Electrónica Aplicada

Educando :

Docente : Fernando Tapia Ramírez

Ingeniería mecánica automotriz

TEMA 1 La Estructura Atómica

Introducción:
En los últimos años la investigación de la física del estado sólido de la
materia, ha provisto a los científicos de los conocimientos necesarios para producir
nuevos dispositivos electrónicos, los semiconductores que ocupan hoy día un lugar
de prominencia en el mundo de la electrónica.

Componentes prácticamente desconocidos hace treinta años, surgen

hoy, desplazando a las válvulas de vacío (tubos) de funciones que hasta hace poco
se creían de su exclusiva propiedad.

Para el estudio y comprensión de los fenómenos que ocurren en

dispositivos semiconductores, es necesario conocer algunos detalles del mundo
atómico, como por ejemplo:
• Su estructura
• Propiedades de las partículas que lo Integran

El ATOMO
Modelo atómico de BOHN PROTONES:
POSEEN CARGA
ELÉCTRICA
POSITIVA (+)

NEUTRONES: NO POSEEN
CARGA, SON
ELÉCTRICAMENTE
NEUTROS

ELECTRONES: POSEEN
CARGA ELECTRICA NEGATIVA
(-), GIRAN ALREDEDOR DEL
NUCLEO
NUCLEO K L M N O P Q
Fig.1

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 El componente fundamental de la materia, es decir, de todo lo que nos
rodea, es el átomo que se le asigna una estructura como lo indica la Fig. (1),
compuesto de un núcleo, el que contiene partículas llamadas:

- Protones: Carga eléctrica positiva (+) de masa mayor que el

neutrón.
- Neutrones: Sin carga eléctrica, menor masa y más inestable
- Alrededor del núcleo giran partículas llamadas electrones, de
carga eléctrica negativa (-), constituyen el elemento
fundamental de la electricidad.

Propiedades del átomo

1) Los protones que poseen carga eléctrica positiva de igual magnitud que la del
electrón, son aproximadamente 1800 veces más pesado.
2) Un átomo normal, el número de electrones que giran alrededor del núcleo, es
igual al número de protones, y por ello se dice que un átomo es eléctricamente
neutro.
3) Debido al movimiento de rotación de los electrones alrededor del núcleo a,
actúa sobre él una fuerza centrífuga que trata de alejarlos del núcleo. Esta
fuerza se equilibra con la fuerza de atracción del núcleo lo que mantiene al
electrón en una órbita estable.(Fig. 2)

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4) Todo lo que nos rodea, es decir, todos los materiales que forman nuestro
mundo diario, están formados por aproximadamente 100 sustancias básicas o
elementos.

Ejemplo:
H , Ca , N , O , K , Cl , Cu, Na, etc

O bien una combinación de dos o más elementos básicos

Ejemplo:
Agua, Sal, Acero, Bronce, etc.

5) Cada elemento básico posee una cantidad diferente de electrones girando

alrededor del núcleo, en diferentes órbitas que se designan con las letras:

K, L, M, N, O, P, Q

La órbita más cercana al núcleo es la capa K; y la mas alejada del núcleo se

designa con la letra Q.
La última capa u orbital de un átomo se denomina capa de valencia.
Un átomo que posee en su última capa un número máximo de 8 e-, este
elemento se comporta como un aislador.

Ejemplo:

Gases Nobles como el Neón, Argón,. Kriptón, etc.

Aquellos átomos que poseen 1, 2 o 3 electrones en el último orbital son buenos

conductores.

Ejemplo:

Oro, Plata, Cobre, etc.

Los átomos que poseen 4 electrones en su ultimo orbital se denominan semi

conductores.

Ejemplo:

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 Germanio, Silicio, etc.

6) Los electrones ubicados en la última capa, son los que determinan las
propiedades químicas y eléctricas de un elemento y se denominan electrones
de valencia y la capa que los contiene capa de valencia.

7) Sobre la capa de valencia existen niveles vacantes en las que se denominan

niveles de excitación.

• Banda de valencia: Es la zona en que los electrones se encuentran

semilibres.
• Banda de conducción: Es la zona donde los electrones se
encuentran con la suficiente energía como para moverse libremente
en una estructura cristalina.
• Banda prohibida: Zona cerrada al paso libre de los electrones entre
las bandas de conducción y de valencia.

Para que los electrones de la banda de valencia puedan servir como portadores
deben pasar a la banda de conducción, ello implica entregarles una cierta cantidad
de energía, que puede tener la forma de calor, luz, radiaciones, etc. La magnitud
de dicha energía es igual a la altura de la banda prohibida. Se mide en eV. (1 eV =
1,6 1019 Joules)

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Conductores: El cobre es un buen conductor eléctrico, la razón es evidente si se
tiene en cuenta su estructura atómica. El núcleo o centro del átomo contiene 29
protones (cargas positivas). Cuando un átomo de cobre tiene una carga neutra, 29
electrones (cargas negativas) se disponen alrededor del núcleo, los electrones en
distintos orbitales, llamados capas o niveles de energía

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La parte interna: En la electrónica, lo único que importa es el orbital exterior, el
cual se denomina orbital de valencia. Es este orbital exterior el que determina las
propiedades eléctricas del átomo.

Electrón libre: Como el electrón de valencia es atraído muy débilmente por la

parte interna del átomo, una fuerza externa puede arrancar fácilmente este
electrón, al que se conoce como electrón libre y por eso mismo, el cobre es un
buen conductor. Incluso la tensión o fuerza mas débil puede hacer que los
electrones libres de un conductor se muevan de un átomo al siguiente.
Los mejores conductores son: El Oro, la Plata, el Cobre, el Eridio, etc.

Semiconductores: Los mejores conductores (Plata, Cobre, Oro) tienen un

electrón de valencia mientras que los mejores aislantes poseen ocho electrones de
valencia. Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de
un conductor y las de un aislante (Germanio Silicio)

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Ejemplo:

Un átomo de Silicio tiene 14 protones y 14 electrones. En el primer orbital

posee 2 electrones y el segundo 8 electrones.
Los 4 electrones restantes se encuentran en el
orbital de valencia, como lo indica la figura 5, la
parte interna tiene una carga resultante de + 4
porque contiene 14 protones en el núcleo y 10
electrones en los dos primeros orbitales.
Los 4 electrones de valencia nos indica que
el silicio es un semiconductor.

La siguiente tabla, nos indica como se estructura

la configuración electrónica de cualquier átomo y
con ello es posible determinar la cantidad de
electrones presentes en cada uno de sus
orbitales.

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Ejemplo de determinación de características eléctricas de un elemento.

En primer Lugar, buscamos en la tabla

periódica sus características atómicas.
Donde por ahora, sólo nos
interesa su Número Atómico,
que es sinónimo del Número de
Electrones que este elemento
contiene.

Z=12

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6

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 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
2e 2e 6e 2e ¿Cuántos Electrones nos
quedan en el último
orbital?
4e Resp: 2 Electrones

10e
Por definición, los elementos
químicos que contienen 1, 2 o 3
electrones en su último orbital,
12e son buenos conductores, por
ende, MAGNESIO ES UN
BUEN CONDUCTOR, sin
Como hemos llegado al
embargo, no es utilizado de
numero de electrones o manera práctica, debido a su
número atómico, debemos escasez a diferencia del cobre.
detener nuestra iteración.

Cristales de silicio: Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un

sólido, lo hacen en una estructura ordenada llamada cristal. Cada átomo de silicio
(Si) comparte sus electrones de valencia con los átomos de silicio vecinos de tal
manera que suman 8 electrones en el orbital de valencia.

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Enlaces covalentes: Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo
central, de esta forma el átomo central parece tener cuatro electrones adicionales,
sumando un total de ocho electrones en su orbital de valencia. En realidad, los
electrones dejan de pertenecer a un solo átomo, ya que cada átomo central y sus
vecinos comparten electrones y así sucesivamente dentro de la estructura
cristalina.

Semiconductores Intrínsecos: Un semiconductor intrínseco es un

semiconductor puro. Un cristal de Si o Ge es un semiconductor intrínseco si cada
átomo del cristal es un átomo de la misma especie. A temperatura ambiente, un
cristal puro de Si o Ge se comporta mas o menos como un aislante ya que tiene
solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos correspondientes,
producidos por la energía térmica que posee dicho cristal.

Dos tipos de semiconductores extrínsecos: Un semiconductor se puede dopar

para que tenga un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. Debido a
ello existen dos tipos de semiconductores dopados.

Semiconductor extrínseco del tipo N: Al silicio o germanio que ha sido dopado

con una impureza pentavalente se llama semiconductor extrínseco tipo N, donde N
hace referencia a negativo. En un semiconductor extrínseco del tipo N como los
electrones superan a los huecos reciben estos el nombre de portadores
mayoritarios, mientras que los huecos reciben el nombre de portadores
minoritarios.(Fig. 9)

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Semiconductor extrínseco del tipo P: El silicio o germanio que ha sido dopado
con impurezas trivalentes se llama semiconductor extrínseco tipo P, donde P hace
referencia a positivo. Como el numero de huecos supera a los electrones libres, los
huecos reciben el nombre de portadores mayoritarios y los electrones se les
denomina portadores minoritarios.(Fig. 10 )

Características de la unión pn: (El diodo no polarizado) Por si mismo un cristal

semiconductor del tipo P o N tiene la misma utilidad que una resistencia de
carbón; Pero ocurre algo nuevo cuando un fabricante dopa un cristal de la forma
que una parte sea tipo P y la otra sea tipo N. La separación o frontera física de
esta se llama unión pn. La unión pn tiene propiedades tan útiles que ha propiciado
toda clase de inventos, entre los que se encuentran los diodos, transistores y
circuitos integrados.(Fig.11)
Comprender la unión pn permite entender toda clase de dispositivos
fabricados con
semiconductores.

En el cristal pn se va a producir una difusión de portadores mayoritarios en ambas

zonas. Los electrones de la zona N pasaran a la zona p y los huecos de la zona P
pasaran a la zona n cruzando la unión. Esta difusión de produce debido a que los
electrones tienden a llenar los huecos adyacentes a la unión, dejando a su vez una
zona de huecos en la posición original, la difusión se manifiesta en los lados
adyacentes de la frontera y se denomina zona de transición.(Fig. 12)

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Debido al proceso de difusión, se produce una concentración de cargas opuestas a
ambos lados de la unión, cargas negativas en la zona P y cargas positivas en la
zona N, siendo cerca de la unión, mayor la concentración de cargas opuestas.
Por la concentración de cargas opuestas se genera un campo eléctrico y una
diferencia de potencial que se conoce como barrera de potencial.
La barrera de potencial detiene el proceso de difusión de portadores. La
carga negativa concentrada rechazará a los electrones que intenten pasar, los
cuales no tendrán la suficiente energía para saltar la barrera.(Fig. 13)
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de
potencial llamada barrera de potencial. La barrera de potencial es del orden de los
(mV) y dependerá de los valores de temperatura y de la naturaleza del cristal.
La barrera de potencial es aproximadamente de 0,3 V para diodos de
Germanio y de 0,7 V para diodos de Silicio.

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Polarización directa: Se ve una fuente de corriente continua conectada a un
diodo. El terminal negativo de la fuente esta conectado al material tipo n y el
terminal positivo al material tipo p. Esta conexión se llama polarización directa. En
este caso existe una inyección de portadores mayoritarios por la diferencia de
potencial aplicada, con lo cual se reduce la barrera de potencial y se produce la
conducción. (flujo de electrones) (Fig. 14)

Polarización inversa: Si se invierte la polaridad de la fuente de continua,

entonces el diodo quedara polarizado en inversa. Al revés de la situación anterior,
los portadores mayoritarios son atraídos por el potencial contrario aplicado en sus
extremos, lo cual hace que aumente la barrera de potencial; por lo tanto, los
electrones no tendrán la suficiente energía para atravesar la barrera y la corriente
será prácticamente nula. Esta conexión se denomina polarización inversa.(Fig. 15)

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Los fenómenos anteriormente mencionados corresponden al funcionamiento de un
diodo de unión cuyo símbolo se muestra a continuación:(Fig. 16)

La barrera de potencial y la temperatura: La temperatura de la unión es la

temperatura dentro del diodo, exactamente en la unión pn. La temperatura
ambiente es diferente, es la temperatura del aire fuera del diodo. Cuando el diodo
esta conduciendo, la temperatura de la unión es mas alta que la temperatura
ambiente a causa del calor creado en la recombinación. La barrera de potencial
depende de la temperatura creada en la unión. Un incremento en la temperatura
de la unión crea mas electrones libres y huecos, que se difunden en la zona de
deplexion. Esta se estrecha lo que significa que hay menos barrera de potencial a
temperaturas altas en la unión.

Gráfica de un diodo Real

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& Actividad de síntesis.

1. ¿A que nos referimos cuando un átomo es neutro?

2. ¿Qué diferencia la banda de conducción con la banda prohibida?
3. ¿Qué condiciona que un material sea Conductor?
4. ¿Qué condiciona que un material sea Semiconductor?
5. ¿Qué ocurre con los electrones de los átomos en un enlace covalente?
6. ¿De qué se compone un Diodo?
7. Determine en el siguiente circuito, si al cerrar el interruptor, el diodo 1N4007,
permitirá el encendido de la lámpara.

8. Clasifique de acuerdo al electrón de valencia, los siguientes elementos

químicos, como CONDUCTORES, AISLANTES O SEMICONDUCTORES.

Símbolo Nombre Característica

Li
W
Ag
Pb

9. ¿Puede el Xenon (Xe), utilizarse como conductor en la instalación eléctrica de

un automóvil?. Argumente su respuesta, determinando su característica
eléctrica por electrones de valencia y el tipo de elemento al que corresponde.

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10. Si el diodo del ejercicio Nro 7 fue construido de Silicio, ¿Cuánta es la
tensión mínima que se requiere en la fuente de alimentación para que éste
comience a conducir en la eventualidad de estar correctamente polarizado.

11. Basándose en el supuesto anterior, pero con un diodo de Germanio.

12. Si observamos la curva del diodo, ¿que ocurre con la conducción el en

punto en donde la tensión es de 0,7V?

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 EXPERIENCIA 1 Diodo Rectificador

Objetivo

Reconocer la funcionalidad de un diodo semiconductor.

Actividad

1. Buscar en un catálogo técnico los datos asociados al dispositivo 1N4007,

registrando a continuación:

Magnitud Valor

Tensión de juntura
Tensión de ruptura inversa

Corriente de trabajo en condición normal

Corriente máxima de picos repetitivos

2. A partir del siguiente circuito, desarrolle las siguientes actividades.

2.1 Determine el listado de materiales, (Considere 3 diodos).

2.2 Monte el circuito.
2.3 Energice la fuente de poder.
2.4 Verifique funcionalidad ¿Qué ocurrió?.
2.5 Invierta la conexión del Diodo y repita el paso anterior.
2.6 Vuelva a montar el circuito, como en el paso 2.2.
2.7 Mida la tensión en el diodo y regístrela.
2.8 En función de la lámpara disponible mida su valor resistivo y comparelo con
su valor estimado (R=V2/P).
2.9 Retire la fuente de alimentación y mida la resistencia total del circuito ¿Qué
ha ocurrido?.

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2.10 Monte el circuito de manera similar al paso 2.2, pero considere ahora 2
diodos en serie.
2.11 Mida la tensión en cada uno de los diodos y regístrela.
2.12 Compare la luminosidad de la lámpara con el caso 2.2.

3. Establezca conclusiones, en ella haga mención a los fenómenos observados al

medir resistencia, inversiones de polaridad y tensiones de juntura.

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