Tarea 1 – Introducción a los Dispositivos Semiconductores
Angie Stefany Alfonso Martínez – Código 1006557394
Física Electrónica 100414 – 2031
Grupo 2031
Director-Tutor
Elvis Rodríguez / Nombre del tutor
Universidad Nacional Abierta y a Distancia - UNAD
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
2025
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Introducción
Los dispositivos semiconductores son esenciales en la electrónica moderna,
siendo fundamentales en aplicaciones como computadoras, teléfonos móviles y
sistemas de comunicación. Este trabajo tiene como objetivo analizar su
funcionamiento mediante conceptos teóricos y simulaciones, para comprender
cómo principios como la conductividad controlada y el comportamiento de los
electrones permiten el desarrollo de tecnologías avanzadas que impactan
diversas industrias.
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Objetivos
General
Comprende los conceptos básicos para el análisis de los circuitos eléctricos.
Específicos
Analizar los circuitos con diodos
Verificar en el simulador los ejercicios
Realizar un documento con normas APA
3
Evidencia de participación en foro de discusión
Ejercicio 1: Análisis de circuitos eléctricos
Grupo de ejercicios: 3
Encontrar los valores de corriente y voltaje mediante el método que
considere según el esquema presentado:
Encontrar los valores faltantes y la energía consumida en el tiempo 𝑡 =
120 𝑚𝑖𝑛
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A partir del esquema seleccionado calcular:
➢ Variables faltantes en el circuito (𝑉, 𝐼 o 𝑃+)
➢ Energía consumida por la resistencia en el tiempo indicado para
cada caso. El cálculo se debe expresar en Joules (𝐽) y Vatio-hora (𝑊ℎ).
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Desarrollo
Formula:
Ley de Ohm = V = I ∗ R
Datos:
𝑉 = 25(𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒)
𝐼 (𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒) = 8.3333 𝑚
Conversión:
1 𝑚𝐴 = 0.001 𝐴
Aplicando la formula:
𝐴
𝐼 (𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒) = 8.3333 𝑚𝐴 ∗ = 0.008333𝐴
𝑚𝐴
𝑉 =𝐼∗𝑅
𝑉
𝑅=
𝐼
25 𝑉
𝑅= = 3000𝜴
0.008333𝐴
𝑅 = 3𝑘𝛺
Calcular:
𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑎 𝑃 = 𝑉 ∗ 𝐼
𝑃 = 25 𝑉 ∗ 0083333 𝐴
𝑃 = 0.20833 𝑊
𝐸𝑛𝑒𝑟𝑔í𝑎 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑎 𝐸 = 𝑃 ∗ 𝑡 | 𝑡0 = 0
𝐸 =𝑃∗𝑡
6
120 min∗ 60 𝑠𝑒𝑔 = 7200 𝑠𝑒𝑔
𝐸 = 0.20833𝑊 ∗ 7200 𝑠𝑒𝑔
𝐸 = 1500𝐽
𝐸𝑛𝑒𝑟𝑔í𝑎 𝑒𝑙é𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑎 (𝐽)1𝑊ℎ = 3600𝐽
1
1𝐽 = 𝑊ℎ
3600
1𝑊ℎ
𝐸 = 1500𝐽 ∗ = 0.4167𝑊ℎ
3600𝐽
Por lo tanto;
Resistencia = 3000 𝜴
Potencia eléctrica = 0.2083W
Energía consumida en 120min Joules (J) = 1500J
Energía consumida en 120min Vario-hora (Wh) =0.4167 Wh
7
8
Ejercicio 2: Uso de diodos en circuitos eléctricos
Grupo de ejercicios: 3
A continuación, encontrará los elementos para el desarrollo del ejercicio
2: Encontrar los valores de corriente y voltaje mediante el método que
considere según el esquema presentado: A partir del esquema
seleccionado calcular:
➢ Variables faltantes en el circuito según lo solicitado (V, I).
➢ Potencia y energía consumida por R1 en cada esquema en un tiempo
t = 90 min
Desarrollo:
Identificar componentes
𝑉𝐷(𝐺𝑎𝐴𝑆)𝑉𝑑 = 1,2 𝑉
𝑉𝐷(𝑆𝑖)𝑉𝑑 = 0,7 𝑉
𝑉𝐷(𝐺𝑒)𝑉𝑑 = 0,3 𝑉
Identificar resistencias
𝑹𝟏 = 𝟏𝟎𝟎𝟎𝜴
𝑹𝟐 = 𝟏𝟎𝟎𝟎𝜴
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Ley de voltajes Kirchhoff:
12𝑉 − 𝑉𝑅 − 𝑉𝐺𝑎𝐴𝑠 = 0
12𝑉 − 𝑉𝑅 − 1,2𝑉 = 0
𝑉𝑅2 = 10,8𝑉
Corriente Ley Ohm
𝑉𝑅2 10,8𝑉
𝐼𝐷1 = = = 10.8𝑚𝐴
𝑅1 1000𝛺
Voltaje
𝑉0 = 0𝑉 (𝑒𝑠𝑡𝑒 𝑠𝑒 𝑚𝑖𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛 𝑟𝑒𝑠𝑝𝑒𝑐𝑡𝑜 𝑎𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑛𝑒𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒)
La resistencia R1 no tiene ningún consumo ya que el diodo no permite
ningún paso de corriente, por lo tanto:
𝑃 = 𝑉. 𝐼 𝑃 = 0𝑊
𝐸 = 𝑃. 𝑡 𝐸 = 0𝑊ℎ
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Ejercicio 3: Transistores de unión bipolar
Grupo de ejercicios: 3
Encontrar los valores de corriente y voltaje según el esquema presentado:
A partir del esquema seleccionado calcular:
➢ 𝐼𝐵,𝐼𝐶,𝐼𝐸, para cada esquema.
➢ Variables requeridas en el enunciado de voltaje y resistencia según el
caso.
Desarrollo:
Datos en el circuito:
𝜷𝟏𝟎𝟎𝑨
𝑻𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒔𝒕𝒐𝒓 𝑸𝟏 ( )
𝑨
𝑹𝒆𝒔𝒊𝒔𝒕𝒆𝒄𝒊𝒂 𝑹𝑩 = 𝟐𝟓𝟎𝑹𝑩 𝜴
𝑹𝒆𝒔𝒊𝒔𝒕𝒆𝒏𝒄𝒊𝒂 𝒄𝒐𝒍𝒆𝒄𝒕𝒐𝒓 𝑹𝑪 = 𝟏, 𝟑𝑹𝑪 𝜴
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𝑭𝒖𝒆𝒏𝒕𝒆𝒅𝒆 𝒂𝒍𝒊𝒎𝒆𝒏𝒕𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒗𝒄𝒄 = +𝟏𝟐𝑽 − 𝒗𝒃𝒆(𝒕𝒆𝒏𝒔𝒊ó𝒏 𝒃𝒂𝒔𝒆 𝒆𝒎𝒊𝒔𝒐𝒓)
= 𝟎. 𝟕 𝒕𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒔𝒕𝒐𝒓 𝒅𝒆 𝒔𝒊𝒍𝒊𝒄𝒊𝒐
Calcular corriente en base 𝐼𝐵 :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑏𝑒
𝐼𝐵 =
250𝑘
15𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
250𝑅𝐵 𝛺
14,3𝑉
𝐼𝐵 =
250.000𝛺
𝐼𝐵 = 57,2 𝜇𝐴
Calcular corriente del emisor 𝑰𝑪 :
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 100 ∗ 57,2𝜇𝐴
𝐼𝐶 = 5,72𝑚𝐴
Calcular corriente del emisor 𝑰𝒆 :
𝐼𝑒 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝑏
𝐼𝑒 = 5,72𝑚𝐴 + 57,2𝜇𝐴
𝐼𝑒 = 5,777𝑚𝐴
Calcular el voltaje 𝑽𝑪 :
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
𝑉𝐶 = 15𝑉 − (5,72𝑚𝐴 ∗ 1,2𝑘𝛺)
𝑉𝐶 = 15𝑉 − 6,864𝑉
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𝑉𝐶 = 8,136𝑣
Por lo tanto;
Voltaje = Vc = 8.136V
Corriente de base Ie = 5.777Ma
Corriente de base Ib = 57.2µA
Corriente de base Ic = 5.72 mA
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Ejercicio 4: Aplicaciones industriales
Se tiene el siguiente esquema para un transistor MOSFET que tiene un
voltaje umbral 𝑉𝑇 = 8 𝑉 y los elementos que se muestran a continuación:
A partir de la información suministrada responder las siguientes
preguntas:
a) Con la configuración planteada, ¿el transistor permite el paso de
corriente? Explicar.
b) ¿Qué valor mínimo de 𝑅3 se debería garantizar para que el transistor
permita el paso de corriente entre D y S?
c) Calcular el valor de 𝑉𝐺𝑆, 𝐼𝐷 y 𝑉𝐷𝑆.
d) ¿El transistor opera en la región de corte, lineal o saturación?
Desarrollo:
a) Usar el dividir de tensión para calcular el voltaje de la puerta
𝑅3
𝑐∗
𝑅3 + 𝑅2
300Ω
𝑉𝐺𝑆 = 20𝑉 ∗
300Ω + 500Ω
𝑉𝐺𝑆 = 7,5𝑉
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𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇
Se encuentra en una región que no permite el paso de corriente
b) El valor de la resistencia R3 debe ser mayor a 334Ω
𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇
𝑅3
𝑉 >8
𝑅3 + 𝑅2 1
𝑅3
20 > 8
𝑅3 + 500
𝑅3 2
>
𝑅3 + 500 5
2
𝑅3 > (𝑅3 + 500)
5
2
𝑅3 − 𝑅3 > 200
5
3
𝑅3 > 200
5
𝑅3 > 334Ω
c) 𝑅3 = 800Ω
𝑅3 800Ω
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉=( )(20𝑉)
𝑅3 + 𝑅2 800Ω + 500Ω
𝑽𝑮𝑺 = 𝟏𝟐, 𝟑𝑽
𝑘 3 𝑚𝐴
𝐼𝐷 = 2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 = 2 ( 𝑉 2 )(12,3𝑉 − 8𝑉)2 = 𝟐𝟕, 𝟕𝟑𝟓 𝒎𝑨
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉1 − 𝑉𝑅1
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉1 − 𝐼𝐷 𝑅1
𝑉𝐷𝑆 = 20 − (27.735𝑋10−3 )(100) = 𝟏𝟕, 𝟐𝟑𝑽
d) El transistor opera en la zona de saturación
𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
17,23𝑉 > 12,3𝑉 − 8
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Conclusiones
Este trabajo permitió analizar circuitos con diodos y transistores BJT,
verificando los resultados mediante simulaciones. Aunque se alcanzó una
comprensión adecuada de los principios básicos, se identificaron áreas de
mejora en la aplicación de los conceptos de potencia y energía. Las
simulaciones fueron útiles para confirmar los análisis teóricos,
especialmente en circuitos con BJT, pero es necesario profundizar en
ciertos conceptos para mejorar la precisión en futuros estudios.
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Referencias Bibliográficas
Alexander, C. K., Sadiku, M. N. O.(2022). Fundamentos de circuitos
eléctricos Plus. McGrawHill - Plus. (capitulo 1, conceptos básicos).
Disponible: https://www-ebooks7-24-
com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/?il=31298&pg=s9ml/chapter01/porta
dilla.xhtml=
Boylestad, R. L., Nashelsky, L.(2018). Electrónica: teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos. Pearson Educación.(pp.402 a la 420):
https://www-ebooks7-24-
com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/?il=7293&pg=5
17
