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Espacio Curricular: Física Electrónica

Aplicaciones en Dispositivos
semiconductores
Transistor NPN “BC548B”

Integrantes:
ACEVEDO, Ignacio
Objetivos:

Explicar el funcionamiento de un dispositivo semiconductor (TRANSISTOR

BIPOLAR), desde el punto de vista de la física cuántica, haciendo hincapié en
su principio de funcionamiento físico, describiendo detalladamente como estos
materiales semiconductores pueden comportarse de distintas maneras según su
configuración.

Introducción:

Para poder explicar el principio físico de funcionamiento primero debemos

explicar cómo se conforman los semiconductores y cuáles son sus
características fundamentales, que hacen a estos materiales, únicos.

Explicamos estos fenómenos siguiendo las leyes cuánticas, las cuales son
funciones de probabilidades que describen la posibilidad con la que pueden
encontrarse distribuidas ciertas partículas en función de la posición.

El transistor nace en 1947, donde Walter H. Brattain y John Bardeen, demuestran

la propiedad amplificadora del primer transistor en los laboratorios Bell. Las
principales características eran, su tamaño pequeño, liviano, no tenía que
calentarse ni perdía calor, construcción robusta y eficiencia, ya que consumía
menos potencia.

El nombre bipolar hace referencia a que, en él, el transporte de corriente lo

realizan tanto electrones como huecos.

Teoría de bandas:

El electrón es observado como ondas de materia, donde los e- pueden moverse

con libertad dentro del metal, con funciones de onda que abarcan muchos
átomos, decimos que están atrapados dentro de una caja tridimensional formada
por las superficies del metal, o sea un pozo de potencial. Esta teoría responde a
la estadística cuántica de Fermi Dirac.
El concepto de Bandas de energías es de gran ayuda para comprender las
propiedades de los sólidos.

Supongamos que hay una gran cantidad de átomos idénticos, a una distancia
suficiente para que no interfieran entre ellos, cada átomo tiene el mismo
diagrama de niveles de energía, y se puede trazar un diagrama de niveles para
todo el sistema.

Ahora si acercamos uniformemente los átomos entre si, debido a las

interacciones eléctricas y al principio de exclusión, las funciones de onda
comienzan a distorsionar, en especial con los electrones de valencia. Entonces
las energías se desplazan hacia arriba o hacia abajo, en cantidades variables,
dando lugar a una banda que contiene N niveles muy cercanos, donde N es del
orden de 1024 , por eso podemos considerar que los niveles forman una
distribución “continua” de energías dentro de una banda.

Consideramos que tenemos 3 bandas, de valencia, prohibida y de conducción.

A temperatura de T=0 K

Como vemos en la imagen los distintos tipos de materiales (metales,

semiconductores y aislantes) tienen distintos intervalos de Eg (banda prohibida).

Decimos que a T = 0 K la banda de valencia de un aislante está completamente

llena y la banda de conducción totalmente vacía (no hay electrones en sus
estados).
En una temperatura distinta de 0 K, existe alguna probabilidad de que un electrón
salte a la banda de conducción, mediante energía térmica, pero la brecha Eg es
tan grande que un electrón no gana suficiente energía para saltar.

A diferencia de un semiconductor, que en T = 0K se comporta básicamente como

un aislante, pero cuando la temperatura empieza a aumentar, las probabilidades
de que los electrones salten a la banda de conducción también aumentan, por
ende, la conducción eléctrica, ya que la banda prohibida es mucho más estrecha
que los aislantes, del orden de 1eV (a temperatura ambiente).

Una condición para que exista conductividad eléctrica, es que la banda de

valencia tanto como la de conducción, no se encuentren llenas ni vacías.

Semiconductores:

Un semiconductor tiene una resistividad eléctrica intermedia entre buenos y

malos conductores, pero la gran importancia de ellos es debido a su capacidad
de poder agregar muy pequeñas cantidades de impurezas para cambiar sus
propiedades eléctricas, dando lugar a semiconductores extrínsecos, de los
cuales hablaremos posteriormente.

Huecos:

Cuando un electrón sale de un enlace covalente, deja tras de sí un hueco. Un

electrón de un átomo vecino puede pasar a esa vacante y el átomo vecino se
queda con la vacante. De esta forma, la vacante, llamada hueco, puede viajar
por el material y servir como un portador adicional de corriente. En un
semiconductor puro, o intrínseco, los huecos en banda de valencia, y los
electrones en banda de conducción, siempre existen en cantidades iguales.
Cuando se aplica un campo eléctrico, se mueven en direcciones contrarias (Así,
un hueco en la banda de valencia se comporta como una partícula con carga
positiva, aun cuando las cargas en movimiento en esa banda sean electrones.
La conductividad que acabamos de describir, en un semiconductor puro, se llama
conductividad intrínseca.
Impurezas:

Según el tipo de impureza que agreguemos a los semiconductores podemos

obtener dos tipos: Tipo N y Tipo P.

Tipo N:

Se le agregan impurezas de carácter “donadoras”, de átomos pertenecientes al

grupo V de la tabla periódica (P, As, Sb), que tienen 5 electrones en su última
capa, digamos que aportan un electrón.

En el caso de la figura, se dopo el material de Silicio con un átomo de Fosforo

Observamos que los electrones que aportan estas impurezas, están muy
cercanas a la BC por lo que a temperatura ambiente todos estos electrones
pasan fácilmente a la BC, haciendo que los portadores mayoritarios sean los
electrones y los portadores minoritario los huecos. A los electrones que aporto el
material cuando estaba en estado intrínseco se le suman los electrones
aportados por la impureza. Las concentraciones típicas de átomos dopantes se
encuentran en el orden de 1 átomo de impureza cada 10 a 100 millones de
átomos del material base. Aquí se rompe la paridad hueco/electrón formando
cargas mayoritarias no balanceadas.

Esto no quiere decir que el material semiconductor tipo N, tenga carga negativa,
sino que sus portadores mayoritarios son los electrones, y minoritarios los
huecos.
Dentro de este rango de trabajo (Temperatura ambiente) se logra que la
conductividad sea constante, esto es muy importante para la creación de
dispositivos semiconductores, ya que no queremos que la conductividad tenga
varianza según la temperatura, siempre que nos manejemos valores de
temperatura ambiente

Semiconductor TIPO P:

Si se agregan átomos de un elemento del grupo III (Ba, Al, Ga, In, Tl) con sólo
tres electrones de valencia, se consigue un efecto análogo.

Un ejemplo es el galio, como una impureza de sustitución en el germanio, el

átomo de galio quisiera formar cuatro enlaces covalentes, pero sólo tiene tres
electrones externos. Sin embargo, puede robar un electrón de un átomo vecino
de germanio, para completar los cuatro enlaces covalentes requeridos
Este robo deja al átomo vecino con un hueco, o electrón faltante. El hueco
funciona como carga positiva que se puede mover a través del cristal, igual que
en la conductividad intrínseca. El electrón robado está enlazado al átomo de
galio, en un nivel llamado nivel receptor, aproximadamente a 0.01 eV arriba de
la parte superior de la banda de valencia.
En un semiconductor dopado con receptores, se considera que la conductividad
se debe casi por completo al movimiento de cargas positivas (huecos).

Los huecos en la banda de valencia se consideran portadores "libre" en el

sentido de que pueden moverse a través de la red de semiconductores que
compone la estructura cristalina del material.

Esto no quiere decir que el material semiconductor tipo P, tenga carga positiva,
sino que sus portadores mayoritarios son los huecos, y minoritario los electrones

La unión PN:

Cuando unimos un material de tipo P con uno de tipo N, se da lugar a la unión

PN, formando lo que llamamos un Diodo.

En esta unión se produce una difusión de huecos hacia el material N, que se

combina con los electrones y de electrones hacia el material P, que se combinan
con los huecos, lo que da lugar a una “corriente de difusión”. En la región N
queda una carga neta positiva, en la región P, una negativa, formando un campo
eléctrico, que da lugar a una diferencia de potencial, llamada tensión umbral, y
esta tensión frena la recombinación. Y en la unión PN no tenemos huecos y
electrones de conducción, y la unión PN está en equilibrio.
Cuando la unión está en equilibrio, da lugar a 4 corrientes que la cruzan:

1) Los procesos de difusión causan las corrientes de recombinación de

huecos y electrones, identificadas con 𝑖𝑝𝑟 𝑒 𝑖𝑛𝑟 .

2) Al mismo tiempo, se generan pares de electrón-hueco en la región de la

unión, por excitación térmica. El campo eléctrico que describimos arriba
barre estos electrones y huecos, y los saca de la unión, los electrones son
barridos en dirección contraria al campo, hacia el lado n, mientras que los
huecos son barridos en la misma dirección que la del campo, hacia el lado
p. Las corrientes correspondientes, llamadas corrientes de generación,
se identifican con 𝑖𝑝𝑔 𝑒 𝑖𝑛𝑔 .

En equilibro tenemos que |𝑖𝑝𝑟 | = |𝑖𝑝𝑔 | 𝑒 |𝑖𝑛𝑟 | = |𝑖𝑛𝑔 |

Ahora que pasa si aplicamos una diferencia de potencial en los extremos de los
materiales P y N. En polarización directa (borne positivo al material P, borne
negativo al material N) y polarización inversa (borne positivo al material N, borne
negativo al material P).
Polarización directa:

Ahora se aplica una polarización directa, esto es, una diferencia positiva de
potencial V a través de la unión. Una polarización directa disminuye el campo
eléctrico en la región de la unión (como se observa en la gráfica). También
disminuye la diferencia entre los niveles de energía en los lados p y n en una
cantidad de ∆𝐸 = −𝑒𝑉. A los electrones de la región n se les facilita la subida de
la colina de energía potencial y difundirse en la región p, y a los huecos en la
región p, difundirse en la región n. Esta tensión de la fuente favorece que los
electrones en el material n y los huecos en el material tipo p se recombinen con
los iones próximos al límite, reduciendo la región de empobrecimiento.
Las corrientes de recombinación aumentan, pero las de generación son casi
constantes, causando una corriente neta de izquierda a derecha.

Polarización inversa:

Observamos que se ensancha la región de empobrecimiento, por lo cual la

corriente generada por recombinación o portadores mayoritarios es muy próxima
a cero. Al ensanchar esta región los portadores mayoritarios del material tipo N
se les hace muy difícil cruzar, del mismo modo con los portadores mayoritarios
del material tipo P.

Entonces la corriente que circulará es la de los portadores minoritarios, 𝑖𝑔 ya que

esta permaneces constante, solo depende de la temperatura, esta corriente no
supera generalmente algunos microamperios.

También podemos observar que en polarización inversa, hay un efecto, la ruptura

por avalancha, cuando la polarización inversa es grande. El campo eléctrico en
la unión es tan grande que los portadores pueden adquirir la energía suficiente,
entre choques, para formar pares de electrón-hueco durante choques
inelásticos. Entonces, los electrones y los huecos pueden ganar energía y chocar
para formar más pares, y así sucesiva mente.
Luego de haber explicado todos estos fenómenos previos, podemos centrarnos
en el transistor BJT. Se explicará el funcionamiento de un transistor NPN.

Transistor BJT:

Los transistores bipolares se construyen con una fina capa de material

semiconductor de tipo P entre dos capas de material tipo N. Esta configuración
recibe el nombre de NPN. Si bien existen diferentes geometrías posibles para la
implementación de transistores bipolares, el estudio de los mismos puede
hacerse mediante una estructura simplificada, como la que puede verse en la
figura. A cada una de las regiones semiconductoras utilizadas se les conecta un
conductor para que sea posible su conexión a otros componentes de circuito
como componentes activos, resistores, capacitores, inductores, etc. Se
denominan a cada uno de los conductores (también denominados terminales) y
a las regiones semiconductoras a las que están conectados como colector, base
y emisor. Cabe aclarar que también existe el transistor PNP, que puede
explicarse de la misma manera que el NPN, solo que invirtiendo el sentido de las
corrientes y el material semiconductor.
Características constructivas:

Cabe aclarar que el emisor, está fuertemente dopado. La base débilmente

dopada, y el colector tiene un fuerte dopado, pero menor al del emisor. El
conjunto semiconductor es muy pequeño, y esta herméticamente protegido
contra la humedad por una caja de plástico o metálica.

Se muestra en la figura que la base es una región angosta y muy delgada

alrededor del emisor, y el colector es mucho más grande que el emisor y la base.
El resultado de esta geometría es que el colector puede recibir una gran cantidad
de electrones libres del emisor.

En la unión PN entre el emisor y la base mostrada en la figura. A través de esta

unión, pasarán electrones del emisor a la base y huecos de la base al emisor
debido a los procesos de difusión. Esta difusión de portadores creará una zona
de carga espacial o región de agotamiento (ZCE), que es una región del material
donde, en situación de equilibrio del semiconductor, no hay portadores libres
(electrones y huecos).
Al no haber portadores libres, las únicas cargas que permanecen en la zona
espacial de carga son las de los iones de la red cristalina, positivos en el lado del
emisor y negativos en el lado de la base. Estas cargas fijas generan un campo
eléctrico tal como muestra la figura. En la unión entre la base (B) y el colector
(C), ocurre un proceso de difusión semejante que da lugar al correspondiente
campo eléctrico como representa también la figura.

El campo eléctrico generado actúa como una barrera de potencial para los
electrones que quieren pasar del emisor (E) a la base (B) de tal forma que sólo
aquéllos con suficiente energía cinética pueden saltarla y pasar a la zona de la
base. Sin embargo, en el equilibrio, no hay flujo de corriente dentro del
dispositivo, ya que los electrones internos no tienen la suficiente energía como
para atravesar la barrera. Será necesario proporcionarles de alguna manera una
energía cinética mayor.

Para dotar los electrones con energía suficiente para atravesar la barrera es
conectando el dispositivo a fuentes de tensión externas, 𝑉𝐸𝐸 en polarización
directa entre emisor-base, y 𝑉𝐶𝐶 en polarización inversa entre base-colector.
El resultado de conectar estas fuentes, es disminuir la barrera de potencial entre
emisor-base y aumentar la barrera de potencial entre base-colector. Esto es
posible gracias a que el polo negativo de 𝑉𝐸𝐸 proporciona electrones al emisor,
por lo tanto, la acumulación de cargas se reduce en la zona de esa unión.

La energía cinética ahora es suficiente para atravesar la unión con un potencial

menor, entonces el emisor inyecta electrones a la zona de la base. Estos
electrones en su gran mayoría llegan al colector, ya que la unión base-colector
puede ser atravesada gracias a la acción del campo eléctrico (grande), que
aparece en ella. Pero existen algunos electrones que en el camino se empiezan
a recombinar con los huecos de la base, dando lugar a la corriente de base 𝐼𝐵 .
Esta corriente por lo general es del orden de microamperes.
A la proporción de electrones que llegan al colector se le denomina 𝛼𝐹 , un valor
comprendido entre 0 y 1, siendo su ideal que sea igual a 1. En dispositivos reales
se pueden lograr valores desde 0.90 a 0.99. Para conseguir que este valor sea
cercano a la unidad, es necesario hacer la base muy estrecha (alta resistividad),
para que los electrones tengan mayor dificultad de recombinarse en la base y
puedan seguir camino al colector. Esta es una característica constructiva de los
BJT.

𝐼𝐶
Esta relación podemos definirla como: 𝛼 = , de esta relación surge también
𝐼𝐸
𝐼𝐶
𝛽= .
𝐼𝐵

Por otro lado, al reducir la barrera de potencial entre emisor-base, hace que
exista un flujo de huecos de base al emisor. Este flujo reduce la corriente neta,
por lo cual es necesario minimizar este efecto, para ello, lo que hacemos es
dopar con mucha más fuerza al emisor que a la base, por lo cual este flujo
representa una parte muy pequeña, casi despreciable en el flujo total de cargas.

Portadores minoritarios

Podemos observar que la corriente de colector 𝐼𝐶 consta de dos corrientes, por

portadores mayoritarios, y portadores minoritarios de la base al colector 𝐼𝐶𝑂 . Esta
corriente de portadores minoritarios también es llamada corriente de fuga, del
orden de microamperes o nanoamperes.

Es conveniente destacar que todo el proceso acaba creando una corriente

eléctrica a través del dispositivo. La fuente externa tiene por misión proporcionar
al emisor los electrones que inyecta hacia la base. Según el valor de las
tensiones VEE y VCC aplicadas, las barreras disminuirán o aumentarán más o
menos y, por lo tanto, la colocación de estas fuentes permite controlar el flujo de
electrones a través del dispositivo.

Entonces por ley de Kirchoff podemos deducir:

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

Y: 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜𝑠 + 𝐼𝐶𝑂 𝑚𝑖𝑛𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜𝑠

Los transistores estaban polarizados en base común para la explicación, ya que

la base era el terminal común.

El transistor elegido es el BJT NPN BC548B:

Aplicaciones:

Sabemos que los transistores están en la gran mayoría de los circuitos

electrónicos actuales, pero específicamente nos basaremos en las aplicaciones
de este transistor.

• Fuente de corriente.
• Amplificador de señales de corriente, tensión y potencia.
• Como interruptor.
• Fuentes de alimentación.
• Etc.
TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

El transistor en este modo, puede comportarse como circuito abierto o cerrado,

pudiendo controlar el transistor según su corriente de base, que puede ser muy
pequeña.

En este caso, suponemos que tenemos un microcontrolador que en su salida

nos otorga 5V a 10mA, pero nosotros queremos manejar una carga que consume
unos 50 mA a 5V, por lo que el microcontrolador no puede entregarnos esa
corriente, entonces hacemos uso de un transistor para poder controlar la carga,
mediante la salida del micro, que está conectada a la base del transistor.

Curvas del transistor:

Ecuación malla colector:

𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉

𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 0.3 𝑉 (𝑑𝑎𝑡𝑎𝑠ℎ𝑒𝑒𝑡)

ℎ𝐹𝐸 = 180 (𝑑𝑎𝑡𝑎𝑠ℎ𝑒𝑒𝑡)

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝑅𝐿 − 𝑉𝐶𝐸 (𝑠𝑎𝑡) = 0 𝑉

4.7 𝑉
𝑅𝐶 = = 94 Ω
50 𝑚𝐴

Ecuación malla base:

𝐼𝐶
𝐼𝐵 = = 277𝜇𝐴
ℎ𝐹𝐸

𝑉𝐵𝐸(𝑠𝑎𝑡 ) = 1 𝑉

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 (𝑠𝑎𝑡) = 0 𝑉

4𝑉
𝑅𝐵 = = 15.5 𝑘Ω
277𝜇𝐴

Circuito cerrado:
Circuito abierto:

Conclusión:

En conclusión, el transistor NPN BC548 es un dispositivo semiconductor que

ejemplifica el comportamiento de los materiales extrínsecos, utilizando dopajes
específicos para crear zonas de tipo n y tipo p.

A través de la teoría de bandas, comprendimos cómo los electrones y huecos

se mueven en el material, permitiendo el flujo de corriente. La unión PN y la
estructura del transistor bipolar de unión (BJT) fueron clave para entender cómo
el BC548 controla el paso de corriente y puede tener diferentes aplicaciones,
destacando la importancia de los semiconductores en la electrónica moderna.
Referencias bibliográficas:

• Electrónica Integrada - 8 Ed - Millman & Halkias

• Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos Décima
edición Robert L. Boylestad Louis Nashelsky
• El transistor Estructura física y aplicaciones - Asier Ibeas Hernández
• Física universitaria Decimosegunda edición volumen 2 CON FISICA
MODERNA. / SEARS ZEMANSKY
• Física 2 4ta edición Resnick Halliday
• Apuntes de clase