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DIODOS DE POTENCIA
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA
• “El diodo es semiconductor con aplicaciones demasiado
numerosas de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada más que eso; sólo la unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos. La simplicidad básica de su construcción refuerza la importancia del desarrollo de esta área de estado sólido”. DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA
• Diodos de potencia. Componente electrónico ampliamente
utilizado en la electrónica de potencia. A diferencia de los diodos de baja potencia estos se caracterizan por ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y en sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA
• Los diodos de potencia funcionan de forma similar a los diodos
comunes pero pueden manejar niveles de tensión y de corriente muy elevados. Presentan dos estados de funcionamiento bien definidos: conducción y corte. El paso de un estado a otro no se realiza en tiempo cero, por lo que el tiempo necesario para las transiciones entre estados es un factor que limita el uso del dispositivo en alta frecuencia DIODOS DE POTENCIA • Desde la perspectiva química existen cuatro grandes grupos de elementos: Los gases nobles, los metales (o conductores), los no metales (aislantes) y los semimetales (semiconductores). • Aparentemente, los semiconductores están en un punto intermedio de conducción de la electricidad (entre el metal y el no metal), pero debido a que molecularmente tienen una estructura cristalina, estos son prácticamente un aislante (al menos en estado natural, es decir, al ser semiconductores intrínsecos). Para conseguir semiconductores útiles, se los debe someter a un proceso de agregarles impurezas, más conocido como dopaje. A través del mismo, se pueden obtener los semiconductores tipo N (en los cuales hay exceso de electrones) o semiconductores tipo P (en los cuales hay una deficiencia de electrones, es decir, un exceso de “huecos”). • El diodo se consigue juntando un semiconductor tipo P y uno de tipo N: DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA DIODOS DE POTENCIA
• Este efecto está asociado con el comportamiento capacitivo de la juntura
semiconductora, Capacitancia de difusión y Capacitancia de barrera, y se tiene en cuenta a través del tiempo de recuperación inversa trr. El tiempo de recuperación inversa se mide desde el momento que la corriente pasa por cero hasta el 25% de la corriente inversa máxima “Irr”. El valor de trr está dado por la suma de dos tiempos parciales trr = ta + tb donde: • ta: se debe al almacenamiento de cargas en la zona de la juntura. • tb: es el tiempo de almacenamiento en el cuerpo del semiconductor • ta/tb: se le denomina factor de suavidad. DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE POTENCIA Parametros CORTE CONDUCCIÓN TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE USO GENERAL DIODOS DE RECUPERACION RÁPIDA DIODOS SCHOTTKY
