Escuela Superior de Ingeniera Automotriz

Semestre: 8

Grupo: A

Materia: Alternativas Automotrices

Proyecto: Autolamp

Profesor: M. C. Edgar Garca Ziranda

Integrantes del Equipo: Joshua Kaeri Moyao Gaspar Hctor Daz Samudio Rafael Cruz Aguilar

Morelia Michoacn, 13 de Julio de 2011

INTRODUCCION En este ensayo realizaremos el encendido automtico de las luces del auto, conocido como autolamp, en el cual utilizaremos una fotorresistencia, CI 4049 y un mosfet IRF630. El propsito como su nombre lo dice es automatizar las luces del auto, esto es cuando la intensidad de la luz se refleja en la fotoresistencia el foco o lmpara permanecer encendido pero en el momento de detectar oscuridad el foco se encender. El propsito de esto es aprender cmo mejorar o ayudar al confort de los automviles para poder mejorarlo y lograr hacer un cambio de luces automtico a la hora de ir manejando para que al detectar las luz del otro automvil reduzca la intensidad del foco de nuestro automvil sea, cambiar de altas a bajas y viceversa a la hora de detectar oscuridad cambiar de bajas a altas. Para ello basndose en la creacin del autolamp aprenderemos como funcionan el circuito integrado y el mosfet para tratar nosotros de implementar esto en algn automvil con la mejora de de cambiar las luces de altas a bajas y viceversa.

MARCO TEORICO Como ya mencionamos en este proyecto utilizaremos fotorresistencia, circuito integrado y un mosfet, a continuacin la definicin de cada uno de los elementos. Fotorresistencia. Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede tambin ser llamado concha de day coronel fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en ingls light-dependent resistor. Su cuerpo est formado por una clula o celda y dos patillas. En la siguiente imagen se muestra su smbolo elctrico.

Smbolo de la Fotorresistencia.

El valor de resistencia elctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en l (puede descender hasta 50 ohms) y muy alto cuando est a oscuras (varios megaohmios). Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los valores tpicos varan entre 1 M, o ms, en la oscuridad y 100 con luz brillante. Las clulas de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su resistencia segn la cantidad de luz que incide la clula. Cuanta ms luz incide, ms baja es la resistencia. Las clulas son tambin capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). La variacin del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez. El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de una dcima de segundo. Esta lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rpidas de iluminacin que podran hacer inestable un sensor.

Fotocelda.

CIRCUITOS INTEGRADOS (CD 4049) Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es una pastilla pequea de material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos generalmente mediante fotolitografa y que est protegida dentro de un encapsulado de plstico o cermica. El encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer conexin entre la pastilla y un circuito impreso. El CD 4049 se caracteriza por ser un convertidor lgico con una solo tensin de alimentacin. Caractersticas: Amplia tensin de 3.0 V a 15 V. Accionamiento directo de 2 cargas TTL 5.0 V en el rango de temperatura completo. Fuente de alta capacidad de sumidero de corriente. La proteccin especial de entrada permite voltajes de entrada mayor que VDD.

Vista interna del CD 4049.

MOSFET (IRF 630) Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

Croquis de un FET con canal N

El FET IRF 630 es de canal N de silicio, son MOSFETs avanzados de energa diseados, probados y garantizados para soportar un determinado nivel de energa en el modo de avalancha desglose de la operacin. Todos estos MOSFET de potencia estn diseados para aplicaciones tales como los reguladores de conmutacin en convertidores, controladores de motor, los conductores de relevo, y los conductores de alta potencia

Caractersticas: 9A, 200V. rDS (ON) = 0.400. Un solo pulso de avalancha de energa nominal. SOA es disipacin de energa limitada. Velocidad de conmutacin en nanosegundo. Caractersticas lineales de transferencia. Alta impedancia de entrada.

Smbolo grafico para un FET de canal N

DESARROLLO Como todo proyecto de esta materia para el desarrollo de estos utilizamos el CAPTURE CIS y el LAYOUT, empezamos por armar el circuito que nos proporciono el profesor en el programa CAPTURE CIS en el cual utilizamos resistencias, potencimetros, capacitores y los ya mencionados fotorresistencia, CI CD 4049 y el FET IRF630 fue fcil conectar el circuito por que los entradas como las salidas circuito integrado se tuvieron que puentear y el diseos quedo de la siguiente manera.

Circuito del autolamp.

Posteriormente como todo proyecto continuamos creando la Netlist del circuito para pasar al LAYOUT a escoger los elementos y acomodarlos de forma correcta.

Creador de la Netlist.

Estando en el LAYOUT pasamos acomodar los elementos para rutear las pistas lo cual fue sencillo de rutear por que no usamos muchos elementos y las pistas no se interrumpieron en ninguna parte.

Diseo del autolamp ruteado.

Diseo del autolamp listo para imprimir.

Pasamos despus a imprimir el diseo ya ruteado para plancharlo en la baquelita, despus de planchado pasamos a perforar y soldar los elementos para poder utilizar nuestro autolamp.

PROBLEMTICA Bsicamente el nico problema del proyecto lo tuvimos en el CAPTURE CIS donde a la hora de inserte el MOSFET IRF 630 nos apareca otro tipo de FET con diferente conexin, esto se deba a que no buscbamos el FET correcto porque estbamos en otra librera pero se pudo solucionar, el otro problema fue al tratar crear la Netlist por que el circuito integrado que utilizbamos no permita crear la Netlist, as que pata solucionar el problema mejor utilizamos un conector de 16 y solo observamos la datasheet y puenteamos las entradas y salidas correctas, a la hora de soldar tuvimos un problema en la pista que una el FET con los focos y tuvimos que rellenas la pistas con soldadura.

Circuito planchado en la baquelita.

Diseo de Autolamp soldado y listo para usar.

Autolamp en funcionamiento.