T.P. N°...

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE d- Caractéristique de sortie IC ( VCE ) :

En jouant sur l'alimentation E2, faire varier VCE en maintenant le courant IB = 1 mA (on maintient le courant de
I INTRODUCTION : base IB en jouant avec l'alimentation E1).
Un transistor bipolaire est un semi-conducteur comportant deux jonctions PN. Suivant l'orientation de
ces jonction, on obtient soit un transistor NPN ou PNP. Relever dans un tableau les grandeurs IC ( VCE ) pour IB = 1 mA.
C
Sur les schémas, on repère les différentes parties : C
B
Même travail pour IB = 0,5 mA.
B
la lettre E pour l'émetteur. Tracer les courbes IC ( VCE ) pour les deux valeurs de IB.
la lettre B pour la base. E E
la lettre C pour le collecteur. Transistor Transistor III EXPLOITATION DES CARACTÉRISTIQUES :
On ajoute une flèche sur l'émetteur pour indiquer le sens passant de la NPN PNP a- Droite de charge :
jonction base-émetteur. Établir la relation entre VCE, RC, IC et E2.
La courbe d'équation IC ( VCE ) s'appelle la droite de charge du transistor. Tracer cette courbe sur
Pour ce T.P. , on utilisera un transistor NPN BC237B qui a pour caractéristiques : le graphique IC ( VCE ).
PMAX = 350 mW ; IC MAX = 100 mA ; VCE MAX = 45 V. En déduire le point de fonctionnement.

Remarque : Les caractéristiques sont sensibles à la température du boitier ; lorsque chaque série de b- Conclusion :
mesures sera terminée, vous mettrez hors-tension le montage.
En régime linéaire, le transistor a pour équations :
II ENSEMBLE DES CARACTÉRISTIQUES :
a- Montage : Relation entre les intensités :

RC E1 , E2 : générateur de tension Relation entre IC et IB :

IC continue.
C RB = 5 kΩ ;
IV EXERCICE : RC
RB RC = 100 Ω . Caractéristiques du transistor :
IB B IC β = 100
VCE
C
E2 Matériel : VBE = 0,6 V pour IB > 0
VBE 2 ampèremètres ; RB
E IB
E1 1 voltmètre ; B VCE
IE 2 alimentations stabilisées.
VC
VBE
VBB E C

IE
b- Caractéristique d'entrée IB ( VBE ) :

Régler la tension E2 = 5 V . La tension E1 varie de 0 à 20 V.

1- Tracer :
Manipulation : Faire varier la tension E1 de 0 à 20 V et relever dans un tableau les valeurs de IB et de VBE.
La caractéristique IB ( VBE ) du transistor.
Tracer la courbe IB ( VBE ) et en déduire à quel composant on peut comparer la jonction BASE-EMETTEUR . Les caractéristiques IC ( VCE ) pour IB = 2 mA ; 4 mA ; 6 mA ; 8 mA. On se limite à VCE = 60 V.

c- Caractéristique de transfert en courant IC ( IB ) à VCE constant : 2- Tracer la droite de charge statique du t

En jouant sur l'alimentation E1 (max : 7 V), faire varier IB entre tout en maintenant VCE = 3 V ransistor IC (VCE ) sachant que VCC = 40,0 V et RC = 80 Ω.

Manipulation : Régler la tension E1 = 0 V et régler E2 jusqu'à ce que la tension VCE = 3 V. Ensuite, augmenter 3- RB = 470 Ω.
progressivement la tension E1 et ajuster la tension E2 jusqu'à ce que VCE = 3 V et relever les grandeurs IC et IB Quelle valeur faut-il donner à VBB pour placer le point de fonctionnement du transistor au milieu de la
dans un tableau. droite de charge statique.

Tracer la courbe IC ( IB ) et en déduire le coefficient d'amplification de courant β pour la partie linéaire de la

caractéristique. Comparer cette valeur à celle donnée par le constructeur (DC current gain).

Y.MOREL Le transistor bipolaire Page 1/2 Y.MOREL Le transistor bipolaire Page 2/2