Abstrak Detektor Ultraviolet telah dibuat dari film tipis GaN dengan struktur fotokonduktor Al-Ga... more Abstrak Detektor Ultraviolet telah dibuat dari film tipis GaN dengan struktur fotokonduktor Al-GaN-Al. Dari hasil karakterisasi I-V pada sampel fotokonduktor untuk kondisi penyinaran diperoleh peningkatan konsentrasi elektron 4,6 x 10 18 cm-3 dengan fotokonduktivitas 59,9 Ω-1 cm-1 , sedangkan pada kondisi gelap konduktivitasnya sekitar 45,7 Ω-1 cm-1 , berarti terdapat peningkatan konduktivitas pada sampel fotokonduktor sekitar 14,2 Ω-1 cm-1 akibat penyinaran dengan energi foton 3,4 eV. Dari kurva I-V tersebut juga diperoleh resistansi kontak sekitar 0,26 Ω.cm 2 dengan tinggi penghalang antara aluminum dengan GaN adalah sekitar 0,44 eV pada kondisi gelap, sedangkan pada kondisi penyinaran tinggi penghalang mengalami penurunan yaitu 0,43 eV. Resistansi kontak yang rendah tersebut menunjukkan bahwa kontak aluminum memiliki karakteristik kontak ohmik pada semikonduktor GaN tipe-n. Hasil pengukuran responsivitas pada sampel fotokonduktor, menunjukkan bahwa sampel cukup peka terhadap sinar dengan panjang gelombang antara 345 nm sampai 365 nm yang masih dalam rentang panjang gelombang ultraviolet. Sedangkan untuk panjang gelombang lebih besar dari 365 nm, respon arus pada sampel mengalami penurunan secara tajam. Hal ini menggambarkan bahwa sampel memiliki panjang gelombang pancung (cutoff wavelength) λ c sekitar 365 nm. Abstact The ultraviolet photoconductors (Al-GaN-Al) have been fabricated using GaN thin film. I-V characterization on photoconductor samples under irradiating condition showed that electron concentration and photoconductivity were around 4.65 x 10 18 cm-3 and 59.9 Ω-1 cm-1 , respectively. While at dark condition, the conductivity was around 45.7 Ω-1 cm-1. There was an increase of conductivity around 14.2 Ω-1 cm-1 resulting from irradiation with photon energy of 3.4 eV. It was also observed that the contact resistance was around 0.26 Ω.cm 2 with barrier height of 0.44 eV at a dark condition, while at irradiation condition, the barrier height was slightly reduced down to 0.43 eV. The value of contact resistance indicates that Al contact show ohmic contact of GaN semiconductors. The spectral responses of photoconductor samples have the current responsivity which increase at λ> 310 nm and remain nearly constant from 347 nm to 365 nm. While for wavelength higher than 365 nm, the current responsivity of photoconductor samples were reduced significantly. This depicts that samples have cutoff wavelength (λ c) of around 365 nm.
Abstrak Detektor Ultraviolet telah dibuat dari film tipis GaN dengan struktur fotokonduktor Al-Ga... more Abstrak Detektor Ultraviolet telah dibuat dari film tipis GaN dengan struktur fotokonduktor Al-GaN-Al. Dari hasil karakterisasi I-V pada sampel fotokonduktor untuk kondisi penyinaran diperoleh peningkatan konsentrasi elektron 4,6 x 10 18 cm-3 dengan fotokonduktivitas 59,9 Ω-1 cm-1 , sedangkan pada kondisi gelap konduktivitasnya sekitar 45,7 Ω-1 cm-1 , berarti terdapat peningkatan konduktivitas pada sampel fotokonduktor sekitar 14,2 Ω-1 cm-1 akibat penyinaran dengan energi foton 3,4 eV. Dari kurva I-V tersebut juga diperoleh resistansi kontak sekitar 0,26 Ω.cm 2 dengan tinggi penghalang antara aluminum dengan GaN adalah sekitar 0,44 eV pada kondisi gelap, sedangkan pada kondisi penyinaran tinggi penghalang mengalami penurunan yaitu 0,43 eV. Resistansi kontak yang rendah tersebut menunjukkan bahwa kontak aluminum memiliki karakteristik kontak ohmik pada semikonduktor GaN tipe-n. Hasil pengukuran responsivitas pada sampel fotokonduktor, menunjukkan bahwa sampel cukup peka terhadap sinar dengan panjang gelombang antara 345 nm sampai 365 nm yang masih dalam rentang panjang gelombang ultraviolet. Sedangkan untuk panjang gelombang lebih besar dari 365 nm, respon arus pada sampel mengalami penurunan secara tajam. Hal ini menggambarkan bahwa sampel memiliki panjang gelombang pancung (cutoff wavelength) λ c sekitar 365 nm. Abstact The ultraviolet photoconductors (Al-GaN-Al) have been fabricated using GaN thin film. I-V characterization on photoconductor samples under irradiating condition showed that electron concentration and photoconductivity were around 4.65 x 10 18 cm-3 and 59.9 Ω-1 cm-1 , respectively. While at dark condition, the conductivity was around 45.7 Ω-1 cm-1. There was an increase of conductivity around 14.2 Ω-1 cm-1 resulting from irradiation with photon energy of 3.4 eV. It was also observed that the contact resistance was around 0.26 Ω.cm 2 with barrier height of 0.44 eV at a dark condition, while at irradiation condition, the barrier height was slightly reduced down to 0.43 eV. The value of contact resistance indicates that Al contact show ohmic contact of GaN semiconductors. The spectral responses of photoconductor samples have the current responsivity which increase at λ> 310 nm and remain nearly constant from 347 nm to 365 nm. While for wavelength higher than 365 nm, the current responsivity of photoconductor samples were reduced significantly. This depicts that samples have cutoff wavelength (λ c) of around 365 nm.
Uploads
Papers