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CN107835543B - 可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、led驱动芯片及系统 - Google Patents

可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、led驱动芯片及系统 Download PDF

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CN107835543B
CN107835543B CN201711125371.2A CN201711125371A CN107835543B CN 107835543 B CN107835543 B CN 107835543B CN 201711125371 A CN201711125371 A CN 201711125371A CN 107835543 B CN107835543 B CN 107835543B
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Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、LED驱动芯片及系统，接收反映母线电压的信号，并根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号。本发明的可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、LED驱动芯片及系统能够检测LED照明系统中是否包含有可控硅调光器，以确定泄放电路的工作状态，进而降低整个LED照明系统的功耗，提升其效率。

Description

可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、LED驱动芯片及系统
技术领域
本发明涉及电子电路的技术领域，特别是涉及一种可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、LED驱动芯片及系统。
背景技术
LED(Lighting Emitting Diode)照明，即发光二极管照明，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光，并在此基础上利用三基色原理，添加荧光粉，可以发出任意颜色的光。利用LED作为光源制造出来的照明器具就是LED灯具。
调光器用于调整灯光不同的亮度，其通过减少或增加RMS电压促使平均功率的灯光产生的不同强度的光输出。通常，可控硅调光器由主回路、触发回路、控制回路和反馈系统等组成。
由于拥有高效节能的特点，LED照明目前已被广泛用于替换传统白炽灯及荧光灯等。对于带有可控硅调光器(TRIAC Dimmer)的LED照明系统，由于可控硅调光器自身的特点，在可控硅导通时需要一定大小的保持电流，使其维持可靠的导通状态。因此，适用于可控硅调光器的LED驱动器通常都会带有相应的泄放电路(bleeder)。当主回路电流小于可控硅保持电流时，泄放电路可提供额外电流以维持可控硅的导通状态。然而，当带有泄放电路的LED驱动器应用于无可控硅调光器的LED照明系统时，其保持回路会带来额外的损耗，从而降低整个LED照明系统的效率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、LED驱动芯片及系统，能够检测LED照明系统中是否包含有可控硅调光器，以确定泄放电路的工作状态，进而降低整个LED照明系统的功耗，提升其效率。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种可控硅调光器的检测电路，接收反映母线电压的信号，并根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，所述反映母线电压的信号是经由一分压单元对检测的母线电压分压处理后获取。
于本发明一实施例中，包括：
比较电路，用于根据所述反映母线电压的信号、所述第一参考电压和所述第二参考电压生成第一处理信号和第二处理信号；
控制单元，用于根据所述第一处理信号和所述第二处理信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，所述比较电路包括第一比较器和第二比较器；
所述第一比较器的正输入端与所述第一参考电压相连，负输入端连接所述反映母线电压的信号，输出所述第一处理信号；
所述第二比较器的正输入端与所述第二参考电压相连，负输入端接收所述反映母线电压的信号，输出所述第二处理信号。
于本发明一实施例中，所述控制单元包括第一控制单元；
所述第一控制单元包括第一延时电路、第一逻辑模块、第一计数器和第二逻辑模块；所述第一延时电路对所述第一处理信号延时；所述第一逻辑模块接收经延时的第一处理信号和所述第二处理信号，逻辑处理后输出至所述第一计数器的低电平有效清零端；所述第一计数器的时钟输入端与所述第二逻辑模块的输出端相连，输出端与所述第二逻辑模块的输入端相连；所述第二逻辑模块根据所述第一处理信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，所述控制单元包括第二控制单元；
所述第二控制单元包括第二延时电路、第三逻辑模块、第二计数器和第四逻辑模块；所述第二延时电路对所述第二处理信号进行延时；所述第三逻辑模块接收经延时的第二处理信号和所述第一处理信号，逻辑处理后输出至所述第二计数器的低电平有效清零端；所述第二计数器的时钟输入端与所述第四逻辑模块的输出端相连，输出端与所述第四逻辑模块的输入端相连；所述第四逻辑模块根据所述第一处理信号生成后缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，所述第一逻辑模块包括第一D触发器，所述第二逻辑模块包括第一或门和非门；
所述第一D触发器的触发端C与所述第一延时电路的输出端相连，输入端D与所述第二比较器的输出端相连，输出端Q与所述第一计数器的低电平有效清零端相连；所述第一计数器的输出端与所述第一或门的第一输入端相连；所述非门的输入端与所述第一比较器的输出端相连，输出端与所述第一或门的第二输入端相连；所述第一或门的输出端输出前缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，所述第三逻辑模块包括第二D触发器，所述第四逻辑模块包括第二或门和非门；
所述第二D触发器的触发端C与所述第二延时电路的输出端相连，输入端D与所述第一比较器的输出端相连，输出端Q与所述第二计数器的低电平有效清零端相连；所述非门的输入端与所述第一比较器的输出端相连；所述第二或门的第一输入端与所述第二计数器的输出端相连，第二输入端与所述非门的输出端相连，输出端输出后缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，当所述第一计数器计数到第一预设数量时，所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平，停止计数。
于本发明一实施例中，当所述第二计数器计数到第二预设数量时，所述后缘切相可控硅调光器检测信号为高电平，停止计数。
于本发明一实施例中，所述分压单元包括串联的第一电阻和第二电阻，串联的所述第一电阻和所述第二电阻一端连接在输入交流电经整流后获得的整流电压上，另一端接地；所述第一电阻和所述第二电阻的连接点输出所述反映母线电压的信号。
于本发明一实施例中，所述第二参考电压小于R2/(R1+R2)*sqrt(2)*Vac*sin(θmax)，其中R1和R2分别为所述第一电阻的阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，θmax为可控硅调光器的最大导通角度；所述R2靠近接地端。
于本发明一实施例中，所述第一参考电压小于所述第二参考电压。
于本发明一实施例中，所述第一延时电路和所述第二延时电路的延时时长相同，均为(arcsin(Vt2*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac)-arcsin(Vt1*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac))/2，其中R1和R2分别为第一电阻阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，Vt1和Vt2分别为第一参考电压和第二参考电压，所述R2靠近接地端。
于本发明一实施例中，所述第一延时电路和所述第二延时电路的延时时长小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号从所述第一参考电压上升至所述第二参考电压的时长；且小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号从所述第二参考电压下降到所述第一参考电压的时长。
于本发明一实施例中，所述第一延时电路为上升沿延时单元，其对所述反映母线电压的信号的上升沿产生一定延时；所述第二延时电路为下降沿延时单元，其对所述反映母线电压的信号的下降沿产生一定延时。
同时，本发明提供一种可控硅调光器检测芯片，包括上述的可控硅调光器的检测电路。
本发明提供一种LED驱动芯片，包括上述的可控硅调光器的检测电路。
另外，本发明提供一种LED驱动系统，包括：
整流单元，用于将输入交流电进行整流后输出给LED负载；
储能单元，连接于所述LED负载的输入端及输出端；
LED驱动电路，用于向LED负载提供电流；
上述的可控硅调光器的检测电路，用于根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号；
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号或后缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
本发明提供一种LED驱动系统，包括：
整流单元，用于将输入交流电进行整流后输出给LED负载；
储能单元，连接于所述LED负载的输入端及输出端；
上述的LED驱动芯片，用于向LED负载提供电流，并根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号；
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号或后缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
本发明提供一种LED驱动系统，包括：
整流单元，用于将外部交流电进行整流后输出给LED负载；
储能单元，连接于所述LED负载的输入端及输出端；
LED驱动电路，用于向所述LED负载提供电流；
上述的可控硅调光器检测芯片，用于根据反映所述母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号；
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号或后缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
最后，本发明提供一种可控硅调光器的检测方法，包括以下步骤：
步骤1、获取反映母线电压的信号；
步骤2、根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，所述反映母线电压的信号是经由一分压单元对检测的母线电压分压处理后获取。
于本发明一实施例中，所述步骤2包括：
根据所述反映母线电压的信号和所述第一参考电压生成第一处理信号，并对所述第一处理信号进行延时；根据所述反映母线电压的信号和所述第二参考电压生成第二处理信号，并对所述第二处理信号进行延时；
根据所述第一处理信号、所述第二处理信号和所述经延时的第一处理信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或根据所述第一处理信号、所述第二处理信号和所述经延时的第二处理信号生成后缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，步骤2包括：
对所述经延时的第一处理信号的上升沿进行计数，当计数达到第一预设数量时，输出前缘切相可控硅调光器检测信号，停止计数，所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平；和/或对所述经延时的第二处理信号的下降沿进行计数，当计数达到第二预设数量时，输出后缘切相可控硅调光器检测信号，停止计数，所述后缘切相可控硅调光器检测信号为高电平。
于本发明一实施例中，所述第一预设数量和所述第二预设数量为整数。
于本发明一实施例中，步骤1包括：串联的第一电阻和第二电阻一端连接在输入交流电经整流后获得的整流电压上，另一端接地；所述第一电阻和所述第二电阻的连接点输出所述反映母线电压的信号。
于本发明一实施例中，所述第二参考电压小于R2/(R1+R2)*sqrt(2)*Vac*sin(θmax)，其中R1和R2分别为所述第一电阻的阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，θmax为可控硅调光器的最大导通角度；所述R2靠近接地端。
于本发明一实施例中，所述第一参考电压小于所述第二参考电压。
于本发明一实施例中，所述第一处理信号的延时时长和所述第二处理信号的延时时长相同，均为(arcsin(Vt2*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac)-arcsin(Vt1*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac))/2，其中R1和R2分别为第一电阻阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，Vt1和Vt2分别为第一参考电压和第二参考电压，所述R2靠近接地端。
于本发明一实施例中，所述第一处理信号的延时时长和所述第二处理信号的延时时长小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号从所述第一参考电压上升至所述第二参考电压的时长；且小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号从所述第二参考电压下降到所述第一参考电压的时长。
如上所述，本发明的可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、LED驱动芯片及系统，具有以下有益效果：
(1)能够检测LED照明系统中是否包含有可控硅调光器，以确定泄放电路的工作状态；
(2)当检测到无可控硅调光器时，泄放电路完全关闭；当检测到有可控硅调光器时，泄放电路根据可控硅调光器的类型采取对应的工作模式；
(3)降低了泄放电路的功耗，提升了LED照明系统的效率。
附图说明
图1显示为本发明的可控硅调光器的检测电路于一实施例中的结构示意图；
图2显示为本发明的可控硅调光器的检测电路于一实施例中的电路示意图；
图3显示为当连接前缘切相可控硅调光器时本发明的可控硅调光器的检测电路的各个节点处的波形示意图；
图4显示为当连接后缘切相可控硅调光器时本发明的可控硅调光器的检测电路的各个节点处的波形示意图；
图5显示为当无连接可控硅调光器时本发明的可控硅调光器的检测电路的各个节点处的波形示意图；
图6显示为本发明的可控硅调光器的检测电路于另一实施例中的结构示意图；
图7显示为本发明的可控硅调光器的检测电路另一实施例中的电路示意图；
图8显示为本发明的可控硅调光器的检测电路于又一实施例中的结构示意图；
图9显示为本发明的可控硅调光器的检测电路又一实施例中的电路示意图；
图10显示为本发明的可控硅调光器的检测芯片于一实施例中的结构示意图；
图11显示为本发明的LED驱动芯片于一实施例中的结构示意图；
图12显示为本发明的可控硅调光器的检测方法于一实施例中的流程图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
本发明的可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、LED驱动芯片及系统能够检测LED照明系统中是否包含有可控硅调光器；当检测到无可控硅调光器时，泄放电路完全关闭；当检测到有可控硅调光器时，泄放电路根据可控硅调光器的类型采取对应的工作模式，从而降低整个LED照明系统的功耗，提升其效率。
本发明的可控硅调光器的检测电路接收反映母线电压的信号，并根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号，从而根据前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号来控制泄放电路的工作状态。
下面通过具体实施例来进一步阐述本发明的可控硅调光器的检测电路的具体结构。
如图1所示，于该实施例中，本发明的可控硅调光器的检测电路1能够同时检测前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号时，所述反映母线电压的信号是经由一分压单元2对检测的母线电压分压处理后获取。其中，所述分压单元2包括串联的第一电阻R1和第二电阻R2，串联的所述第一电阻R1和所述第二电阻R2一端连接在输入交流电经整流后获得的整流电压VBUS上，另一端接地；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的连接点输出所述反映母线电压的信号VTRIAC，其中所述第二电阻R2靠近接地端。优选地，整流电压VBUS由输入交流电压Vac经整流桥U1整流后获取的。在实际应用中，分压单元可以与可控硅调光器的检测电路集成在一颗芯片中，也可以不与可控硅调光器的检测电路集成于一颗芯片。
结合图1与图2，于该实施例中，本发明的可控硅调光器的检测电路1包括：
比较电路10，用于根据所述反映母线电压的信号VTRIAC、所述第一参考电压Vt1和所述第二参考电压Vt2生成第一处理信号CMP10和第二处理信号CMP20。
控制单元11，用于根据所述第一处理信号CMP10和所述第二处理信号CMP20生成前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD和/或后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL。
如图2所示，具体地，所述比较电路10包括第一比较器CMP1和第二比较器CMP2。
所述第一比较器CMP1的正输入端与所述第一参考电压Vt1相连，负输入端连接所述反映母线电压的信号VTRIAC，输出所述第一处理信号CMP10。
所述第二比较器CMP2的正输入端与所述第二参考电压Vt2相连，负输入端接收所述反映母线电压的信号VTRIAC，输出所述第二处理信号CMP20。
具体地，所述控制单元11包括第一控制单元111和第二控制单元112。
所述第一控制单元111包括第一延时电路1111(DEL1)、第一逻辑模块1112、第一计数器1113(CNT1)和第二逻辑模块1114；所述第一延时电路1111对所述第一处理信号CMP10延时，得到延时后的第一处理信号CMP10_D；所述第一逻辑模块1112接收经延时的第一处理信号CMP10_D和所述第二处理信号CMP20，逻辑处理后输出至所述第一计数器1113的低电平有效清零端RB；所述第一计数器1113的时钟输入端C与所述第二逻辑模块1114的输出端相连，输出端与所述第二逻辑模块1114的输入端相连；所述第二逻辑模块1114根据所述第一处理信号CMP10生成前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD。
具体地，所述第一逻辑模块1112包括第一D触发器DFF1，所述第二逻辑模块1114包括第一或门OR1和非门NOT。所述第一D触发器DFF1的触发端C与所述第一延时电路DEL1的输出端相连，输入端D与所述第二比较器CMP2的输出端相连，输出端Q与所述第一计数器CNT1的低电平有效清零端RB相连；第一计数器CNT1的时钟输入端C与第一或门OR1的输出端相连，所述第一计数器CNT1的输出端与所述第一或门OR1的第一输入端相连；所述非门NOT的输入端与所述第一比较器CMP1的输出端相连，输出端与所述第一或门OR1的第二输入端相连；所述第一或门OR1的输出端输出前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD。
所述第二控制单元112包括第二延时电路1121(DEL2)、第三逻辑模块1122、第二计数器1123(CNT2)和第四逻辑模块1124；所述第二延时电路1121对所述第二处理信号CMP20进行延时，得到延时后的第二处理信号CMP20_D；所述第三逻辑模块1122接收经延时的第二处理信号CMP20_D和所述第一处理信号CMP10，逻辑处理后输出至所述第二计数器1123的低电平有效清零端RB；所述第二计数器1123的时钟输入端C与所述第四逻辑模块1124的输出端相连，输出端与所述第四逻辑模块1124的输入端相连；所述第四逻辑模块1124根据所述第一处理信号CMP10生成后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL。
具体地，所述第三逻辑模块1122包括第二D触发器DFF2，所述第四逻辑模块1124包括第二或门OR2。所述第二D触发器DFF2的触发端C与所述第二延时电路DEL2的输出端相连，输入端D与所述第一比较器CMP1的输出端相连，输出端Q与所述第二计数器CNT2的低电平有效清零端RB相连；所述第二或门OR2的第一输入端与所述第二计数器CNT2的输出端相连，第二输入端与所述非门NOT的输出端相连，输出端输出后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL。
在其他实现方式中，第一逻辑模块1112、第二逻辑模块1114、第三逻辑模块1122、第四逻辑模块1124，也可由包含逻辑器件的电路组成，其中，所述逻辑器件包括但不限于：模拟逻辑器件和数字逻辑器件。其中，所述模拟逻辑器件用于处理模拟电信号的器件，其包括但不限于：比较器、与门、或门等；所述数字逻辑器件用于处理由脉冲信号表示数字信号的器件，其包括但不限于：触发器(例如，RS触发器等)、门电路、锁存器、选择器等。
于该实施例中，所述第一延时电路DEL1为上升沿延时单元，其对所述反映母线电压的信号VTRIAC的上升沿产生一定延时；所述第二延时电路DEL2为下降沿延时单元，其对所述反映母线电压的信号VTRIAC的下降沿产生一定延时。当所述第一计数器CNT1计数到第一预设数量时，所述前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD为高电平，所述第一计数器CNT1停止计数。当所述第二计数器CNT2计数到第二预设数量时，所述后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL为高电平，所述第二计数器CNT2停止计数。优选地，所述第一预设数量和第二预设数量均为整数，二者可以相同也可以不同。优选为8-32的整数。
当前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD为低电平，且后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL也为低电平，表明无可控硅调光器连接。
于该实施例中，所述第二参考电压Vt2小于R2/(R1+R2)*sqrt(2)*Vac*sin(θmax)，其中R1和R2分别为所述第一电阻的阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，θmax为可控硅调光器的最大导通角度。所述第一参考电压小于所述第二参考电压。建议第一参考电压为第二参考电压的二分之一。
于本发明一实施例中，所述第一延时电路DEL1和所述第二延时电路DEL2的延时时长相同，均为(arcsin(Vt2*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac)-arcsin(Vt1*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac))/2，其中R1和R2分别为第一电阻阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，Vt1和Vt2分别为第一参考电压和第二参考电压。同时，所述第一延时电路DEL1和所述第二延时电路DEL2的延时时长小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号VTRIAC从所述第一参考电压Vt1上升至所述第二参考电压Vt2的时长；且小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号VTRIAC从所述第二参考电压Vt2下降到所述第一参考电压Vt1的时长。
对于本发明的可控硅调光器的检测电路，当连接前缘切相可控硅调光器时，各节点波形如图3所示。反映母线电压的信号VTRIAC分别与第一参考电压Vt1和第二参考电压Vt2比较。第一处理信号COMP10的上升沿经过延时td后采样第二处理信号CMP20，采样到高电平则认为检测到VTRIAC的上升沿，第一计数器CNT1启动。若连续N1(N1为前述第一预设数量)个工频周期均检测到VTRIAC的上升沿，则认为系统连接有前缘切相可控硅调光器，LEAD信号变高，第一计数器CNT1停止计数。
对于本发明的可控硅调光器的检测电路，当连接后缘切相可控硅调光器时，各节点波形如图4所示。反映母线电压的信号VTRIAC分别与第一参考电压Vt1和第二参考电压Vt2比较。第二处理信号COMP20下降沿经过延时td后采样第一处理信号CMP10，采样到低电平则认为检测到VTRIAC的下降沿，第二计数器CNT2启动。若连续N2(N2为前述第二预设数量)个工频周期均检测到VTRIAC的下降沿，则认为系统连接有后缘切相可控硅调光器，TRAIL信号变高，第二计数器CNT2停止计数。
对于本发明的可控硅调光器的检测电路，当无可控硅调光器连接时，各节点波形如5所示。反映母线电压的信号VTRIAC分别与第一参考电压Vt1和第二参考电压Vt2比较。检测不到VTRIAC上升沿或下降沿，因此LEAD信号和TRAIL信号均保持低电平。
如图6所示，于该实施例中，所述可控硅调光器的检测电路1能够检测前缘切相可控硅调光器检测信号。所述反映母线电压的信号是经由一分压单元2对检测的母线电压分压处理后获取。其中，所述分压单元2包括串联的第一电阻R1和第二电阻R2，串联的所述第一电阻R1和所述第二电阻R2一端连接在输入交流电经整流后获得的整流电压VBUS上，另一端接地；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的连接点输出所述反映母线电压的信号VTRIAC，其中所述第二电阻R2靠近接地端。优选地，整流电压VBUS由输入交流电压Vac经整流桥U1整流后获取的。
于该实施例中，本发明的可控硅调光器的检测电路1包括：
比较电路10，用于根据所述反映母线电压的信号VTRIAC、所述第一参考电压Vt1和所述第二参考电压Vt2生成第一处理信号CMP10和第二处理信号CMP20。
控制单元11，用于根据所述第一处理信号CMP10和所述第二处理信号CMP20生成前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD。
如图7所示，具体地，所述比较电路10包括第一比较器CMP1和第二比较器CMP2。
所述第一比较器CMP1的正输入端与所述第一参考电压Vt1相连，负输入端连接所述反映母线电压的信号VTRIAC，输出所述第一处理信号CMP10。
所述第二比较器CMP2的正输入端与所述第二参考电压Vt2相连，负输入端接收所述反映母线电压的信号VTRIAC，输出所述第二处理信号CMP20。
具体地，所述控制单元11包括第一控制单元111。
所述第一控制单元111包括第一延时电路1111(DEL1)、第一逻辑模块1112、第一计数器1113(CNT1)和第二逻辑模块1114；所述第一延时电路1111对所述第一处理信号CMP10延时，得到延时后的第一处理信号CMP10_D；所述第一逻辑模块1112接收经延时的第一处理信号CMP10_D和所述第二处理信号CMP20，逻辑处理后输出至所述第一计数器1113的低电平有效清零端RB；所述第一计数器1113的时钟输入端C与所述第二逻辑模块1114的输出端相连，输出端与所述第二逻辑模块1114的输入端相连；所述第二逻辑模块1114根据所述第一处理信号CMP10生成前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD。
具体地，所述第一逻辑模块1112包括第一D触发器DFF1，所述第二逻辑模块1114包括第一或门OR1和非门NOT。所述第一D触发器DFF1的触发端C与所述第一延时电路DEL1的输出端相连，输入端D与所述第二比较器CMP2的输出端相连，输出端Q与所述第一计数器CNT1的低电平有效清零端RB相连；第一计数器CNT1的时钟输入端C与第一或门OR1的输出端相连，所述第一计数器CNT1的输出端与所述第一或门OR1的第一输入端相连；所述非门NOT的输入端与所述第一比较器CMP1的输出端相连，输出端与所述第一或门OR1的第二输入端相连；所述第一或门OR1的输出端输出前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD。
在其他实现方式中，第一逻辑模块1112、第二逻辑模块1114也可由包含逻辑器件的电路组成，其中，所述逻辑器件包括但不限于：模拟逻辑器件和数字逻辑器件。其中，所述模拟逻辑器件用于处理模拟电信号的器件，其包括但不限于：比较器、与门、或门等；所述数字逻辑器件用于处理由脉冲信号表示数字信号的器件，其包括但不限于：触发器(例如，RS触发器等)、门电路、锁存器、选择器等。
在该实施例中，所述比较电路和所述控制单元的原理和图1和图2的实施例相同，故在此不再赘述。
如图8所示，于该实施例中，所述可控硅调光器的检测电路1能够检测后缘切相可控硅调光器检测信号。所述反映母线电压的信号是经由一分压单元对检测的母线电压分压处理后获取。其中，所述分压单元2包括串联的第一电阻R1和第二电阻R2，串联的所述第一电阻R1和所述第二电阻R2一端连接在输入交流电经整流后获得的整流电压VBUS上，另一端接地；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的连接点输出所述反映母线电压的信号VTRIAC，其中所述第二电阻R2靠近接地端。优选地，整流电压VBUS由输入交流电压Vac经整流桥U1整流后获取的。
如图9所示，于该实施例中，本发明的可控硅调光器的检测电路1包括：
比较电路10，用于根据所述反映母线电压的信号VTRIAC、所述第一参考电压Vt1和所述第二参考电压Vt2生成第一处理信号CMP10和第二处理信号CMP20。
控制单元11，用于根据所述第一处理信号CMP10和所述第二处理信号CMP20生成后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL。
如图9所示，具体地，所述比较电路10包括第一比较器CMP1和第二比较器CMP2。
所述第一比较器CMP1的正输入端与所述第一参考电压Vt1相连，负输入端连接所述反映母线电压的信号VTRIAC，输出所述第一处理信号CMP10。
所述第二比较器CMP2的正输入端与所述第二参考电压Vt2相连，负输入端接收所述反映母线电压的信号VTRIAC，输出所述第二处理信号CMP20。
具体地，所述控制单元11包括第二控制单元112。
所述第二控制单元112包括第二延时电路1121(DEL2)、第三逻辑模块1122、第二计数器1123(CNT2)和第四逻辑模块1124；所述第二延时电路1121对所述第二处理信号CMP20进行延时，得到延时后的第二处理信号CMP20_D；所述第三逻辑模块1122接收经延时的第二处理信号CMP20_D和所述第一处理信号CMP10，逻辑处理后输出至所述第二计数器1123的低电平有效清零端RB；所述第二计数器1123的时钟输入端C与所述第四逻辑模块1124的输出端相连，输出端与所述第四逻辑模块1124的输入端相连；所述第四逻辑模块1124根据所述第一处理信号CMP10生成后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL。
具体地，所述第三逻辑模块1122包括第二D触发器DFF2，所述第四逻辑模块1124包括第二或门OR2和非门NOT。所述第二D触发器DFF2的触发端C与所述第二延时电路DEL2的输出端相连，输入端D与所述第一比较器CMP1的输出端相连，输出端Q与所述第二计数器CNT2的低电平有效清零端RB相连；所述第二或门OR2的第一输入端与所述第二计数器CNT2的输出端相连，第二输入端与所述非门NOT的输出端相连，输出端输出后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL。
在其他实现方式中，第三逻辑模块1122、第四逻辑模块1124，也可由包含逻辑器件的电路组成，其中，所述逻辑器件包括但不限于：模拟逻辑器件和数字逻辑器件。其中，所述模拟逻辑器件用于处理模拟电信号的器件，其包括但不限于：比较器、与门、或门等；所述数字逻辑器件用于处理由脉冲信号表示数字信号的器件，其包括但不限于：触发器(例如，RS触发器等)、门电路、锁存器、选择器等。
在该实施例中，所述比较电路和所述控制单元的原理和图1与图2的实施例相同，故在此不再赘述。
如图10所示，于一实施例中，本发明的可控硅调光器检测芯片包括上述的可控硅调光器的检测电路。
如图11所示，于一实施例中，本发明的LED驱动芯片，包括上述的可控硅调光器的检测电路。
如图2、图7、图9所示，于一实施例中，本发明的LED驱动系统包括：
整流单元U1，用于将输入交流电进行整流后输出给LED负载。
储能单元Cout，连接于所述LED负载的输入端及输出端。
LED驱动电路，用于向LED负载提供电流。
上述的可控硅调光器的检测电路，用于根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号。
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号或后缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
具体地，当泄放电路检测到所述前缘切相可控硅调光器检测信号为低电平，且后缘切相可控硅调光器检测信号也为低电平时，泄放电路完全关闭；当检测到有所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平或后缘切相可控硅调光器检测信号高电平时，泄放电路根据可控硅调光器的类型采取对应的工作模式，即部分时间开通，以保证可控硅调光器始终处于导通状态。
于另一实施例中，本发明的LED驱动系统包括：
整流单元U1，用于将输入交流电进行整流后输出给LED负载。
储能单元Cout，连接于所述LED负载的输入端及输出端。
上述的LED驱动芯片，用于向LED负载提供电流，并根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号。
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号或后缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
具体地，当泄放电路检测到所述前缘切相可控硅调光器检测信号为低电平，且后缘切相可控硅调光器检测信号也为低电平时，泄放电路完全关闭；当检测到有所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平或后缘切相可控硅调光器检测信号高电平时，泄放电路根据可控硅调光器的类型采取对应的工作模式，即部分时间开通，以保证可控硅调光器始终处于导通状态。
于又一实施例中，本发明的LED驱动系统包括：
整流单元U1，用于将外部交流电进行整流后输出给LED负载。
储能单元Cout，连接于所述LED负载的输入端及输出端。
LED驱动电路，用于向所述LED负载提供电流。
上述的可控硅调光器检测芯片，用于根据反映所述母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号。
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号或后缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
具体地，当泄放电路检测到所述前缘切相可控硅调光器检测信号为低电平，且后缘切相可控硅调光器检测信号也为低电平时，泄放电路完全关闭；当检测到有所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平或后缘切相可控硅调光器检测信号高电平时，泄放电路根据可控硅调光器的类型采取对应的工作模式，即部分时间开通，以保证可控硅调光器始终处于导通状态。
如图12所示，本发明提供一种可控硅调光器的检测方法包括以下步骤：
步骤1、获取反映母线电压的信号。
如图1所示，于该实施例中，所述反映母线电压的信号VTRIAC是经由一分压单元对检测的母线电压分压处理后获取。具体地，串联的第一电阻R1和第二电阻R2一端连接在输入交流电Vac经整流后获得的整流电压VBUS上，另一端接地；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的连接点输出所述反映母线电压的信号VTRIAC。其中，所述第二电阻R2靠近接地端。
步骤2、根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和/或后缘切相可控硅调光器检测信号。
于本发明一实施例中，所述步骤2包括：
根据所述反映母线电压的信号VTRIAC和所述第一参考电压Vt1生成第一处理信号CMP10，并对所述第一处理信号CMP10进行延时，生成延时后的第一处理信号CMP10_D；根据所述反映母线电压的信号VTRIAC和所述第二参考电压Vt2生成第二处理信号CMP20，并对所述第二处理信号进行延时，生成延时后的第二处理信号CMP20_D。
根据所述第一处理信号CMP10、所述第二处理信号CMP20和所述经延时的第一处理信号CMP10_D生成前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD和/或根据所述第一处理信号CMP10、所述第二处理信号CMP20和所述经延时的第二处理信号CMP20_D生成后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL。
具体地，对所述经延时的第一处理信号CMP10_D的上升沿进行计数，当计数达到第一预设数量时，输出前缘切相可控硅调光器检测信号LEAD，停止计数，所述前缘切相可控硅调光器检测信号LEDA为高电平；和/或对所述经延时的第二处理信号CMP20_D的下降沿进行计数，当计数达到第二预设数量时，输出后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL，停止计数，所述后缘切相可控硅调光器检测信号TRAIL为高电平。
于本发明一实施例中，所述第一预设数量和所述第二预设数量为整数，二者可以相同也可以不同。优选为8-32的整数。
于本发明一实施例中，所述第二参考电压Vt2小于R2/(R1+R2)*sqrt(2)*Vac*sin(θmax)，其中R1和R2分别为所述第一电阻的阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，θmax为可控硅调光器的最大导通角度；所述R2靠近接地端。所述第一参考电压Vt1小于所述第二参考电压Vt2。
于本发明一实施例中，所述第一处理信号CMP10的延时时长和所述第二处理信号CMP20的延时时长相同，均为(arcsin(Vt2*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac)-arcsin(Vt1*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac))/2，其中R1和R2分别为第一电阻阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，Vt1和Vt2分别为第一参考电压和第二参考电压，所述R2靠近接地端。同时，所述第一处理信号CMP10的延时时长和所述第二处理信号CMP20的延时时长小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号VTRIAC从所述第一参考电压Vt1上升至所述第二参考电压Vt2的时长；且小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号VTRIAC从所述第二参考电压Vt2下降到所述第一参考电压Vt1的时长。
综上所述，本发明的可控硅调光器的检测电路、芯片及方法、LED驱动芯片及系统能够检测LED照明系统中是否包含有可控硅调光器，以确定泄放电路的工作状态；当检测到无可控硅调光器时，泄放电路完全关闭；当检测到有可控硅调光器时，泄放电路根据可控硅调光器的类型采取对应的工作模式；降低了泄放电路的功耗，提升了LED照明系统的效率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (31)

1.一种可控硅调光器的检测电路，其特征在于：接收反映母线电压的信号，并根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号，根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号控制泄放电路的导通或关断；其中，所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号的信号类型包括低电平和高电平，当所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号中至少有一个为高电平信号时，控制泄放电路在部分时间导通，否则控制泄放电路关断；或者，
根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号，根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号控制泄放电路的导通或关断；其中，所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平信号时，控制泄放电路在部分时间导通，否则控制泄放电路关断。
2.根据权利要求1所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述反映母线电压的信号是经由一分压单元对检测的母线电压分压处理后获取。
3.根据权利要求1所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：包括：
比较电路，用于根据所述反映母线电压的信号、所述第一参考电压和所述第二参考电压生成第一处理信号和第二处理信号；
控制单元，用于根据所述第一处理信号和所述第二处理信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号。
4.根据权利要求3所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述比较电路包括第一比较器和第二比较器；
所述第一比较器的正输入端与所述第一参考电压相连，负输入端连接所述反映母线电压的信号，输出所述第一处理信号；
所述第二比较器的正输入端与所述第二参考电压相连，负输入端接收所述反映母线电压的信号，输出所述第二处理信号。
5.根据权利要求4所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述控制单元包括第一控制单元；
所述第一控制单元包括第一延时电路、第一逻辑模块、第一计数器和第二逻辑模块；所述第一延时电路对所述第一处理信号延时；所述第一逻辑模块接收经延时的第一处理信号和所述第二处理信号，逻辑处理后输出至所述第一计数器的低电平有效清零端；所述第一计数器的时钟输入端与所述第二逻辑模块的输出端相连，输出端与所述第二逻辑模块的输入端相连；所述第二逻辑模块生成前缘切相可控硅调光器检测信号。
6.根据权利要求5所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述控制单元包括第二控制单元；
所述第二控制单元包括第二延时电路、第三逻辑模块、第二计数器和第四逻辑模块；所述第二延时电路对所述第二处理信号进行延时；所述第三逻辑模块接收经延时的第二处理信号和所述第一处理信号，逻辑处理后输出至所述第二计数器的低电平有效清零端；所述第二计数器的时钟输入端与所述第四逻辑模块的输出端相连，输出端与所述第四逻辑模块的输入端相连；所述第四逻辑模块生成后缘切相可控硅调光器检测信号。
7.根据权利要求5所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述第一逻辑模块包括第一D触发器，所述第二逻辑模块包括第一或门和非门；
所述第一D触发器的触发端C与所述第一延时电路的输出端相连，输入端D与所述第二比较器的输出端相连，输出端Q与所述第一计数器的低电平有效清零端相连；所述第一计数器的输出端与所述第一或门的第一输入端相连；所述非门的输入端与所述第一比较器的输出端相连，输出端与所述第一或门的第二输入端相连；所述第一或门的输出端输出前缘切相可控硅调光器检测信号。
8.根据权利要求6所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述第三逻辑模块包括第二D触发器，所述第四逻辑模块包括第二或门和非门；
所述第二D触发器的触发端C与所述第二延时电路的输出端相连，输入端D与所述第一比较器的输出端相连，输出端Q与所述第二计数器的低电平有效清零端相连；所述非门的输入端与所述第一比较器的输出端相连；所述第二或门的第一输入端与所述第二计数器的输出端相连，第二输入端与所述非门的输出端相连，输出端输出后缘切相可控硅调光器检测信号。
9.根据权利要求5所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：当所述第一计数器计数到第一预设数量时，所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平，停止计数。
10.根据权利要求6所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：当所述第二计数器计数到第二预设数量时，所述后缘切相可控硅调光器检测信号为高电平，停止计数。
11.根据权利要求6所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：反映母线电压的信号是经由一分压单元对检测的母线电压分压处理后获取，所述分压单元包括串联的第一电阻和第二电阻，串联的所述第一电阻和所述第二电阻一端连接在输入交流电经整流后获得的整流电压上，另一端接地；所述第一电阻和所述第二电阻的连接点输出所述反映母线电压的信号。
12.根据权利要求11所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述第二参考电压小于R2/(R1+R2)*sqrt(2)*Vac*sin(θmax)，其中R1和R2分别为所述第一电阻的阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，θmax为可控硅调光器的最大导通角度；所述R2靠近接地端。
13.根据权利要求12所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述第一参考电压小于所述第二参考电压。
14.根据权利要求11所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述第一延时电路和所述第二延时电路的延时时长相同，均为(arcsin(Vt2*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac)-arcsin(Vt1*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac))/2，其中R1和R2分别为第一电阻阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，Vt1和Vt2分别为第一参考电压和第二参考电压，所述R2靠近接地端。
15.根据权利要求11所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述第一延时电路和所述第二延时电路的延时时长小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号从所述第一参考电压上升至所述第二参考电压的时长；且小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号从所述第二参考电压下降到所述第一参考电压的时长。
16.根据权利要求11所述的可控硅调光器的检测电路，其特征在于：所述第一延时电路为上升沿延时单元，其对所述反映母线电压的信号的上升沿产生一定延时；所述第二延时电路为下降沿延时单元，其对所述反映母线电压的信号的下降沿产生一定延时。
17.一种可控硅调光器检测芯片，其特征在于：包括权利要求1-16之一所述的可控硅调光器的检测电路。
18.一种LED驱动芯片，其特征在于：包括权利要求1-16之一所述的可控硅调光器的检测电路。
19.一种LED驱动系统，其特征在于：包括：
整流单元，用于将输入交流电进行整流后输出给LED负载；
储能单元，连接于所述LED负载的输入端及输出端；
LED驱动电路，用于向LED负载提供电流；
权利要求1-16之一所述的可控硅调光器的检测电路，用于根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号，或者根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号；
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号，或者根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
20.一种LED驱动系统，其特征在于：包括：
整流单元，用于将输入交流电进行整流后输出给LED负载；
储能单元，连接于所述LED负载的输入端及输出端；
权利要求18所述的LED驱动芯片，用于向LED负载提供电流，并根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号，或者根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号；
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号，或者根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
21.一种LED驱动系统，其特征在于：包括：
整流单元，用于将外部交流电进行整流后输出给LED负载；
储能单元，连接于所述LED负载的输入端及输出端；
LED驱动电路，用于向所述LED负载提供电流；
权利要求17所述的可控硅调光器检测芯片，用于根据反映所述母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号，或者根据所述反映母线电压的信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号；
泄放电路，用于根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号，或者根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号导通或关断。
22.一种可控硅调光器的检测方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1、获取反映母线电压的信号；
步骤2、根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号；
步骤3、根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号控制泄放电路的导通或关断；其中，所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号的信号类型包括低电平和高电平，当所述前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号中至少有一个为高电平信号时，控制泄放电路在部分时间导通，否则控制泄放电路关断；或者，
步骤1、获取反映母线电压的信号；
步骤2、根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号；
步骤3、根据所述前缘切相可控硅调光器检测信号控制泄放电路的导通或关断；其中，所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平信号时，控制泄放电路在部分时间导通，否则控制泄放电路关断。
23.根据权利要求22所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：所述反映母线电压的信号是经由一分压单元对检测的母线电压分压处理后获取。
24.根据权利要求22所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号的步骤包括：
根据所述反映母线电压的信号和所述第一参考电压生成第一处理信号，并对所述第一处理信号进行延时；根据所述反映母线电压的信号和所述第二参考电压生成第二处理信号，并对所述第二处理信号进行延时；
根据所述第一处理信号、所述第二处理信号和经延时的第一处理信号生成前缘切相可控硅调光器检测信号和根据所述第一处理信号、所述第二处理信号和经延时的第二处理信号生成后缘切相可控硅调光器检测信号。
25.根据权利要求24所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：根据所述反映母线电压的信号、第一参考电压和第二参考电压生成前缘切相可控硅调光器检测信号和后缘切相可控硅调光器检测信号的步骤包括：
对所述经延时的第一处理信号的上升沿进行计数，当计数达到第一预设数量时，输出前缘切相可控硅调光器检测信号，停止计数，所述前缘切相可控硅调光器检测信号为高电平；和对所述经延时的第二处理信号的下降沿进行计数，当计数达到第二预设数量时，输出后缘切相可控硅调光器检测信号，停止计数，所述后缘切相可控硅调光器检测信号为高电平。
26.根据权利要求25所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：所述第一预设数量和所述第二预设数量为整数。
27.根据权利要求24所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：步骤1包括：串联的第一电阻和第二电阻一端连接在输入交流电经整流后获得的整流电压上，另一端接地；所述第一电阻和所述第二电阻的连接点输出所述反映母线电压的信号。
28.根据权利要求27所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：所述第二参考电压小于R2/(R1+R2)*sqrt(2)*Vac*sin(θmax)，其中R1和R2分别为所述第一电阻的阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，θmax为可控硅调光器的最大导通角度；所述R2靠近接地端。
29.根据权利要求28所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：所述第一参考电压小于所述第二参考电压。
30.根据权利要求27所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：所述第一处理信号的延时时长和所述第二处理信号的延时时长相同，均为(arcsin(Vt2*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac)-arcsin(Vt1*(R1+R2)/R2/sqrt(2)/Vac))/2，其中R1和R2分别为第一电阻阻值和第二电阻阻值，Vac为输入交流电压，Vt1和Vt2分别为第一参考电压和第二参考电压，所述R2靠近接地端。
31.根据权利要求27所述的可控硅调光器的检测方法，其特征在于：所述第一处理信号的延时时长和所述第二处理信号的延时时长小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号从所述第一参考电压上升至所述第二参考电压的时长；且小于无可控硅调光器时所述反映母线电压的信号从所述第二参考电压下降到所述第一参考电压的时长。
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