ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIÓN Y CONTROL INDUSTRIAL
Electrónica de Potencia
Componente Práctico
Preparatorio Desarrollo X Informe
(Marque con una X según corresponda)
Práctica #: 5
Tema: CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET
- Jorge Alexander Enríquez Iza
Realizado por
- Bryan Patricio Villafuerte Carrillo
CP – Electrónica de Potencia: GRUPO 1
(Espacio Reservado para instructor)
Fecha de entrega: ___ / ____ / ____ f. _________________________
Año mes día Recibido por:
Sanción: ____________________________________________________
PERÍODO ACADÉMICO
2020 – B
Objetivos:
• Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia.
• Conocer las características de conmutación de los MOSFET’s. .
Preguntas:
1. Presentar las respectivas formas de onda obtenidas en los diferentes literales del procedimiento.
2. Comentar los resultados obtenidos
Para que el circuito diseñado arroje mejores resultados fue necesario realizar algunos cambios. El cambio mas importante fue el
de cambiar el optoacoplador debido a que el que se estaba utilizando tenia tiempos de respuesta muy lentos. Los optoacopladores
con salida a transistor poseen tiempos (orden de los microsegundos) de respuesta grandes con respecto a las velocidades con las
que trabajan usualmente los MOSFET, los optoacopladores que tiene tiempos de respuesta más rápido (orden de los
nanosegundos) son los optonands o optoacopladores con salida de compuerta.
Por dicha razón se cambio el optoacoplador 4N25 por el modelo HCPL2602 y partiendo de las características descritas en su
hija de datos se dimensionaron las respectivas resistencias R2, R1 y Rg resultando el circuito final el que se muestra a
continuación:
Figura 1. Circuito final para frecuencia de 10kHz
Carga resistiva:
Al simular el respectivo los resultados que se obtuvieron para la corriente ID, Voltaje VD y potencia del MOSFET siendo
f=10kHz.
Figura 2. Resultados obtenidos para carga resistiva.
Los resultados nos muestran que el transistor esta trabajando en corte y saturación. En corte el voltaje VD alcanza un
valor muy cercano al de la fuente de alimentación, mientras que la corriente tiene un valor cercano a cero. En
saturación la corriente del transistor es muy cercana a la corriente ID que tendría la resistencia para dado voltaje de
alimentación mientras que el voltaje es cercano a cero.
Debido a que el transistor trabaja en corte y saturación las perdidas para estado estable son muy cercanos a 0, sin
embargo, se presenta picos de potencia durante las transiciones, estas pérdidas corresponden a las pérdidas dinámicas
y tienen lugar debido al tiempo de retardo del transistor.
Para analizar las pérdidas dinámicas se procederá a determinar los tiempos de retardo tanto para el apagado como el
encendido del transistor.
Figura 3. Encendido del transistor.
Figura 4. Apagado del transistor.
Se puede observar que para los cambios de encendido y apagado y viceversa existen ciertos retardos los cuales son
los tiempos de encendido y apagado que para este caso los valores obtenidos fueron:
𝑡𝑜𝑛 = 717.95 𝑛𝑠 , 𝑡𝑜𝑓𝑓 = 478.817 𝑛𝑠
Como se puede observar en las transiciones tanto el voltaje como la corriente incrementan o decrementan
simultáneamente, esto sucede por que la carga es resistiva.
Carga RL:
Debido a que las cargas conectadas con el transistor suelen ser relés o motores se debe analizar el comportamiento
del circuito para cargas resistivas e inductivas, para nuestro caso el valor de resistencia sigue siendo el mismo del
anterior 5 ohmios mientras que el valor de inductancia ahora es de 10 mH.
Sin diodo
Los resultados obtenidos sin colocar un diodo antiparalelo a la carga fueron.
Figura 5. Resultado para carga RL sin diodo
En la grafica se puede observar que el transistor no se encuentra trabajando en corte y saturación puesto que la
corriente se mantiene casi constante. Esto ocurre debido a que cuando el transistor se enciende el inductor se almacena
corriente y durante el apagado la corriente del inductor circula a través de la carga y del transistor.
Debido a que siempre existe corriente en el transistor la potencia aumenta tal como se muestra en la gráfica, esto
hace que el transistor se sobrecaliente y se queme. Por ello para evitar que el inductor se descargue por el transistor
se ubica un diodo antiparalelo con la carga.
Con diodo
Al colocar el diodo 1N3911 que es de recuperación rápida los resultados obtenidos muestran que ahora el transistor
se encuentra trabajando en corte y sin embargo en los gráficos se puede observar que para el instante del encendido
del transistor existe un pico de corriente que incluso genera picos de potencia disipada.
Esto ocurre debido a que al momento en que el transistor entra en saturación la polaridad de la bobina cambia
haciendo y el diodo en antiparalelo pase de estado de conducción a bloqueo, durante ese instante la corriente de la
bobina puede descargarse en el transistor dado a que el diodo no presenta un tiempo de recuperación, pero una vez
que el diodo se bloquea la corriente del transistor baja al valor normal de saturación. La presencia de la inductancia
también trae ciertos desfaces entre el voltaje y la corriente generando la potencia disipada durante las transiciones
también aumente.
Figura 6. Resultado para carga RL con diodo
Para determinar las perdidas dinámicas nuevamente se debe encontrar los tiempos de retardo del voltaje y corriente tanto para
el encendido como para el apagado.
Figura 7. Encendido del transistor.
Figura 8. Encendido del transistor.
Para el caso de carga RL se puede ver que ahora, la corriente y voltaje de drenaje del transistor ya no incrementa o
decrementa simultáneamente durante las transiciones, debido al desface entre el voltaje y corriente dado por el tipo
de carga, esto produce que el tiempo de encendido y apagado se divida en dos cuando aumenta o disminuye el voltaje
y la corriente individualmente.
Los tiempos de encendido son:
𝑡𝑟𝑖 = 121.317 𝑛𝑠, 𝑡𝑓𝑣 = 531,926
Los tiempos de apagado son:
𝑡𝑟𝑣 = 440.833 𝑛𝑠, 𝑡𝑓𝑖 = 32.29
3. Calcular analíticamente la potencia de perdidas dinámicas, considerando que la corriente de fugas y el voltaje drain-
source (región óhmica) son despreciables. De igual manera considerar despreciables los tiempos de retardo.
Circuito con carga R.
f = 10 khz
𝑡𝑜𝑛 = 717.95 𝑛𝑠
𝑡𝑜𝑓𝑓 = 478.817 𝑛𝑠
𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 = 31.878 𝐴
𝑉𝐷𝐶 = 161.180 𝑉
Para el cálculo de las Potencias Dinámicas considerando despreciable la corriente de fugas y el Voltaje Drain-Source,
se tiene:
1 𝑡𝑜𝑛 717.95 𝑛𝑠
𝑃𝑜𝑛 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐷 ( ) = 10000 ∗ 161.180 ∗ 31.878 ∗ = 6.148 [𝑊]
𝑇 6 6
1 𝑡𝑜𝑓𝑓 478.817 𝑛𝑠
𝑃𝑜𝑓𝑓 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐷 ( ) = 10000 ∗ 161.180 ∗ 31.878 ∗ = 4.10 [𝑊]
𝑇 6 6
𝑃𝐷 = 𝑃𝑜𝑛 + 𝑃𝑜𝑓𝑓 = 6.148 + 4.10 = 𝟏𝟎. 𝟐𝟒𝟖 [𝑾]
Circuito con carga RL con diodo
Datos:
f = 10 khz
𝒕𝒐𝒏 :
𝑡𝑟𝑖 : 121.317 𝑛𝑠
𝑡𝑓𝑣 : 531.926 𝑛𝑠
𝒕𝒐𝒇𝒇 :
𝑡𝑟𝑣 : 440.833 𝑛𝑠
𝑡𝑓𝑖 : 32.29 𝑛𝑠
𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 = 31.878 𝐴
𝑉𝐷𝐶 = 161.180 𝑉
𝑡𝑜𝑛 : 𝑡𝑟𝑖 + 𝑡𝑓𝑣
𝑡𝑜𝑛 : 121.317 + 531.926 = 653.243 𝑛𝑠
𝑡𝑜𝑓𝑓 : 𝑡𝑟𝑣 + 𝑡𝑓𝑖
𝑡𝑜𝑓𝑓 : 440.833 + 32.29 = 473.123 𝑛𝑠
Para el cálculo de las Potencias Dinámicas considerando despreciable la corriente de fugas y el Voltaje Drain-Source,
se tiene:
1 10000
𝑃𝑜𝑛 = 𝑉𝐷𝐶 𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 𝑡𝑜𝑛 = ∗ 161.180 ∗ 31.878 ∗ 653.243 𝑛𝑠 = 16.78 [𝑊]
2𝑇 2
1 10000
𝑃𝑜𝑓𝑓 = 𝑉𝐷𝐶 𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 𝑡𝑜𝑓𝑓 = ∗ 161.180 ∗ 31.878 ∗ 473.123 𝑛𝑠 = 12.15 [𝑊]
2𝑇 2
𝑃𝐷 = 𝑃𝑜𝑛 + 𝑃𝑜𝑓𝑓 = 16.78 + 12.15 = 𝟐𝟖. 𝟗𝟑 [𝑾]
Conclusiones:
Alexander Enríquez:
• Si se requiere utilizar aislamiento óptico para aplicaciones de alta frecuencia, los optoacopladores más
apropiados son los optonands, que son optoacopladores con salida a compuerta. Estos elementos poseen
tiempos de respuestas muy bajos (del orden de los nanosegundos) en comparación a los optoacopladores con
salida a transistor.
• Las perdidas en el transistor dependen también del tipo de carga ya que como se vio en la practica si la carga
tiene una parte inductiva existirá un desface entre la corriente y voltaje lo que generará ciertos intervalos de
tiempo donde la corriente crecerá y el voltaje se mantendrá constante esto generará gran disipación de
energía. Por ello se debe de tratar que dichos desfaces tengan el mínimo de tiempo puesto a que, si los picos
de potencia disipada se mantienen por mucho tiempo, el transistor se quemará
Bryan Villafuerte:
• En la práctica mediante cursores se obtuvo los valores de Ton y Toff para los distintos casos de carga y
mediante cálculos matemáticos se observa que la Pon es mayor que Poff esto debido a que la Ton es mayor
que la Toff.
• El uso de un diodo antiparalelo en el circuito con carga RL es importante ya que sirve para la descarga del
capacitor cuando el MOSFET entra en conmutación, ya que el capacitor es un elemento que almacena energía
y necesita descargarse y el diodo ayuda a esta operación y también el diodo antiparalelo ayuda a disminuir
los picos de corriente que se presentan en el MOSFET.
• Cuando el MOSFET entra en saturación, se observa la presencia de una corriente la compuerta Drain y un
voltaje Drain – Source, por otro lado, cuando el MOSFET entra en corte se observa la presencia de un voltaje
en la compuerta Source con una pequeña corriente de fuga
Recomendaciones:
• A la hora de diseñar es de suma importancia tener encuentra los valores de corriente y voltaje para ocupar
elementos que tengan la capacidad de soportar dichos valores de corriente y voltaje.
• Cuando se trabaja con cargas inductivas como motores se debe conectar un diodo antiparalelo a la carga
para evitar daños en el transistor. Adicionalmente debido a que existirá ciertos picos de corriente, existirá
también picos elevados de potencia por ello lo mas recomendable es conectar el transistor a un buen
disipador de calor, para evitar que el transistor se sobrecaliente durante los picos de potencia de las
transiciones.
Referencias
[1] M. Rashid, Electrónica de Potencia circuitos dispositivos y aplicaciones, Tercera ed., México: Pearson, 2004.
