CN105719829B - 一种三线制lvdt的绕线工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种三线制LVDT的绕线工艺，所述工艺步骤如下：第一步：次级Ⅰ绕线、第二步：次级Ⅱ绕线、第三步：左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。本发明的有益效果是：本发明不用初级线圈，仅用次级按等差级数排列，两组线圈串接，线性度为0.2％，温度系数为0.014/F.S/℃，按照本发明的技术方案制成的产品既具备了TD‑1系列产品较短的外形尺寸，也同时保证了线性度达到国家标准。
Description
技术领域
本发明涉及位移传感器技术领域，具体涉及一种三线制LVDT的绕线工艺。
背景技术
位移传感器又称为线性传感器，是一种属于金属感应的线性器件，传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量。常见的有三线制LVRT GE、肋板式三线制LVDT，但是这两种类型的唯一传感器由于磁场不均匀，外形尺寸都很长，如日本LS系列的产品，其外形与美国GE产品一样，例如日本LS-300的外形尺寸为φ32x686mm，美国GE-6(LVRT)的外形尺寸为φ32x685.8mm(即27英寸)，线性度可达0.2％，但温度系数为0.03％/F.S/℃。又如层绕式三线制LVDT，无锡市河埒传感器有限公司TD-1系列产品线性度为0.5％，温度系数0.03％/F.S/℃，外形尺寸则相对较短。因此迫切需求一种既具有较短的外形尺寸，也同时拥有较小线性度的三线制LVDT的绕线工艺，以满足使用需求。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的不足，本发明提出一种三线制LVDT的绕线工艺。
一种三线制LVDT的绕线工艺，所述工艺步骤如下：
第一步：次级Ⅰ绕线：
绕线从中点即230mm处开始，次级Ⅰ向右密绕2层，每层662.8圈，间距为0.346mm；
第3层为间绕A，密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕A；
第4层间绕A，拉出一根引出线，与左半边第5层开始线在外部连接；
第二步：次级Ⅱ绕线：
次级Ⅱ从中点向左密绕2层，每层662.8圈，间距0.346mm；
第3层为密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕B；
第4层间绕B，接下去绕右半边第5层，密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕B；
第6层间绕B，结束为次级Ⅱ尾；
左半边从第5层中点开始，向左密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕A；
第6层间绕A，结束为次级Ⅰ尾；
第三步：左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。
本发明的有益效果是：本发明不用初级线圈，仅用次级按等差级数排列，两组线圈串接，线性度为0.2％，温度系数为0.014/F.S/℃，按照本发明的技术方案制成的产品既具备了TD-1系列产品较短的外形尺寸，也同时保证了线性度达到国家标准。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为本发明的绕线示意图；
图2为本发明的间绕A的绕线示意图；
图3为本发明的间绕B的绕线示意图；。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面对本发明进一步阐述。
如图1至图3所示，一种三线制LVDT的绕线工艺，所述工艺步骤如下：
第一步：次级Ⅰ绕线：
绕线从中点即230mm处开始，次级Ⅰ向右密绕2层，每层662.8圈，间距为0.346mm，绕线方向如图1箭头所示；
第3层为间绕A，密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕A见图2；
第4层间绕A，拉出一根引出线，与左半边第5层开始线在外部连接；
第二步：次级Ⅱ绕线：
次级Ⅱ从中点向左密绕2层，每层662.8圈，间距0.346mm，方向如图1箭头所示；
第3层为密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕B，见图3；
第4层间绕B，接下去绕右半边第5层，密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕B；
第6层间绕B，结束为次级Ⅱ尾；
左半边从第5层中点开始，向左密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕A；
第6层间绕A，结束为次级Ⅰ尾；
第三步：左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。
采用本发明的技术方案，制成的产品应用于汽轮机行业，在具备外形尺寸较小的条件下，能够达到日本LS系列的产品的0.2％的线性度，温度系数可达0.014/F.S/℃，弥补了日本LS系列的产品外形尺寸都很长的不足。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (2)
1.一种三线制LVDT的绕线工艺，其特征在于：所述工艺步骤如下：
第一步：次级Ⅰ绕线：
绕线从中点即230mm处开始，次级Ⅰ向右密绕2层，每层662.8圈；
第3层为间绕A，密绕331.4圈，间绕A；
第4层间绕A，拉出一根引出线，与左半边第5层开始线在外部连接；
第二步：次级Ⅱ绕线：
次级Ⅱ从中点向左密绕2层，每层662.8圈；
第3层为密绕331.4圈，间绕B；
第4层间绕B，接下去绕右半边第5层，密绕331.4圈，间绕B；
第6层间绕B，结束为次级Ⅱ尾；
左半边从第5层中点开始，向左密绕331.4圈，间绕A；
第6层间绕A，结束为次级Ⅰ尾；
第三步：左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。
2.根据权利要求1所述的一种三线制LVDT的绕线工艺，其特征在于：第一步至第三步中的绕线间距均为0.346mm。
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