, Pr, Nd) Systems | |
JP2002217007A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |