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Examen Dispositivos Electrónicos 2012

Este documento presenta un examen sustitutorio de Dispositivos Electrónicos compuesto por 3 problemas. El examen se llevará a cabo el 11 de diciembre de 2012 e incluye instrucciones sobre el desarrollo ordenado de los procedimientos y la prohibición de usar apuntes o intercambiar materiales. Los 3 problemas cubren temas como el punto de operación de transistores BJT, ganancias en circuitos con transistores y el modelado de curvas de tensión-corriente usando diodos ideales.

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Jose Jauregui
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Examen Dispositivos Electrónicos 2012

Este documento presenta un examen sustitutorio de Dispositivos Electrónicos compuesto por 3 problemas. El examen se llevará a cabo el 11 de diciembre de 2012 e incluye instrucciones sobre el desarrollo ordenado de los procedimientos y la prohibición de usar apuntes o intercambiar materiales. Los 3 problemas cubren temas como el punto de operación de transistores BJT, ganancias en circuitos con transistores y el modelado de curvas de tensión-corriente usando diodos ideales.

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DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

ING. JUAN F. TISZA C.

Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Electrnica

EXAMEN SUSTITUTORIO - Semestre 2012-2


Curso
Grupo
Profesores
Da
Hora
Duracin de la prueba

: Dispositivos Electrnicos
: 01
: Ing. Juan Tisza Contreras
: Martes 11/12/2012
: 13:00 horas
: 110 minutos

Nota: En el examen, para que se califique el procedimiento correspondiente debe estar


desarrollado con mucho orden.
La Prueba es sin apuntes ni copias, esta prohibido intercambiar calculadoras y otros tiles.
Solo se permite el uso de la tabla de propiedades de los semiconductores.
LA PRUEBA SERA ENTREGADA EL DIA MIERCOLES12/12/12 A HORAS 17.00 HORAS EN LA
PUERTA DEL LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS.

PROBLEMA 1.En el siguiente circuito, si el transistor de silicio tiene un =300 calcular :


a).- El punto de operacin del BJT.
b).- AV ( Ganancia de tensin ) , AI (Ganancia de corriente) , AP (ganancia de potencia) , Ri
(resistencia de entrada del circuito) , Ro ( Resistencia de salida del circuito).
c).-Determinar. Cual seria el valor al cual hay que cambiar los valores de las resistencias de
1M (Resistencia R ) para que el transistor ingrese a la zona de saturacin?

Ro
Ri

PREPARADO POR ING. JUAN F. TISZA C. PROFESOR TITULAR DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

ING. JUAN F. TISZA C.

PROBLEMA 2 .En el siguiente circuito donde RL es la carga. Obtener:


a).- Los puntos de operacin de cada uno de los transistores.
b).-Las ganancias de tensin y de corriente del circuito.
c).- Dibujar la tensin Vo si la tensin de entrada es la mostrada.

Vo

c
+

RL
Vi

/VT/ =/ VP /
Vi (mVoltios)
200
mV

0.1

0.2

t (milisegundos)

-200

PROBLEMA 3.Desarrollar el modelo circuital con el uso de diodos ideales y componentes elctricos, de
manera que el circuito que genere las siguientes curva de respuesta tensin versus corriente.
i(mA)

i(mA)

V( voltios)

V( voltios)

EL PROFESOR.

PREPARADO POR ING. JUAN F. TISZA C. PROFESOR TITULAR DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

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