Jean-Pascal Duchemin

Jean-Pascal Duchemin est un chimiste, ingénieur et scientifique français né le 9 août 1945.

Jean-Pascal Duchemin

Biographie

Naissance	9 août 1945
Nationalité	française
Activités	Ingénieur, chimiste, physicien

Biographie

Formation

Jean-Pascal Duchemin est diplômé de l'École nationale supérieure de chimie de Caen et titulaire d'un doctorat d’État.

Carrière professionnelle

Jean-Pascal Duchemin a commencé ses travaux de recherche au sein du Laboratoire central de recherches de Thomson-CSF en 1970. L'année suivante il accompagne la création du département Microélectronique hyperfréquence en tant que responsable de l'épitaxie du silicium. Il prépare en même temps une thèse de doctorat d'État sur son temps de loisir qu'il soutient en 1976. Il revient une première fois au Laboratoire central en 1978 pour y créer le laboratoire d'épitaxie en phase gazeuse ; puis en 1980 il est y nommé responsable d'un groupe de laboratoires dans lequel travaille notamment la scientifique Manijeh Razeghi.

En 1987, il accompagne un transfert de technologie puis est nommé responsable du Front-end (en) des composants opto-électroniques à la division hybrides micro-ondes de Thomson-CSF. En 1988, il est nommé directeur des opérations du département Arséniure de gallium au sein de la filiale Thomson Hybrides et Micro-ondes.

Il revient une seconde fois au Laboratoire central de recherches de Thomson-CSF, renommé Thales Research and Technology et situé depuis 2005 sur le site de l’École polytechnique à Palaiseau.

Il prend sa retraite en avril 2007 à l'issue de sa dernière conférence, donnée en mars 2007 au Conservatoire national des arts et métiers dans le cadre des journées scientifiques de l'Union radio-scientifique internationale, conférence qui clôturait le congrès annuel.

Jean-Pascal Duchemin œuvre au sein de plusieurs organismes pour le développement de la culture scientifique, compte tenu de son « immense passion pour la science » : il est notamment membre du conseil scientifique de Scientipole Savoirs et Société, le pôle de diffusion de la culture scientifique de l'Île-de-France Sud créé à l'initiative de la Communauté d'agglomération du plateau de Saclay (CAPS), membre de l'Association française pour l'avancement des sciences ou encore de la Société d'encouragement pour l'industrie nationale.

Distinctions

En 1987, il est lauréat du grand prix « Général Ferrié » de l'électronique, prix récompensant un scientifique dont le travail contribue aux progrès de la radioélectricité.

En 2014, il est l'un des huit membres du comité d'attribution de ce « Grand prix ».

Sujet de recherche et publications

Les travaux de recherche de Jean-Pascal Duchemin portent principalement sur l'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), et sur la technologie des matériaux et des composants III-V pour les applications optoélectroniques et hyperfréquences. (III-V compound semiconductors optoelectronic and microwave applications).

Après les travaux d'Harold M. Manasevit (en) sur l'épitaxie MOCVD, Jean-Pascal Duchemin a montré en 1977 qu'un réacteur industriel de grande capacité devait nécessairement fonctionner en dessous de la pression atmosphérique à une pression voisine de un dixième d'atmosphère. Dans la décennie qui a suivi, lui et ses collègues ont alors appelé cette technologie dans leurs nombreuses publications, LPMOCVD pour Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition. Par la suite, quand l'emploi de la pression réduite s'est imposé, cette technologie s'est appelée à nouveau : MOCVD. Actuellement la fabrication d'un grand nombre de composants pour télécommunications sur fibres optiques ou hyperfréquences ainsi que la fabrication des LED utilisent le procédé MOCVD sous pression réduite pour la préparation des couches minces épitaxiées.

Il est l'auteur de plusieurs brevets publiés entre 1978 et 2002 et d'un grand nombre d'articles durant vingt-cinq ans.

Liste des publications

J.P. DUCHEMIN : Étude des processus de dépôt du silicium en phase gazeuse, Revue Thomson-CSF, Vol 9, n^o 1, mars 1977

J.P. DUCHEMIN : Étude cinétique de l'incorporation d'impuretés durant la croissance épitaxiale du silicium, Revue Thomson-CSF Vol. 9, n^o 2, Juin 1977

J.P. DUCHEMIN, M. BONNET et D. HUYGHE : Une nouvelle technique de croissance de couches ultraminces d'arséniure de gallium par cracking de composés organométalliques sous pression réduite, Revue Thomson-CSF, Vol 9, N^o 4, décembre 1977

J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, F. KOELSH and D. HUYGHE : A new method of growing Silicon by low pressure epitaxy - J. Electrochemical. Soc., 125, 637 (1978)

J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, F. KOELSCH and D. HUYGHE : A new method of growing GaAs epilayers by low pressure MOCVD - J. Electrochemical. Soc. 126 - 1134 (1978)

J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, F. KOELSCH and D. HUYGHE : A new method of growing thin GaAs epilayers - J. Cryst. Growth 45 - p. 181 (1978)

J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, F. KOELSCH and D. HUYGHE : A new method for growing GaAs epilayers by low pressure organometallics - Journal of the Electrochemical. Society, Vol 126 n^o 7 - (juillet 1979)

J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, G. BEUCHET and F. KOELSCH : Growth of device quality InP epilayers by low pressure MOCVD. In Proc 7 th Intern. Symp. on GaAs and related Compounds St. Louis 1978, Inst. Phys. Conf. Ser.45, Inst. Physics London 1979 p. 10.

J.P. HIRTZ, BUI DINH-VUONG, J.P. DUCHEMIN, P. HIRTZ, B. de CREMOUX, R. BISERO and P. MERANDA - LCR M. BONNET, E. DUDA, G. MESQUIDA, and J.C. CARBALLES - D.M.H. : A low beam divergence Cw (GaAlAs) double heterostructure laser grown by low-pressure metallorganic chemical vapour deposition process - Applied Physics Letters Vol. N^o 36, Number 10, p. 795–796, mai 1980

J.P. HIRTZ, J.P. DUCHEMIN, P. HIRTZ, B. de CREMOUX, T. PEARSAL and M. BONNET : The first low pressure M.O.C.V.D. grown laser operating at 1.15 microns - Électron. Letters 16 (1980) 275

M. RAZEGHI, J.P. HIRTZ, P. HIRTZ, J.P. LARIVAIN, R. BLONDEAU, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : Room temperature CW operation of GaInAsP-InP DH diode lasers emitting at 1.23 microns grown by LP-MOCVD - Electronics Letters, 17, 597 - 598 (1981)

M. RAZEGHI, P. HIRTZ, J.P. LARIVAIN, R. BLONDEAU, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : 1.5 microns room-temperature pulsed operation of GaInAsP DH grown by LP-MOCVD - Electronics Letters, 17, 643 - 644 (1981)

J.P. DUCHEMIN, M. RAZEGHI, J.P. HIRTZ, M. BONNET : The LP-MOCVD growth of InP and GaInAsP alloys - Inst. Phys. Conf. Ser., 63, 89-93 (1981)

J.P. DUCHEMIN, J.P. HIRTZ, M. RAZEGHI, M. BONNET, S. HERSEE : GaInAs and GaInAsP materials grown by LP-MOCVD for microwave and optoelectronic applications - J. Crystal Growth, 55, 64-73 (1981)

J.P. HIRTZ, J.P. LARIVAIN, D. LEGUEN, M. RAZEGHI, J.P. DUCHEMIN : LP-MOCVD of GaInAsP on InP substrates - Inst. Phys. Conf. Ser., 56, Chapter 1, 29-35 (1981)

J.P. HIRTZ, M. RAZEGHI, J.P. LARIVAIN, S. HERSEE, J.P. DUCHEMIN : Low threshold GaInAsP-InP lasers with good temperature dependence grown by LP-MOCVD - J. Electronic Letters, 17, 3, 113-115 (1981)

J.P. DUCHEMIN : Low pressure CVD of III-V compounds Journal of Vacuum Science and Technology, Vol. 8, Number 3, avril 1981, p. 753–755.

S.D. HERSEE, M.A. di FORTE-POISSON, M. BALDY and J.P. DUCHEMIN : A new approach to the gettering of oxygen during the growth of GaAlAs by Low-Pressure MOCVD - Journal of Crystal Growth 55 p. 53–57 (1981)

J.P. DUCHEMIN, J.P. HIRTZ, M. RAZEGHI, M. BONNET and S. HERSEE: GaInAs and GaInAsP materials grown by low pressure MOCVD for microwave and optoelectronic applications - Vol. 55, N^o 1, October 1981, p. 64–73

M. RAZEGHI, M.A. POISSON, P. HIRTZ, B. de CREMOUX, and J.P. DUCHEMIN : GaInAs-InP superlattice grown by LP-MOCVD - 23-25 June EMC 1982 U.S.A. COLORADO

M. RAZEGHI, M.A. POISSON, J.P. LARIVAIN, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : TEG in LP-MOCVD Ga 0.47 In 0.53 As-InP supperlattice - Electronics Letters, 18, 339-340, (1982)

M. RAZEGHI, P. HIRTZ, R. BLONDEAU, J.P. LARIVAIN, L. NOEL, B. De CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : Room temperature CW operation of GaInAsP DH diode lasers emitting at 1.5 microns grown by LP-MOCVD - Electronics Letters, 18, 132-133 (1982)

J.P. HIRTZ, M. RAZEGHI, M. BONNET, J.P. DUCHEMIN : GaInAs/InP and GaInAsP/InP DH grown by LP-MOCVD GaInAsP alloy semiconductors, 61-85, chapter 3, (1982) - Edited by T.P. PEARSAL, John WILEY & SONS, New York

J.P. DUCHEMIN, B. de CREMOUX, and N.T. LINH : Croissance des matériaux pour opto-électronique - Revue technique Thomson-CSF, Vol.14, n°2 juin 1982

M. BONNET, N. VISENTIN, B. GOUTERAUX, B. LENT, J.P. DUCHEMIN : Homogeneity of LEC semi-insulating GaAs wafers for IC applications - GaAs Ic Symposium, New-Orleans (1982)

B. LENT, M. BONNET, N. VISENTIN, J.P. DUCHEMIN : The growth of semi-insulating gallium arsenide by the LEC process - Microelectronics Journal Vol. 13, N^o 1, p. 5 (1982)

M. RAZEGHI and J.P. DUCHEMIN : Low pressure MOCVD growth of Ga 0.47 In 0.53 As - InP heterojonction and super-lattices - J. Vacuum Science Technology B1, 262, (1983)

M. RAZEGHI, M.A. POISSON, J.P. LARIVAIN, J.P. DUCHEMIN : LP-MOCVD of InP and related compounds - J. of Electronic Materials 12, 371-395, (1983)

M. RAZEGHI, P. HIRTZ, R. BLONDEAU, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : Aging test of MOCVD shallow proton stripe GaInAsP - InP DH laser diode emitting at 1.5 microns - Electronic Letters, 19, 481-483, (1983)

M. RAZEGHI, S. HERSEE, P. HIRTZ, R. BLONDEAU, and J.P. DUCHEMIN : Very low threshold GaInAsP-InP, DH lasers grown by LP-MOCVD - Electronic Letters 19, 336-337, (1983)

J.P. DUCHEMIN, S. HERSEE, M. RAZEGHI, and M.A. POISSON : Metal organic chemical vapour deposition - Summer school Sicilia Italy (1983)

M.A. di FORTE-POISSON, M. RAZEGHI, and J.P. DUCHEMIN : MOCVD of undoped In 1-x Al x As on InP - J. Appl. Phys. 54, 7187-7189 (1983)

M. RAZEGHI and J.P. DUCHEMIN : Growth and characterization of InP using LP-MOCVD - J; Crystal Growth 64, 76, 82 (1983)

P.N. FAVENNEC and M. SALVI ICM/TOH, CNET Lannion M.A. di FORTE POISSON and J.P. DUCHEMIN, Thomson CSF, LCR : Selected area growth of InP by low pressure metalorganic chemical vapour deposition on ion implanted InP substrates - Applied Physics Letters, Vol 43, p. 771–773, N^o 8, (1983)

M. RAZEGHI, B. De CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : 1.2 - 1.6 microns GaInAsP - InP DH laser grown by LP-MOCVD - J. Crystal Growth 68, 389-397 (1984)

M. RAZEGHI, J.C. PORTAL, and J.P. DUCHEMIN : TDEG in GaInAsP-InP SQW, MQW, and super-lattices - J. Appl. Physics (1984)

M. RAZEGHI, J.C. BOULEY, K. KAZMIERSKI, M. PAPUCHON, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : LP-MOCVD growth of single longitudinal mode semiconductor 1.5 microns DFB lasers - 9th International Semiconductor Laser Conference Rio de Janeiro- Brazil, 7 October (1984)

M. RAZEGHI and J.P. DUCHEMIN : MOCVD growth for heterostructures and Two-Dimentional - Electronic Systems - Springer series in Solid-State Science 53, 100-113, Two Dimentional Systems, Heterostructures and super-lattices. Editors : G. Bauer, F. Huchar and H. Heinrich, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo (1984)

R. BLONDEAU, M. RAZEGHI, G. VILAIN, B. de CREMOUX and J.P. Duchemin : CW operation of GaInAsP BRS laser at 1.5 microns grown by LP-MOCVD - Electronic Lett. 20, 850-851 (1984)

M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, and J.P. DUCHEMIN : 1.3 microns GaInAsP-InP laser grown by LP-MOCVD on GaAs substrate - In proceeding of the 11th GaAs Conference Biarritz (1984)

M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, G. VILAIN, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : CW operation of GaInAsP BRS laser at 1.5 microns grown by LP-MOCVD - Electronic Lett. 20, 850 (1984)

M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, J.C. BOULEY, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN - LP-MOCVD growth and cw operation of high quality SLM and DFB semiconductors GaInAsP - InP lasers. In proceeding of the 11th GaAs Conference Biarritz (1984)

M.A. di FORTE-POISSON, C. BRYLINSKI, G. COLOMER, J.P. DUCHEMIN, F. AZAN, J. LACOMBE and al : High Power, High efficiency LP-MOCVD InP Gunn Diodes, Electronics Letters, Vol 20, N^o 25/26 p. 1061–1062 (1984)

S. D. HERSEE, B. DE CREMOUX and J. P. DUCHEMIN: Some characteristics of the GaAs/GaAlAs graded-index separate-confinement heterostructure quantum well laser structure, Appl. Phys. Lett. 44, 476 (1984)

R. J. NICHOLAS, M. A. BRUMMELL, J. C. PORTAL, G. GREGORIS, S. HERSEE, and J. P. DUCHEMIN: Bulk and transfer doping effects in Al x Ga1-x As layers grown on semi-insulating GaAs substrates, Appl. Phys. Lett. 44, 629 (1984)

M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, K. KAZMIERSKI, M. KRAKOWSKI and J. P. DUCHEMIN: Very low threshold buried ridge structure lasers

M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, B. de CREMOUX, and J.P. DUCHEMIN : Very low threshold BRS lasers emitting at 1.3 microns - growth by LP-MOCVD - Appl. Phys. Lett. 46, 131, (1985)

M. RAZEGHI, J.P. DUCHEMIN, and J.C. PORTAL - IDEG in GaInAsP-InP layers grown by LP-MOCVD - Appl. Lett. 46, 46 (1985)

M. RAZEGHI, and J.P. DUCHEMIN : Recent advances in MOCVD growth of GaInAsP alloys - J. Crystal growth 70 (1985)

P. CORREC, J. LANDREAU, J.C. BOULEY, M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, K. KAZMIERSKI, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : 1.55 microns BH-DFB lasers grown by LP-MOCVD SPIE Vol. 587, 3 (1985)

M.A. di FORTE POISSON, C. BRYLINSKI, J.P. DUCHEMIN : Growth of Ultrapure and Si-doped InP by Low-Pressure Metal-Organic Chemical Vapour Deposition - Applied Physics Letters, Vol 46, N^o  (1985)

M. RAZEGHI, J.P. DUCHEMIN, J.C. PORTAL, R.J. NICHOLAS, and L. DMOWSKI : First observation of the QHE ina GaInAs-InP heterostructure with three electric subbands - Appl. Phys. Lett., 48, 721 (1986)

M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, M. KRAKOWSKI, B. de CREMOUX, and J.P. DUCHEMIN - First phase-locked high power laser of GaInAsP-InP emitting at 1.3microns gown by LP-MOCVD - 13th International Conference of GaAs and related compounds, Las Vegas, 29 september-2October (1986)

M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, M. KRAKOWSKI, J.C.BOULEY, M. PAPUCHON, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN - Low threshold distributed feedback lasers fabricated on material grown completely by MOCVD - IEEE of Quantum Electronics, Vol. QE- 21, n^o 6, 507-511 (1986)

M.A. di FORTE POISSON, C. BRYLINSKI, J. di PERSIO et J.P. DUCHEMIN : Epitaxie MO-CVD des matériaux InP, GaInAs et de l'hétérostructure GaInAs/InP, Journée d'étude sur l'Epitaxie et la passivation des composés III-V, Le Vide, les couches minces, Vol 41, N^o 231, Mars-Avril 1986

R. CASTAGNE, J.P. DUCHEMIN, M. GLOANEC, Ch. RUMELHARD : CNET -ENST, Collection technique et scientifique des telecommunications CIRCUITS INTEGRES EN ARSENIURE DE GALLIUM, physique, technologie et règles de conception, MASSON (1989)

J.P. VILCOT, J. HASARI, D.J. DECOSTER, IEMN, France ; J.C. RENAUD, F.A. DEBORGIES, Y. COMBEMALE, R.R. BLONDEAU, J.P. DUCHEMIN : High efficiency, high speed, 60 GHz InGaP multimode waveguide photo detectors - Photonics West conference 2999 February 1997 Procceding Vol 2999

Conference Chairs : Gail BROWN, Manijeh RAZEGHI, Program committee …J.P. DUCHEMIN, … : Photodetectors Materials and devices - Photonics West Conference 2995, (January 1997)

Conference Chairs : Gail BROWN, Manijeh RAZEGHI, Program committee …J.P. DUCHEMIN, … : Photodetectors Materials and devices Photonics West 2999 (January 2000)

Ch. BRYLINSKI, S. DELAGE, J.P. DUCHEMIN : Composants Electroniques de Puissance hyperfréquences pour l'Electronique de Défense, RSTD, Revue Scientifique et Technique de la Défense : Thales et la Recherche p. 153 – 163

Sous la direction de J.P. DUCHEMIN, J.P. GANNE, F. GAUTIER, T. LEMOINE, J.L. MEYSONNETTE, A. PASCAUD : Electronique, Techniques de l'Ingénieur 249 rue de Crimée 75925 (2002)

 

Articles connexes

• Gustave Ferrié
• Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

Liens externes

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